三星被判侵犯FinFET工藝專利,罰款4億美元!

時間:2018-06-21

來源:網(wǎng)絡轉載

導語:根據(jù)美國德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決,三星電子侵犯了一家韓國大學關于雙柵極FinFET半導體工藝的技術專利,必須賠償4億美元。

【三星被判侵犯FinFET工藝專利,罰款4億美元!】根據(jù)美國德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決,三星電子侵犯了一家韓國大學關于雙柵極FinFET半導體工藝的技術專利,必須賠償4億美元。

韓國科學技術院(KAIST)在美國的授權機構起訴三星電子,稱其曾經(jīng)宣稱要與韓國大學共同研究FinFET(鰭式場效應晶體管)技術,但很快就放棄,改變主意從Intel那里購買授權,不過三星還是使用了他們的技術,卻并非付費。

法院認可了這一起訴,責令三星電子賠償4億美元。事實上,陪審團發(fā)現(xiàn)三星的侵權是故意行為,因此完全可以做出三倍處罰,也就是最多12億美元。

有趣的是,GlobalFoundries和高通也被發(fā)現(xiàn)同樣侵權,因為GF是從三星那里買了FinFET工藝的授權,高通則通過三星和GF代工芯片,但這兩家無需賠償。

三星對此判決自然表示很失望,將提出上訴。

目前,三星電子已經(jīng)超越Intel,成為全球最大的半導體廠商。

中傳動網(wǎng)版權與免責聲明:

凡本網(wǎng)注明[來源:中國傳動網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權均為中國傳動網(wǎng)(www.treenowplaneincome.com)獨家所有。如需轉載請與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個人轉載使用時須注明來源“中國傳動網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責任。

本網(wǎng)轉載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權屬于原版權人。轉載請保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負版權法律責任。

如涉及作品內(nèi)容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。

關注伺服與運動控制公眾號獲取更多資訊

關注直驅(qū)與傳動公眾號獲取更多資訊

關注中國傳動網(wǎng)公眾號獲取更多資訊

最新新聞
查看更多資訊

熱搜詞
  • 運動控制
  • 伺服系統(tǒng)
  • 機器視覺
  • 機械傳動
  • 編碼器
  • 直驅(qū)系統(tǒng)
  • 工業(yè)電源
  • 電力電子
  • 工業(yè)互聯(lián)
  • 高壓變頻器
  • 中低壓變頻器
  • 傳感器
  • 人機界面
  • PLC
  • 電氣聯(lián)接
  • 工業(yè)機器人
  • 低壓電器
  • 機柜
回頂部
點贊 0
取消 0