【中國傳動網(wǎng) 行業(yè)動態(tài)】 眾所周知，半導(dǎo)體是1960年隨著集成電路的誕生而興起的，集成電路設(shè)計技術(shù)遵循摩爾定律，大約每10年都會有一次方法學(xué)上的突破。二十世紀(jì)70年代開始出現(xiàn)了版圖輸入（LE）技術(shù)，到二十世紀(jì)80年代采用布局布線（P＆R）技術(shù)，然后到二十世紀(jì)90年代的綜合（Synthesis）技術(shù)，直至目前的SoC設(shè)計技術(shù)，每次技術(shù)突破都帶來了設(shè)計效率上的飛躍。

近幾年，集成電路帶動VLSI行業(yè)在摩爾定律的“指導(dǎo)”下快速發(fā)展。（摩爾定律，即集成在芯片上的晶體管數(shù)量大約每兩年增加一倍。）

與此同時，集成電路在發(fā)展的同時，其局限和缺陷被不斷顯現(xiàn)擴(kuò)大，工藝水平也越來越受到半導(dǎo)體器件的物理限制，從而帶來了許多新的器件結(jié)構(gòu)、新工藝和新材料的極限，它不僅使得集成電路的特征尺寸減少，同時也使工作時鐘頻率升高，設(shè)計復(fù)雜度變高，電源電壓降低，功耗變大，而且很多過去可以不關(guān)心的寄生效應(yīng)和參數(shù)等已經(jīng)成為現(xiàn)代設(shè)計中必須處理的因素。

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展，集成電路特征尺寸的不斷縮小，晶體管尺寸也隨之縮小，VLSI行業(yè)不斷改進(jìn)晶體管的結(jié)構(gòu)、材料、制造技術(shù)以及設(shè)計IC的工具。

如今，物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能和互聯(lián)網(wǎng)流量的需求呈指數(shù)增長，這也給晶體管縮小到7nm節(jié)點(diǎn)帶來了機(jī)遇，以此獲得更高性能的驅(qū)動力。然而，縮小晶體管尺寸卻存在若干挑戰(zhàn)。

高性能處理器中CMOS晶體管縮小尺寸存在技術(shù)局限

每次縮小晶體管尺寸時，都會生成一個新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。所以我們已經(jīng)看到了如28nm，16nm等的晶體管尺寸。毫無疑問，縮小晶體管可以實現(xiàn)更快的開關(guān)、更高的密度、更低的功耗，更低的每晶體管成本以及更多的其他增益。

在現(xiàn)代的按比例縮小基于CMOS的晶體管技術(shù)中，基于CMOS的晶體管可以在28nm節(jié)點(diǎn)上運(yùn)行良好。然而，如果將CMOS晶體管縮小到28nm以下，則短溝道效應(yīng)變得不可控制，在該節(jié)點(diǎn)下，由drain－source電源產(chǎn)生的水平電場試圖控制通道。最終導(dǎo)致柵極不能控制遠(yuǎn)離它的漏電路徑。

而CMOS晶體管對N溝MOSFET柵材料的選擇是n＋多晶硅，而P溝MOSFET是P＋多晶硅。隨著器件按比例縮小，柵的電阻增加到開始在寬的器件驅(qū)動大的互聯(lián)線能力中引起顯著地延遲，柵電阻隨器件尺寸的減小而增加，這是因為柵長變得越來越短，并且由于邊緣效應(yīng)，窄的柵線條比寬的柵線條的方塊電阻高。并且在氧化層之間有不可忽略的柵電壓降，這個現(xiàn)象也就是大家俗稱的“多晶硅耗盡”，器件制造中摻雜劑從柵向溝道的擴(kuò)散，最終會影響器件的性能。

FinFET和SOI晶體管面臨的主要挑戰(zhàn)是復(fù)雜的制造工藝

VLSI工業(yè)已采用FinFET和SOI晶體管用于16nm和7nm節(jié)點(diǎn)，因為這兩種結(jié)構(gòu)都能夠防止這些節(jié)點(diǎn)的漏電問題。這兩種結(jié)構(gòu)的主要目標(biāo)是最大化柵極到溝道的電容并最大限度地減小漏極到溝道的電容。在兩個晶體管結(jié)構(gòu)中，引入溝道厚度縮放作為新的縮放參數(shù)。隨著溝道厚度減小，沒有路徑，因為它已經(jīng)遠(yuǎn)離了柵極區(qū)域離。因此，柵極對通道具有良好的控制，這就消除了短通道效應(yīng)。

