【持續(xù)漲價被終端廠商投訴，韓國三星、海力士、美光科技三大存儲芯片巨頭被調(diào)查】因持續(xù)漲價被終端廠商投訴、歷經(jīng)發(fā)改委兩次約談之后，針對韓國三星、海力士，美國美光科技三大存儲芯片巨頭的反壟斷調(diào)查終于啟動。

2018年5月31日，中國反壟斷機構(gòu)派出多個工作小組，分別對三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調(diào)查”和現(xiàn)場取證，標(biāo)志著中國反壟斷機構(gòu)正式對三家企業(yè)展開立案調(diào)查。目前，三星已經(jīng)公開回應(yīng)稱“正在協(xié)助調(diào)查”。

三星、海力士、美光是全球三大存儲芯片巨頭，在DRAM、NAND兩大產(chǎn)品線中占據(jù)全球絕大多數(shù)市場份額。2016，因行業(yè)技術(shù)更迭、企業(yè)生產(chǎn)線換代，全球存儲芯片市場出現(xiàn)近年來罕見的供不應(yīng)求，并于2016年Q3全面進(jìn)入漲價通道。其后漲價帶來的成本壓力傳遞至手機、固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等消費級產(chǎn)品。

時至今日，多位業(yè)內(nèi)人士告訴21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道記者，“幾大巨頭產(chǎn)能都已經(jīng)能滿足市場，供求已經(jīng)平衡，甚至供過于求。漲價幅度雖然比以前小了，但價格卻降不下來?！敝两瘢瑵q價周期已持續(xù)兩年。

2017年12月，因終端企業(yè)持續(xù)投訴，發(fā)改委關(guān)注到“DRAM行業(yè)價格的飆升”，發(fā)改委約談三星，并表示將會更多關(guān)注由行業(yè)“價格操縱”行為引發(fā)的問題。2018年兩會之后，發(fā)改委、商務(wù)部、工商總局的反壟斷部門合并到新成立的市場監(jiān)督總局反壟斷局。5月份，反壟斷部門就持續(xù)漲價問題約談美光。

根據(jù)海關(guān)數(shù)據(jù)，2017年中國進(jìn)口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。存儲產(chǎn)品的持續(xù)漲價給中國產(chǎn)業(yè)造成了高成本負(fù)荷。

目前，三星已經(jīng)公開回應(yīng)稱“正在協(xié)助調(diào)查”。

漲價改變行業(yè)格局

2017年，全球DRAM、NAND市場分別增長74%、46%，達(dá)到722億美元、538億美元，三星、海力士、美光三巨頭成為最大的受益者。根據(jù)IHSMarkit此前發(fā)布數(shù)據(jù)，在DRAM市場，三星、海力士、美光市場份額分別為44.5%、27.9%、22.9%，三家合計占比95.3%；在NAND市場，三星、海力士、美光市場份額分別為39%、10.5%、11.3%，合計60.8%。

因存儲市場暴漲，全球半導(dǎo)體排名發(fā)生較大變化。2017年，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入暴漲50%，以超過600億美元的收入首次超越Intel登上全球第一的寶座。與此同時，海力士、美光也水漲船高，分別從第四名、第六名躍居第三、第四名。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，海力士、美光收入分別增長了79%、78%。

2016年Q1-2018年Q1的漲價區(qū)間中，三星存儲芯片業(yè)務(wù)收入從79.4萬億韓元增至173.3萬億韓元，增長118%；海力士收入從3.65萬億韓元增至8.72萬億韓元，增幅139%；而美光收入則從29.3億美元增至73.5億美元，增長151%。

同期，三星股價從2016年初的2.5萬韓元增至如今的5萬韓元，海力士則從3萬韓元漲至9萬韓元，美光每股股價則從14美元飆升至58美元，漲幅314%。

值得一提的是，在存儲芯片瘋狂漲價期間，美國一家律所開始就這一現(xiàn)象展開調(diào)查。在中國反壟斷部門約談、調(diào)查三巨頭期間，美國律所HagensBerman于2018年4月27日在美國加州北部地區(qū)法院向美光、三星、海力士發(fā)起反壟斷集體訴訟。

