三星計劃投資60%擴大芯片產(chǎn)能 或引發(fā)供給過度危機

時間:2018-01-05

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:根據(jù)2017年的存儲器市場來看,價格的大幅度上漲,內(nèi)存市場面臨著激烈的競爭,市場供不應(yīng)求的局面,致使三星計劃將加大投入擴大芯片產(chǎn)能,但是外界人士認為內(nèi)存廠商大規(guī)模的擴大芯片產(chǎn)能,將會帶來供給過度的危機。

根據(jù)2017年的存儲器市場來看,價格的大幅度上漲,內(nèi)存市場面臨著激烈的競爭,市場供不應(yīng)求的局面,致使三星計劃將加大投入擴大芯片產(chǎn)能,但是外界人士認為內(nèi)存廠商大規(guī)模的擴大芯片產(chǎn)能,將會帶來供給過度的危機。

三星芯片

據(jù)外電報道,剛被任命為三星電子聯(lián)席首席執(zhí)行官、負責(zé)旗下芯片業(yè)務(wù)的金奇南(KimKi-nam)日前表示,今年是全球芯片產(chǎn)業(yè)增長的關(guān)鍵時期,整個行業(yè)會面臨更激烈的競爭。

金奇南在韓國媒體采訪時表示,今年芯片產(chǎn)業(yè)會面臨嚴(yán)峻的形式,暗示技術(shù)創(chuàng)新會遇到困難,并對供給過度的問題感到擔(dān)憂?!靶酒a(chǎn)業(yè)在空前的繁榮期正面臨著嚴(yán)峻的現(xiàn)實。因為技術(shù)的快速變革,預(yù)測市場格局將如何變化變得相當(dāng)困難,”他說。

市場觀察人士預(yù)計,今年全球芯片市場會繼續(xù)保持繁榮,但增長速度預(yù)計會低于去年。市場調(diào)研公司IHSMarkit提供的數(shù)據(jù)顯示,2017年全球DRAM存儲芯片市場的規(guī)模達到722億美元,較上年增長了72%;預(yù)計該市場今年的規(guī)模更是會達到844億美元,但增速將滑落至16.9%。

目前,DRAM存儲芯片業(yè)務(wù)也是三星電子盈利最多的業(yè)務(wù)。因為數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)需求的增長,三星電子預(yù)計DRAM存儲芯片的供求關(guān)系仍將緊張,該公司如今已通過在韓國平澤新工廠增加生產(chǎn)線,來擴大DRAM存儲芯片的產(chǎn)品。

業(yè)內(nèi)預(yù)計,三星電子這座新工廠的制造能力將達到6萬塊晶片,為現(xiàn)有整體DRAM芯片產(chǎn)能的大約六分之一。因為對供求問題的擔(dān)憂,在三星電子去年11月發(fā)布擴張產(chǎn)能的消息后,DARM芯片的售價在一周時間中曾暴跌了21.4%。“為保持世界頂級芯片制造商的地位,我們將不斷努力創(chuàng)新技術(shù)和應(yīng)對挑戰(zhàn),”金奇南說。

三星電子在去年第三季度的財報電話會議中曾表示,通過把公司年度投資預(yù)算的60%部署到NAND閃存業(yè)務(wù)當(dāng)中,該公司尋求對3D閃存芯片進行創(chuàng)新。不過在全球NAND閃存芯片市場增長46.2%,產(chǎn)值達到538億美元之后,該市場增速也會在今年放緩。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計,全球NAND閃存市場今年的規(guī)模將達到592億美元,較去年增長10%。

業(yè)內(nèi)觀察人士預(yù)計,三星電子今年的投資計劃可能會通過影響供求關(guān)系來改變市場格局?!癗AND市場已經(jīng)開始放緩,而DARM市場仍可能會因為三星電子的進一步投資而受到影響,”韓國券商HIInvestment&SecuriTIes分析師SongMyung-seob在研報中表示。“投資人需要更密切的關(guān)注三星電子在今年宣布的投資計劃。”

根據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights的預(yù)測,三星電子去年的投資總額達到260億美元,占據(jù)了全球芯片制造商總資本投入的20%以上。其中,該公司為3DNAND閃存業(yè)務(wù)投入了140億美元,為DRAM和代工業(yè)務(wù)分別投入了70億美元和50億美元。

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