在絕緣體上SOI晶體管中，由于BOX層，漏—源寄生結(jié)電容減小，可以帶來更快的切換。但對SOI晶體管來說，它們面對的主要挑戰(zhàn)是難以在芯片上制造薄硅層。

隨著表面粗糙度散射增加，同時減小“硅體”厚度，這將會帶來較低的遷移率。這主要因為FinFET是3D結(jié)構(gòu)，所以降低了散熱方面效率。如果進(jìn)一步縮小FinFET晶體管尺寸，比如低于7nm，則漏電問題再次出現(xiàn)。再加上如自加熱和閾值平坦化等諸多問題也會被考慮進(jìn)來，這就推動研究其他可能的晶體管結(jié)構(gòu)，并用新的有效材料替換現(xiàn)有材料的進(jìn)程。

晶體管技術(shù)路線圖

按照最新的國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖，下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)分別為5nm，3nm，2．5nm和1．5nm。在VLSI行業(yè)和學(xué)術(shù)界，也正在進(jìn)行許多不同類型的研究和研究，以尋找滿足這些未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)要求的潛在解決方案。其中包括了碳納米管FET、GAA晶體管結(jié)構(gòu)和化合物半導(dǎo)體等用于未來節(jié)點(diǎn)的技術(shù)。

1、CNTFET－碳納米管FET：

CNTFET是一個場效應(yīng)晶體管，使用半導(dǎo)體CNT作為兩個金屬電極之間的溝道材料，這就形成了源極和漏極接觸。

CNTFET的制造是一項非常具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)，在商用CNFET技術(shù)的路線圖上，首先接觸電阻方面，晶體管尺寸減小而帶來的接觸電阻的增加是他們面對的主要性能問題，由于晶體管的按比例縮小，接觸電阻顯著增加，這就帶來晶體管性能下降。其次碳納米管的合成上，由于只有半導(dǎo)體元件有資格成為晶體管，因此需要發(fā)明新的工程方法，在將金屬管與半導(dǎo)體管分離時獲得明顯更好的結(jié)果。最后在開發(fā)非光刻工藝，將數(shù)十億個這些納米管放置在芯片的特定位置上，這構(gòu)成了極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。

2、化合物半導(dǎo)體

繼續(xù)晶體管微縮的另一種有希望的方法是選擇表現(xiàn)出更高載流子遷移率的新型材料，而擁有來自III、V族成分的化合物半導(dǎo)體與硅相比，明顯擁有更高的遷移率。根據(jù)各種研究，化合物半導(dǎo)體與FinFET和GAAFET的集成在更小的節(jié)點(diǎn)處表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。

化合物半導(dǎo)體的主要問題是硅和III－V半導(dǎo)體之間的大的晶格失配，導(dǎo)致晶體管溝道的缺陷。

有一家公司開發(fā)了一種含有V形溝槽的FinFET進(jìn)入硅襯底。這些溝槽充滿銦鎵砷并形成晶體管的鰭片。溝槽底部填充磷化銦以減少漏電流。利用這種溝槽結(jié)構(gòu)，已經(jīng)觀察到缺陷在溝槽壁處終止，從而能夠降低溝道中的缺陷。

結(jié)論

綜上所述，縮小晶體管節(jié)點(diǎn)，除了減小通道效應(yīng)和設(shè)備能源泄漏之外，其它的問題也須解決。隨著電場線間距越來越窄，源和漏極系統(tǒng)越來越小，晶體管的通道電阻也將增大，這將增加能耗并降低產(chǎn)品性能。隨著更多的晶體管采用更高的工作頻率，集成電路能耗也將增加。晶體管在制造過程中所能承受的發(fā)熱量將減小，這使得對其添加摻雜保護(hù)涂層的工作難度變得越來越大，控制電流泄漏是相當(dāng)重要的，其次產(chǎn)品可制造性問題也值得注意，雖然從22nm節(jié)點(diǎn)到7nm節(jié)點(diǎn)，F(xiàn)inFET已被證明是成功的，并且它還可以繼續(xù)縮小到另一個節(jié)點(diǎn)。但還存在各種挑戰(zhàn)，如自加熱，遷移率降低，閾值平坦等，因此在未來的晶體管技術(shù)中，必須改變現(xiàn)有的材料、結(jié)構(gòu)、EUV光刻工藝和封裝，才能繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。