該律所稱調(diào)查顯示，DRAM制造商協(xié)商同意通過限制DRAM的供應(yīng)來提高DRAM的價格。2017年，DRAM每比特價格上漲47%，是30年來最大漲幅，其中4GBDRAM產(chǎn)品價格上漲了130%。早在2006年，HagensBerman就曾經(jīng)代理過類似DRAM反壟斷訴訟，并為其代理人贏得了3億美元和解費用。

在1999-2002年的全球互聯(lián)網(wǎng)危機期間，三星、海力士、英飛凌、爾必達(dá)、美光5家DRAM企業(yè)曾達(dá)成價格協(xié)議，控制全球DRAM市場價格。當(dāng)時，美國Dell、HP、蘋果、IBM等計算機公司直接承受漲價帶來的成本壓力。2002年，美國司法部開始起訴上述公司，并于2005-2006年間做出總計7.29億美元的違法處罰以及壟斷收入罰款。

“逆周期”殺手锏

而今天，中國企業(yè)因存儲芯片漲價受到的影響遠(yuǎn)超美國當(dāng)年的電腦企業(yè)。2017年，國內(nèi)所有旗艦手機普遍漲價200-300元，而內(nèi)存條在2017年漲價幅度高達(dá)300%-400%。

財報顯示，2017財年，美光在中國收入103億美元，占其總收入51%。海力士2017年在中國收入10萬億韓元，占其總收入33.5%。同時，三星在中國收入31.6萬億韓元，占其總收入23.3%。其中，三星中國半導(dǎo)體、上海三星半導(dǎo)體兩大公司2017年收入總計28.7萬億韓元，約253.9億美元。

2017年，受益于存儲芯片漲價，韓國向中國大陸出口機電類產(chǎn)品總額達(dá)到738億美元，同比增長了24.7%。

不過，相比于現(xiàn)階段中國電子制造業(yè)承受的漲價壓力，更值得關(guān)注的是接下來的中國存儲產(chǎn)業(yè)面臨的全球競爭。

在上世紀(jì)90年代，日本存儲芯片曾經(jīng)占據(jù)全球50%的市場份額。但是，三星通過三次“逆勢擴張”成功將日本企業(yè)趕下神壇。80年代中期、90年代末，三星總是在DRAM市場下滑期間增加投資、擴充產(chǎn)能，不斷壓低行業(yè)價格、蠶食日本企業(yè)的市場份額。2008年金融危機期間，DRAM顆粒價格跌幅超過80%，而此時三星卻將2007年總利潤的118%用于DRAM擴產(chǎn)，加劇價格下跌造成行業(yè)虧損，這直接加速了日后爾必達(dá)的破產(chǎn)，并奠定了三星的霸主地位。

2015、2016年間，三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投入資金分別為14.7萬億、13.1萬億韓元，占總Capex比均超過50%。而2017年，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)資本支出飆升至27.3萬億韓元，約242億美元。財報顯示，相比于2016年Q1，三星半導(dǎo)體在2018年Q1的產(chǎn)能提升了339%。

目前，已經(jīng)有多家分析機構(gòu)預(yù)測DARM、NAND市場將供過于求。而此時，海力士預(yù)計2018年資本開支115億美元。雖然三星并未公布2018年資本計劃，但其Q1資本開支仍然保持上漲趨勢。

形勢與此前三星的幾次逆勢擴張相似。這對中國的NAND、DRAM產(chǎn)業(yè)而言并不樂觀，這意味著，當(dāng)中國兩座DRAM、一座NAND工廠在進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)階段之后，將直接面臨嚴(yán)酷的價格競爭。顯然，在2017年賺足了漲價利潤的國際巨頭，對價格戰(zhàn)的承受能力遠(yuǎn)超中國企業(yè)。

