【NAND閃存景氣回升 資本性支出將增40%至310億美元】近日，據(jù)ICInsights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NANDFlash行業(yè)的資本支出（CAPEX）將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來(lái)的最大增幅。

其中，3DNAND的市場(chǎng)需求，成為驅(qū)動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3DNAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲(chǔ)存容量增加，從而實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的主攻方向。

首先，我們需要先理解一個(gè)概念：資本性支出（CAPEX）。大量的CAPEX通常預(yù)示著有新的項(xiàng)目即將開(kāi)始，生產(chǎn)和銷(xiāo)售上都會(huì)出現(xiàn)巨大增長(zhǎng)。與運(yùn)營(yíng)投資相反，CAPEX項(xiàng)目運(yùn)行期間公司需要一直投錢(qián)，以此孕育未來(lái)的長(zhǎng)期收益。因此，2018年NANDFlash行業(yè)的資本支出實(shí)現(xiàn)8年以來(lái)的最大增幅，表面了全球存儲(chǔ)器廠商對(duì)閃存市場(chǎng)的持續(xù)看好與積極投入，NANDFlash市場(chǎng)有望被全面打開(kāi)。

到底是哪些芯片廠商全面看好NAND閃存，正大刀闊斧地加碼3DNAND閃存產(chǎn)能？

一方面，國(guó)際閃存大廠的3DNAND堆疊大戰(zhàn)正在如火如荼地進(jìn)行中。今年6月下旬，美光公布了2018財(cái)年第三季度的結(jié)果，同時(shí)也公布未來(lái)的發(fā)展方向，預(yù)告在2018年下半年96層3DNAND技術(shù)將會(huì)開(kāi)始批量出貨，可進(jìn)一步增加每個(gè)芯片的儲(chǔ)存容量，從而能夠打造出更小，更節(jié)能的設(shè)備。兩周后，三星也高調(diào)宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第五代3DNAND閃存顆粒，層疊層數(shù)為96層，產(chǎn)能得到30%的提升。同時(shí)，根據(jù)消息人士透露，三星今年投資在NANDFlash閃存上的資本支出預(yù)計(jì)是64億美元，2019年更是會(huì)提高到90億美元。

美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開(kāi)端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度。可見(jiàn)，3DNAND閃存已經(jīng)成為國(guó)際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場(chǎng)”。

另一方面，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為代表的中國(guó)存儲(chǔ)器廠商，也加快了項(xiàng)目進(jìn)展的步伐。據(jù)公開(kāi)資料顯示，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)主導(dǎo)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地已于2018年4月11日，正式進(jìn)場(chǎng)安裝生產(chǎn)設(shè)備。同時(shí)，專(zhuān)注于行動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及晉華集成的試產(chǎn)時(shí)間也調(diào)快至2018年下半年?？梢哉f(shuō)，2018年或?qū)⒊蔀橹袊?guó)存儲(chǔ)器的生產(chǎn)元年。

當(dāng)然，全球的NAND閃存資本支出大增，只能印證NAND閃存行業(yè)投資景氣的上升，今后存儲(chǔ)器的市場(chǎng)表現(xiàn)如何，還需要時(shí)間來(lái)證明。畢竟在存儲(chǔ)器市場(chǎng)的歷史先例里，過(guò)多的資本支出通常會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩和定價(jià)疲軟，投資風(fēng)險(xiǎn)還是存在的。

因此，思考當(dāng)前取得的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，當(dāng)前的技術(shù)還有哪些用武之地，以及今后的發(fā)展方向，為下一次發(fā)展奠定基礎(chǔ)。這對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商來(lái)說(shuō)，仍然具有深遠(yuǎn)意義。