【AMD芯片在晶體管密度再創(chuàng)高新，有望在制造工藝上打敗英特爾】英特爾這些年來(lái)能叱咤CPU領(lǐng)域，一方面在于他們有強(qiáng)悍的芯片設(shè)計(jì)能力；另一方面，在制程上的領(lǐng)先，是他們能持續(xù)保持領(lǐng)先的根本。在過(guò)往，他們自有的晶圓廠在制造能力上領(lǐng)先于所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，包括專注于晶圓代工的臺(tái)積電。但最近他們?cè)?0nm上面陷入泥潭，這就給其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD帶來(lái)了機(jī)遇。

據(jù)Solidot透露，AMD下一代的Rome服務(wù)器處理器相比英特爾的IceLakeXeon服務(wù)器處理器，可能將其歷史首次在制造工藝上具有優(yōu)勢(shì)。Rome基于Zen2架構(gòu)，相比第一代的EPYC處理器，Rome的IPC性能改進(jìn)了10-15%，將最高有64個(gè)核心。

預(yù)計(jì)從下半年開(kāi)始試制樣品，明年全面投產(chǎn)。處理器由臺(tái)積電或GlobalFoundries制造，或兩家都參與生產(chǎn)，采用7納米制造工藝。而這兩家代工廠的7nm工藝都進(jìn)展非常順利。

臺(tái)積電方面，今年六月，該公司的CEO魏哲家在其舉辦的技術(shù)研討會(huì)上表示，臺(tái)積電7nm制程的芯片已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。根據(jù)臺(tái)積電官方介紹，與其10nmFinFET工藝相比，臺(tái)積電的7nmFinFET具有1.6倍邏輯密度，約20％的速度提升和約40％的功耗降低。臺(tái)積電通過(guò)推出兩個(gè)獨(dú)立的7nmFinFET路徑（一個(gè)針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，另一個(gè)針對(duì)高性能計(jì)算應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化）創(chuàng)造了又一個(gè)行業(yè)記錄。這也將成為他們下半年的一個(gè)營(yíng)收重點(diǎn)。

在日前舉辦的Q2法說(shuō)會(huì)，臺(tái)積電表示，其7納米正按計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì)下半年將開(kāi)始貢獻(xiàn)收入。同時(shí)，臺(tái)積電對(duì)7納米制程發(fā)展深具信心，預(yù)期第3季7納米制程比重將達(dá)10%，第4季7納米制程單季比重可望進(jìn)一步達(dá)20%水準(zhǔn)。

到明年，他們又將領(lǐng)先群雄，率先導(dǎo)入EUV量產(chǎn)，意味再次棒打英特爾、三星等勁敵，晶圓代工龍頭地位屹立不搖。臺(tái)積電執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家證實(shí)，臺(tái)積電導(dǎo)入EUV的7nm強(qiáng)化版（7+）將于明年第2季量產(chǎn)，是全球首家采用EUV為客戶量產(chǎn)芯片的晶圓代工廠。屆時(shí)7nm將貢獻(xiàn)超過(guò)20%業(yè)績(jī)，即明年7納米制程業(yè)績(jī)將較今年激增1倍以上。

而AMD的緊密合作伙伴格芯在7nm方面也進(jìn)展順利。根據(jù)外媒透露，身為AMD專用晶圓廠，格芯技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton在年初層指出，目前格芯即將投入生產(chǎn)的7納米制程可讓芯片面積大幅減少。根據(jù)格芯計(jì)算，在同等晶體管數(shù)量下，7納米制程的芯片將是14納米制程芯片的1/2.7，芯片發(fā)熱量減少、更高的頻率都將可期待。

在五月的時(shí)候，為了應(yīng)對(duì)臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)，他們調(diào)整了7納米制程的閘極距以及SRAM單元，使之與臺(tái)積電的7納米制程更加相近，這就能讓AMD能同時(shí)使用兩家的7納米制程。格芯還進(jìn)一步指出，對(duì)于AMD另外采用臺(tái)積電作為代工廠也表示理解。原因是AMD的訂單需求超過(guò)了格芯的產(chǎn)能，因此尋求臺(tái)積電加入代工，這對(duì)格芯來(lái)說(shuō)是完全沒(méi)有問(wèn)題的。

至于英特?zé)岬腎ceLake方面，細(xì)節(jié)所知不多，但正如前面所說(shuō)，英特爾的10納米技術(shù)遭遇了多次延期，目前大規(guī)模量產(chǎn)已推遲到2019年的某個(gè)時(shí)間。根據(jù)ScottenJones的分析，英特爾的10納米節(jié)點(diǎn)與臺(tái)積電和GlobalFoundries的7納米節(jié)點(diǎn)幾乎相差不大，而7納米節(jié)點(diǎn)在晶體管密度上略有優(yōu)勢(shì)。這將是AMD的服務(wù)器芯片首次在晶體管密度領(lǐng)先于英特爾爾。