而除了價格戰(zhàn)之外，中國企業(yè)還可能面臨訴訟戰(zhàn)、供應(yīng)控制等等競爭手段，據(jù)知情人士透露，美光科技已經(jīng)與半導(dǎo)體設(shè)備商達(dá)成排他性協(xié)議，限制向福建晉華供應(yīng)半導(dǎo)體設(shè)備。

日前，手機中國聯(lián)盟秘書長老杳發(fā)文呼吁：“作為全球最大的電子產(chǎn)品制造基地，中國需要更強有力的市場監(jiān)督機構(gòu)保證公平、公正的市場競爭秩序?！?/p>

根據(jù)財報統(tǒng)計，2016、2017年，三家公司在中國與半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)收入總計分別達(dá)到321億美元、446.8億美元。

根據(jù)《反壟斷法》、《反價格壟斷規(guī)定》，經(jīng)營者存在價格壟斷行為的，按照《反壟斷法》第四十六、第四十七、第四十九條進(jìn)行處罰，處以上一年度銷售額1%-10%的罰款，且需要考慮違法行為的持續(xù)時間。以此計算，如果裁定三大巨頭存在價格壟斷行為，那么罰款額或許在4.4億美元-44億美元、8億美元-80億美元之間。

需要指出，美國司法部對DRAM價格壟斷的罰款為銷售收入的20%，而相比之下，國內(nèi)近年來諸如浙江保險、吉林水泥等價格壟斷案件中，處罰比例僅為銷售收入的1%。

對于毛利率高達(dá)60%的存儲芯片產(chǎn)業(yè)，1%的處罰相比于壟斷行為帶來的利潤，微不足道。

2.紫光大舉投資半導(dǎo)體被日本高度關(guān)注

大陸紫光集團(tuán)旗下存儲器廠，長江存儲科技，在2018年4月11日舉辦半導(dǎo)體設(shè)備安裝典禮，26日公布國家主席習(xí)近平訪視生產(chǎn)線的新聞，據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導(dǎo)，這顯示大陸對于關(guān)鍵半導(dǎo)體產(chǎn)品與技術(shù)受制于外國的高度關(guān)注，但日本同樣也對大陸的半導(dǎo)體投資抱持高度關(guān)注。大陸關(guān)注的原因，在于長江存儲這次安裝的生產(chǎn)設(shè)備，是3DNAND快閃存儲器生產(chǎn)設(shè)備，預(yù)定在2018年內(nèi)展開32層3DNAND快閃存儲器生產(chǎn)，這進(jìn)度雖然比韓國電子巨擘三星電子(SamsungElectronics)要晚4年，但至少是大陸擺脫完全依賴海外廠商生產(chǎn)NAND快閃存儲器的關(guān)鍵一步。

而日本關(guān)注的原因，據(jù)日經(jīng)記者在2018年5月21日的現(xiàn)場采訪，3棟工廠的首棟正在加緊趕工，每天約有1,000人出入，其中包括不少日本半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者，也有從美國矽谷、日本、臺灣、與韓國挖角的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才，凸顯大陸的雄心，也讓日本擔(dān)心人才與技術(shù)外流的問題。在紫光的計劃中，長江存儲武漢廠已經(jīng)投資相當(dāng)于3兆日圓(約275億美元)，在2025年以前還要進(jìn)行1,000億美元以上的投資，等到2025年，武漢廠的3DNAND快閃存儲器產(chǎn)能，將達(dá)目前世界最大NAND快閃存儲器工廠、日本東芝存儲器(TMC)四日市工廠的1.5倍，每月100萬片。

