松下和瑞薩聯(lián)手開發(fā)45nm技術

時間：2006-08-07

來源：松下電器機電（上海）有限公司

導語：松下電器產業(yè)和瑞薩科技正式宣布，兩公司共同開發(fā)的面向系統(tǒng)芯片的半導體制造技術對象擴展到45nm產品。

松下電器產業(yè)和瑞薩科技正式宣布，兩公司共同開發(fā)的面向系統(tǒng)芯片（SoC）的半導體制造技術對象擴展到45nm產品。并計劃于2007年度完成此項技術開發(fā)，于2008年度開始量產。 　　兩公司自2005年10月起共同開發(fā)45nm技術，在業(yè)界率先采用了開口率（NA）為1以上的ArF液浸掃描儀。此外，兩公司正在推進向晶體管施加局部應力以提高電流驅動能力的“變形導入高遷移率晶體管”技術，及比介電率為2.4的多層布線模塊的開發(fā)。除了結構模塊的技術，雙方還一攬子開發(fā)所有的晶圓工藝，即所謂的全集成（Full Integration），并已經進入了正式的生產技術開發(fā)階段。 　　松下電器和瑞薩科技已經共同開發(fā)了130nm制造工藝的DRAM混載技術、90nm制造工藝的SoC技術、90nm制造工藝的DRAM混載技術、65nm制造工藝的SoC技術。此次是雙方繼上述成果之后的進一步合作。
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