ICInsights預(yù)測，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額手次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預(yù)計存儲器IC占2018年半導(dǎo)體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長。
如圖所示，超過一半的行業(yè)資本支出預(yù)計用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn)，包括對現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制作設(shè)施的升級。總的來說，預(yù)計今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%，達到540億美元。用于存儲器件的資本支出比例在六年內(nèi)大幅增加，幾乎在2013年27%占比(147億美元)的基礎(chǔ)上翻了一番，2013~2018年復(fù)合年增長率相當(dāng)于達到30%。
從具體產(chǎn)品類別來看，預(yù)計DRAM/SRAM的支出增幅最大，但預(yù)計用于閃存產(chǎn)品的支出占今年的最大比例，如下圖。預(yù)計2018年DRAM/SRAM市場的資本支出將在2017年強勁增長82%以后再次達到41%的增長幅度，而今年閃存支出繼2017年增長91%之后也將再次增長13%。
經(jīng)過連續(xù)兩年的資本支出大幅增長，半導(dǎo)體廠商眼下面臨一個迫在眉睫的問題，即高水平的支出是否會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和價格下降。存儲歷史教訓(xùn)表明，過多的支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和隨之而來的價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、SanDisk和長江存儲等廠商都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3DNAND閃存容量，還將有中國大陸其他新的內(nèi)存廠商加入這一大軍。ICInsights認為，未來3DNAND閃存市場需求過高的風(fēng)險不斷高漲。
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