雖然先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)不是買了設(shè)備就能馬上出貨，還需要不少調(diào)整改進(jìn)產(chǎn)品良率，更何況長江存儲科技引進(jìn)的技術(shù)，已經(jīng)落后于國際主要NAND快閃存儲器廠商，但有規(guī)模遠(yuǎn)大于東芝存儲器的投資計劃，還有10年時間與大量挖角的人才，日本少數(shù)仍具國際競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)品，NAND快閃存儲器，勢將危殆。至于專利障礙問題，紫光集團(tuán)現(xiàn)在積極透過海外購并與出資的方式，希望獲得合作對象，購并美光(MicronTechnology)雖為美國政府阻擋，但紫光仍與美光及英特爾(Intel)進(jìn)行技術(shù)合作討論，希望借此獲得若干專利使用權(quán)，現(xiàn)在為回避美國與大陸的貿(mào)易戰(zhàn)問題，動作較小，但據(jù)日經(jīng)報導(dǎo)，仍持續(xù)推動。

3.無晶圓廠商增長強勁新興科技再促半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級；

近日，科技產(chǎn)業(yè)調(diào)研機構(gòu)Technavio發(fā)布的一份報告顯示，受新興前沿科技需求推動，全球無晶圓（fabless）IC市場將繼續(xù)保持強勁的增速，2018至2022年復(fù)合年增長率將達(dá)7.9%。

上世紀(jì)80年代早期，典型的半導(dǎo)體廠商均需要自己完成包括研發(fā)IC設(shè)計程序、設(shè)計和制造相關(guān)設(shè)備、進(jìn)行封裝和測試在內(nèi)的全部工作。

“那時，產(chǎn)業(yè)還未達(dá)到1微米制程的節(jié)點。隨著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，工藝尺寸持續(xù)縮小，集成也愈發(fā)復(fù)雜，IDM模式的成本在呈指數(shù)型增長。”市場調(diào)研機構(gòu)StrategyAnalyticsRF和無線組件研究服務(wù)總監(jiān)ChrisTaylor對記者表示。

半導(dǎo)體制造業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)性的特征因此愈發(fā)明顯，高昂的投資成本已使得眾多廠商無力擴張。在此背景下，只進(jìn)行硬件芯片的電路設(shè)計，設(shè)計之后再交由晶圓代工廠制造為成品，并負(fù)責(zé)銷售產(chǎn)品的無晶圓運營模式開始興起，垂直分工模式走向繁榮。

無晶圓模式增勢延續(xù)

在Taylor看來，晶圓代工廠商臺積電（TSMC）在1987年的成立是無晶圓模式發(fā)展的重要里程碑。Taylor認(rèn)為：“如今，對于一個半導(dǎo)體廠商來說，自己完成全部流程已變得不可能。即便是英特爾這樣的巨頭，也需部分委托于一些代工廠，且設(shè)計軟件和制造設(shè)備均依賴于第三方?！?/p>

輕裝上陣的優(yōu)勢促成了無晶圓廠商的繁榮。半導(dǎo)體行業(yè)分析機構(gòu)ICInsights數(shù)據(jù)顯示，2000年至2016年間，全球無晶圓廠商增速低于IDM廠商的情況只在2010年和2015年出現(xiàn)過兩次。

2003年，高通（Qualcomm）憑借當(dāng)年24億美元的營收，成為了第一家進(jìn)入全球半導(dǎo)體廠商20強的純IC設(shè)計公司，無晶圓廠商正式開始在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占據(jù)重要地位。而到2018年第一季度，業(yè)界已有博通、高通、英偉達(dá)、蘋果等4家無晶圓廠商營收排名進(jìn)入前15，此外，從事代工的臺積電更是位列第三。

