第三代半導(dǎo)體器件制備發(fā)展迅速 行業(yè)競爭日趨升級

時間:2018-09-04

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:我國是全球第二大經(jīng)濟(jì)體,經(jīng)濟(jì)發(fā)展已經(jīng)邁上高質(zhì)量發(fā)展階段。提高關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新能力,關(guān)乎經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展和國家民族未來。中興事件的興起,中美貿(mào)易事件的發(fā)酵,反面折射出了半導(dǎo)體等核心零部件技術(shù)的薄弱,一時引起了社會尤其中國科技界的深思。

【中國傳動網(wǎng) 行業(yè)動態(tài)】 我國是全球第二大經(jīng)濟(jì)體,經(jīng)濟(jì)發(fā)展已經(jīng)邁上高質(zhì)量發(fā)展階段。提高關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新能力,關(guān)乎經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展和國家民族未來。中興事件的興起,中美貿(mào)易事件的發(fā)酵,反面折射出了半導(dǎo)體等核心零部件技術(shù)的薄弱,一時引起了社會尤其中國科技界的深思。

要想擺脫“卡脖子”的殘酷命運(yùn),我國高端核心技術(shù)的發(fā)展還需要更多自主創(chuàng)新。材料強(qiáng)國是科技強(qiáng)國的基礎(chǔ),第三代半導(dǎo)體材料扮演著愈發(fā)關(guān)鍵的角色,也正日益成為國際、國內(nèi)科技和產(chǎn)業(yè)競爭的核心領(lǐng)域之一。

基于高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能,第三代半導(dǎo)體材料更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件。在移動通訊、能源互聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、以至國防軍備等產(chǎn)業(yè),日逐成為美、歐、日各國競相布局的重要領(lǐng)域。

目前,我國第三代半導(dǎo)體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一,正處于研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的關(guān)鍵期。打破壟斷、提高國產(chǎn)化率生產(chǎn),力爭實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備自主可控。為此,《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》、《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》、《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》、《半導(dǎo)體管特性圖示儀校準(zhǔn)儀校準(zhǔn)規(guī)范》、《半導(dǎo)體照明設(shè)備和系統(tǒng)的光輻射安全測試方法》等國家政策、方法標(biāo)準(zhǔn)密集發(fā)布,在促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面成效顯著。

近日,863計劃“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)”項目通過驗收。項目開發(fā)出基于新型基板的第三代半導(dǎo)體器件封裝技術(shù);開展第三代半導(dǎo)體封裝和系統(tǒng)可靠性研究,形成相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范;制備出高性能SiC基GaN器件。通過項目的實(shí)施,我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通訊等領(lǐng)域取得突破,自主發(fā)展出相關(guān)材料與器件的關(guān)鍵技術(shù),有助于支撐我國在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代國防建設(shè)上的重大需求。

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展時機(jī)成熟,有望實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈,進(jìn)入世界先進(jìn)行列。除了政策支持,我國也成立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金,“大基金”的投資項目覆蓋了集成電路的制造、設(shè)計、材料設(shè)備、封裝測試等環(huán)節(jié),大力投資必會帶動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的快速發(fā)展。

另一方面,我國精密加工技術(shù)和配套能力進(jìn)步迅速,已經(jīng)具備開發(fā)并且逐步主導(dǎo)第三代半導(dǎo)體裝備的能力。全國多地積極響應(yīng),促進(jìn)地方產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級。近日,蕪湖市印發(fā)了《蕪湖市加快微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策規(guī)定(試行)》的通知。該微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策針對第三代半導(dǎo)體企業(yè)購買IP、參與研發(fā)多項目晶圓等做出了詳細(xì)的扶持說明。深圳正實(shí)施新一輪創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略布局,機(jī)器人、無人駕駛、等新興產(chǎn)業(yè)日新月異,坪山區(qū)將依托5G試點(diǎn),建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

盡管發(fā)展形勢一片良好。但第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心材料、器件原始創(chuàng)新能力薄弱;體制機(jī)制不夠完善;缺乏公共研發(fā)、服務(wù)及產(chǎn)業(yè)化的平臺。對半導(dǎo)體企業(yè)而言,應(yīng)發(fā)揮區(qū)域優(yōu)勢,差異化布局,避免重復(fù)投入和惡性競爭。圍繞第三代半導(dǎo)體光電材料、裝備、器件及創(chuàng)新應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)集群式、高質(zhì)量發(fā)展。

 

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