【中國傳動網(wǎng) 企業(yè)動態(tài)】 9月30日，中國領先的嵌入式存儲芯片設計公司東芯半導體與紫光宏茂微電子共同宣布，雙方初步達成了建立戰(zhàn)略合作關(guān)系的一致共識，將就嵌入式存儲芯片的封裝測試進行全面合作，促進行業(yè)發(fā)展。

東芯半導體總經(jīng)理王超等一行于9月29日與紫光宏茂董事長和總經(jīng)理等舉行了會晤，在互相介紹了雙方公司近況后，雙方就構(gòu)建戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系達成一致共識。并就雙方的合作項目進行了細致的磋商。

據(jù)悉，后續(xù)雙方簽署了正式的戰(zhàn)略合作協(xié)議后，東芯半導體將與紫光宏茂在嵌入式存儲領域封裝測試展開全面的合作。

東芯半導體總經(jīng)理王超表示，本次與紫光宏茂達成戰(zhàn)略合作，極大地豐富了公司在國內(nèi)封裝測試領域生產(chǎn)環(huán)節(jié)，保障了公司在國內(nèi)從設計、制造到封測的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。本次合作不僅能夠幫助雙方進一步提升整體運營效率、降低運營成本、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)模式，還將提升公司在存儲行業(yè)的地位，加快推動國產(chǎn)嵌入式存儲的大規(guī)模應用，加快國家存儲器戰(zhàn)略的實施。

紫光宏茂表示很高興與東芯開展合作，共同推動國內(nèi)嵌入式存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，實現(xiàn)雙贏。

關(guān)于東芯半導體

作為我國領先的嵌入式存儲芯片設計公司，東芯半導體聚焦于中小容量的NORFlash、NANDFlash芯片的設計、生產(chǎn)和銷售，并具有DRAM產(chǎn)品設計能力，是目前國內(nèi)唯一可以同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片設計公司，專注于為移動及消費類需求提供多樣化的產(chǎn)品解決方案。

東芯半導體成立于2014年11月，注冊資金約2.8億元，在中國大陸、中國香港、韓國都設有研發(fā)及分支機構(gòu)，控股股東為東方恒信。公司于2015年4月收購了韓國知名存儲芯片廠商Fidelix25.28%股權(quán)，成為其第一大股東。目前，公司已完成A輪融資，引入了中芯聚源、中金鋒泰等戰(zhàn)略股東。

產(chǎn)品方面，東芯半導體于2014年12月聯(lián)合中芯國際共同開發(fā)了24nm的NANDFlash，于2015年10月成功流片國內(nèi)首顆38nm1GSPINAND芯片，于2016年7月成功流片國內(nèi)首顆24nm4GSLCNAND芯片，于2017年9月成功流片國內(nèi)首顆38nm2GSPINAND，使得中國存儲芯片設計能力與國際先進的差距不斷縮小。

關(guān)于紫光宏茂

紫光宏茂微電子為紫光集團與南茂科技的合資公司，其于2002年起便專注于存儲器的封裝與測試，有多樣化的封測程解決方案，先進的生產(chǎn)工藝及豐富的技術(shù)團隊，具有完善的品質(zhì)體系，公司成立初期便通過汽車質(zhì)量體系認證，并擁有十余年的車規(guī)產(chǎn)品生產(chǎn)經(jīng)驗，完備的可靠性及失效分析的實驗能力。