營收在2017年位列無晶圓廠商之首的高通是該模式的代表廠商之一，這一模式的成功在其身上已被證明。

在成立之初的1985年，高通公司正聚焦于蜂窩系統(tǒng)的發(fā)展，以及與之相應(yīng)的核心標(biāo)準(zhǔn)制定?！澳菚r，公司有基礎(chǔ)設(shè)施部門、芯片業(yè)務(wù)部門、研發(fā)部門和手機業(yè)務(wù)部門，確實曾是一個垂直一體化的企業(yè)，這有助于我們對產(chǎn)業(yè)科技標(biāo)準(zhǔn)的制定?！备咄ü疽晃话l(fā)言人在采訪中對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道記者表示。

不過隨著該領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展，我們意識到垂直一體化已并非必要。所以，我們出售了其余部門，成為了一家更聚焦的半導(dǎo)體公司，同時也成為了該產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)研發(fā)引擎?！彼f。

東亞在晶圓代工領(lǐng)域占據(jù)著重要地位，這也顯示出了代工模式下的全球分工。據(jù)集邦咨詢（TrendForce）5月24日更新的數(shù)據(jù)，2018年第一季度全球前10大晶圓代工廠商中，中國臺灣、中國大陸、韓國三地的廠商合計占據(jù)7席，市占率高達(dá)83.6%。

“重要的是我們所設(shè)計的產(chǎn)品能滿足客戶未來的需求，這也取決于代工廠商能夠提供何種程度的幫助，保證我們的出貨量，并平衡各業(yè)務(wù)部門的產(chǎn)能?！鄙鲜龈咄òl(fā)言人表示，

“全球化的分工已是我們戰(zhàn)略的一部分，目前來看這十分有效?！?/p>

不過在2017年，無晶圓廠商增長又一次落后于了IDM廠商，盡管這一年前者營收首次突破了1000億美元。但I(xiàn)CInsights指出，這實際上更多源于近年存儲市場的這波漲價潮——存儲廠商多采用IDM模式。以DRAM為例：2017年全球IC市場增速達(dá)25%，不計DRAM的增速則僅為16%。

集邦咨詢拓墣產(chǎn)業(yè)研究院研究經(jīng)理林建宏對記者指出，IDM和無晶圓模式的取舍往往與廠商自身產(chǎn)品及規(guī)模有關(guān)，若產(chǎn)品的銷售規(guī)模仍在高速增長，IDM模式也能有良好的增長動能，如今的DRAM和NAND閃存均是例證。

前沿科技帶動產(chǎn)業(yè)增長

Technavio認(rèn)為，隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對互通性的需求的增加和聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的興起，IC廠商需要合作對開源平臺進(jìn)行開發(fā)，以設(shè)置相應(yīng)的IoT設(shè)備之間的互通標(biāo)準(zhǔn)和要求。此外，該報告還強調(diào)了汽車工業(yè)對無晶圓廠商增長的驅(qū)動。

“汽車市場預(yù)計將在預(yù)測時間段內(nèi)持續(xù)增長。受此影響，能夠支持部分或高度自動化，直至全自動駕駛的半導(dǎo)體集成電路的需求將顯著增長?！币晃籘echnavio分析師表示。

而仍以高通為例，其崛起同樣與技術(shù)革新有著分不開的聯(lián)系。伴隨著蜂窩網(wǎng)絡(luò)技術(shù)在90年代初的發(fā)展，移動通話開始普及，且通話質(zhì)量也正在提升。但彼時，高通已開始著手于移動數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用。

“大概是自1993年起，我們開始將PC領(lǐng)域的一些IP應(yīng)用到蜂窩網(wǎng)絡(luò)中，并將部分互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議引入蜂窩網(wǎng)絡(luò)的標(biāo)準(zhǔn)中?！鄙鲜龈咄òl(fā)言人對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道記者表示，“盡管當(dāng)時互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展進(jìn)程明顯快于移動網(wǎng)絡(luò)，但我們在那時就已完成了基礎(chǔ)設(shè)計布局。我們看好移動網(wǎng)絡(luò)的未來，所有人都會擁有手機，并通過手機接入移動網(wǎng)絡(luò)，這會成為一個趨勢?！?/p>

