存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)需求隨摩爾定律放緩,價(jià)格持續(xù)上漲

時(shí)間:2018-10-30

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):有消息顯示,芯片市場(chǎng)目前已開(kāi)始喪失部分動(dòng)能,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)的高端閃存芯片的價(jià)格在2017年第四季度下跌了近5%,NAND閃存價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌。

【中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng) 行業(yè)動(dòng)態(tài)】 有消息顯示,芯片市場(chǎng)目前已開(kāi)始喪失部分動(dòng)能,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)的高端閃存芯片的價(jià)格在2017年第四季度下跌了近5%,NAND閃存價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌。

2018年內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)居高不下,有報(bào)告顯示,2018年第三季度和第四季度NAND閃存的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)將下降10%,其主要原因是因?yàn)槭袌?chǎng)需求不足,尤其是智能手機(jī)旺季卻被滯銷,再加上最近英特爾14nm產(chǎn)能不足的消息,導(dǎo)致了PC市場(chǎng)需求雪上加霜。

三大存儲(chǔ)器的價(jià)格大幅上漲

2017年,存儲(chǔ)器銷售額為歷年來(lái)最高點(diǎn),超過(guò)1200億美元,占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總值的30.1%。其主要原因,是DRAM和NANDFlash從2016年下半年起缺貨,從而引發(fā)的漲價(jià)。

1、DRAM平均售價(jià)同比上漲77%,銷售總值達(dá)720億美元,同比增長(zhǎng)74%。

2、NANDFlash平均售價(jià)同比上漲38%,銷售總額達(dá)498億美元,同比增長(zhǎng)44%。

3、NORFlash銷售總額為43億美元。

由此看出,三大存儲(chǔ)器的價(jià)格大幅上漲導(dǎo)致全球存儲(chǔ)器總體市場(chǎng)增長(zhǎng)58%,存儲(chǔ)器也首次超越歷年占比最大的邏輯電路,成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額占比最高的分支,在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)極為重要的地位。

存儲(chǔ)器市場(chǎng)的景氣大幅度攀升

受惠于全球智能手機(jī)出貨量的增長(zhǎng)以及電子信息設(shè)備內(nèi)存搭載量的不斷攀升,從2016年下半年起,全球存儲(chǔ)器市場(chǎng):DRAM和NAND閃存等,結(jié)束了連續(xù)18個(gè)月的低迷景象,無(wú)論是存儲(chǔ)器的出貨量還是銷售價(jià)格,都出現(xiàn)了大幅度的提升。據(jù)多家市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)調(diào)查分析,這一輪存儲(chǔ)器市場(chǎng)的景氣延續(xù)至2017年和2018年上半年。

2016年全球DRAM的銷售規(guī)模為454億美元;而Flash的銷售規(guī)模為319億美元,其中NANDFlash為312億美元,NORFlash僅為7億美元左右。全球存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模為773億美元,比2015年減少7.3%。初步統(tǒng)計(jì)2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到853億美元,較2016年增長(zhǎng)10.3%。到2021年可望擴(kuò)大至1099億美元,2016~2021年年均增長(zhǎng)率將達(dá)7.3%。

與此同時(shí),存儲(chǔ)器的制造技術(shù)也顯著提升,全球三大DRAM廠商的制程技術(shù)從2Xnm推進(jìn)到1Xnm,3DNAND閃存從48層提升至64層,ReRAM和MRAM越來(lái)越顯示出它們的應(yīng)用前景。

存儲(chǔ)器產(chǎn)能有限,量?jī)r(jià)齊增

目前,三星、SK海力士?jī)纱箜n系廠商在擴(kuò)產(chǎn)腳步上是猛踩油門(mén),包括三星在韓國(guó)平澤的P1廠房和Line15生產(chǎn)線,以及SK海力士的M14生產(chǎn)線,與此同時(shí),美光在廣島的Fab15和Fab16也有DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,但產(chǎn)能的增加仍主要依靠?jī)纱箜n系廠商。

根據(jù)三家公司目前最新的建廠規(guī)模,2017年全球每季度芯片產(chǎn)能為1100K左右。到2018年,預(yù)計(jì)三星和SK海力士將會(huì)有接近20%左右的產(chǎn)能提升,美光的產(chǎn)能增量為10%,預(yù)計(jì)全球每季度芯片產(chǎn)能為1200K左右。

隨著工藝尺寸越來(lái)越小,DRAM良率無(wú)法得到有效控制,導(dǎo)致DRAM產(chǎn)能增速的放緩,與此同時(shí),EUV光刻設(shè)備年產(chǎn)能極其有限,這些問(wèn)題使得DRAM工藝節(jié)點(diǎn)突破困難重重,各廠商工藝進(jìn)度計(jì)劃也被迫一再推遲。再加上賣(mài)方主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)和新型非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的出現(xiàn),進(jìn)一步造成了全球范圍內(nèi)DRAM龍頭企業(yè)技術(shù)升級(jí)和擴(kuò)產(chǎn)意愿下降。

總的來(lái)說(shuō),DRAM擴(kuò)產(chǎn)受困于技術(shù)瓶頸和國(guó)際大廠的壟斷,2018-2020年全球bitgrowth將繼續(xù)徘徊在20%左右的歷史低位水平。但是下游終端應(yīng)用的市場(chǎng)需求將持續(xù)溫和上升,特別是終端品牌繼續(xù)向國(guó)產(chǎn)品牌集中,造成國(guó)產(chǎn)手機(jī)對(duì)于DRAM產(chǎn)品的需求出現(xiàn)區(qū)域性的增加,同時(shí)5G、云計(jì)算、IDC等將拉動(dòng)服務(wù)器應(yīng)用大幅增長(zhǎng),隨著5G商用的節(jié)點(diǎn)越來(lái)越近,將帶動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)需求的加速提升。

 

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