引領(lǐng)了多次“G”升級的高通，自2008年首次進(jìn)入全球10大半導(dǎo)體廠商之列后便再未缺席。2017年，高通營收在全球半導(dǎo)體廠商（不含晶圓代工）中位列第6，而仍在等待審批，以完成來自高通的收購的恩智浦（NXP）排名則為第10。

不過，在5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等前沿科技所領(lǐng)跑的“第四次科技革命”中，高通公司的新“遠(yuǎn)景”正在向其賴以成功的“手機”之外拓展。

“我們認(rèn)為，未來幾乎所有終端都會具有連接性、智能化，而這很大一部分將脫胎于智能手機行業(yè)。我們在該領(lǐng)域的經(jīng)驗和核心技術(shù)已使得我們處于一個有利位置?！备咄ǚ矫姹硎?。

這在高通對待5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能的態(tài)度上都得到了體現(xiàn)。高通方面介紹稱，在物聯(lián)網(wǎng)趨勢下，隨著越來越多的設(shè)備趨向智能化、聯(lián)網(wǎng)化，應(yīng)用場景也會愈發(fā)具體化，因此也會出現(xiàn)面向不同垂直領(lǐng)域的定制化芯片。

此外，高通方面認(rèn)為，4G向5G的升級已不再局限于手機通訊和數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶嵘?。工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、消費電子、醫(yī)療保健等產(chǎn)業(yè)都將是5G的應(yīng)用場景，這也就需要除手機廠商、網(wǎng)絡(luò)運營商、基礎(chǔ)設(shè)施廠商和半導(dǎo)體廠商外，有更多的產(chǎn)業(yè)參與其定義。5G將成為一個不只局限于滿足手機行業(yè)的更加靈活的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)。21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道

4.國家制造業(yè)創(chuàng)新中心落戶復(fù)旦張江校區(qū)聚焦集成電路研發(fā)

位于復(fù)旦大學(xué)張江校區(qū)里的國家集成電路創(chuàng)新中心，在今年1月份已獲批上海市集成電路制造業(yè)創(chuàng)新中心。幾天前，由工信部、中科院、中國工程院等單位專家出席的論證會上，一致通過了該中心“升格”為國家制造業(yè)創(chuàng)新中心的建設(shè)方案。

一流平臺：產(chǎn)學(xué)研攜手攻關(guān)

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長張衛(wèi)教授說，中心依托上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司，采用“公司+聯(lián)盟”的產(chǎn)學(xué)研一體化方式，由復(fù)旦大學(xué)牽頭，聯(lián)合行業(yè)龍頭企業(yè)中芯國際、華虹集團(tuán)等，建立集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同機制，以行業(yè)協(xié)同創(chuàng)新模式組建。上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司是由復(fù)旦大學(xué)、中芯國際和上海華虹集團(tuán)共同出資組建的實體公司。其中，中芯國際是中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，也是世界先進(jìn)集成電路晶圓代工企業(yè)之一。華虹集團(tuán)是國家“909”工程的成果與載體，是以集成電路制造業(yè)務(wù)為核心的多業(yè)務(wù)平臺共同發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。復(fù)旦大學(xué)的微電子學(xué)科，源于謝希德先生等在上世紀(jì)50年代創(chuàng)辦的半導(dǎo)體物理專業(yè)，在國內(nèi)外享有盛譽，擁有國內(nèi)高校唯一一家集成電路設(shè)計領(lǐng)域國家重點實驗室——“專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室”。

創(chuàng)新成果：快速低耗存儲器

張江校區(qū)里的一幢三層小樓、28名專職“勇士”，這就是這個國家級中心目前的家底，近年來硬是憑著一股闖勁，已經(jīng)取得了重要創(chuàng)新成果。張衛(wèi)院長說：“我們研發(fā)的半浮柵器件，是一種全新原理的微電子基礎(chǔ)器件，它巧妙地將隧穿場效應(yīng)晶體管（TEET）和浮柵晶體管相結(jié)合，構(gòu)建成了一種全新原理的微電子器件，我們把它命名為半浮柵晶體管(Semi-FloatingGateTransistor，簡稱SFGT)。它的優(yōu)點是速度快、功耗低。這項成果得到了國際同行的廣泛關(guān)注，評價這項成果時將它稱為‘晶體管中的混合動力賽車登場了’。”美國一家技術(shù)咨詢公司對這項成果給出的評價是：“半浮柵晶體管能夠解決動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片面臨的技術(shù)問題，有潛在的技術(shù)能力來替代DRAM?！?/p>

此外，半浮柵晶體管還可應(yīng)用于CPU芯片的緩存?，F(xiàn)有緩存通常采用6個晶體管構(gòu)成的SRAM結(jié)構(gòu)，集成度低、占用面積大。如果采用半浮柵晶體管，則面積能縮小為原來的20%。SFGT還可以應(yīng)用于圖像傳感器芯片(APS)，提高填充因子，使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到顯著提升。

研發(fā)目標(biāo)：3納米集成電路

現(xiàn)在，張衛(wèi)教授的心里頗為踏實，由復(fù)旦大學(xué)牽頭組建的國家集成電路創(chuàng)新中心，能夠充分發(fā)揮高校和科研院所資源共享的優(yōu)勢，為產(chǎn)業(yè)界合作搭建共性技術(shù)研發(fā)平臺；可以更好地匯聚高端人才，開展源頭創(chuàng)新，掌握核心技術(shù)，從而增強集成電路領(lǐng)域的國際合作能力，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)提升提供服務(wù)，并為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供人才支撐。

“我們是一個中立的、公共的共性技術(shù)研發(fā)平臺，跟企業(yè)的研發(fā)中心不一樣。企業(yè)研發(fā)中心主要是做目標(biāo)產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，我們這個中心是瞄準(zhǔn)集成電路的關(guān)鍵共性技術(shù)，突出共性技術(shù)研發(fā)能力、行業(yè)服務(wù)與成果轉(zhuǎn)化的能力。”張衛(wèi)說，共性技術(shù)研發(fā)工作目前主要集中在5納米及以下集成電路的共性技術(shù)，聚焦新器件新工藝研發(fā)，目的是解決我國集成電路主流技術(shù)方向選擇和可靠技術(shù)來源問題，支持高端芯片在國內(nèi)制造企業(yè)實現(xiàn)生產(chǎn)?！爸行哪壳罢陂_展納米線圍柵器件、半浮柵晶體管等新器件和新工藝的研發(fā)，到2022年年底，將系統(tǒng)地開展集成技術(shù)研發(fā)，打通5納米集成電路關(guān)鍵工藝，并開展3納米前瞻技術(shù)的研發(fā)，建成具有國際影響力的集成電路先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新中心?！睆埿l(wèi)介紹說，復(fù)旦大學(xué)在張江校區(qū)已規(guī)劃了建設(shè)約2.9萬平方米的微納電子樓，未來將用于這個國家集成電路創(chuàng)新中心，爭取三年里打造一支由180名專職科研人員組成的集成電路研發(fā)“第一方陣”。

5.華虹半導(dǎo)體現(xiàn)破頂傳公司冀月產(chǎn)4萬芯片

華虹半導(dǎo)體(19.9,0.08,0.40%)（01347）現(xiàn)升1.92%，報20.2元；成交約114萬股，涉資2305萬元．盤中高見20.55元破頂。

恒指現(xiàn)報30923，上升430點，主板成交184.99億元。

據(jù)聞華虹計劃將無钖生產(chǎn)線擴大產(chǎn)能，到2020年月產(chǎn)可達(dá)4萬芯片．公司早前獲麥格理維持跑贏大市評級，目標(biāo)價23元。