臺(tái)積電營(yíng)收力拼創(chuàng)紀(jì)錄,真的要挑戰(zhàn) 1 兆元

時(shí)間:2018-11-12

來(lái)源:臺(tái)積電(上海)有限公司

導(dǎo)語(yǔ):劉德音沒(méi)說(shuō)的是,臺(tái)積電今年資本支出,仍維持100億到105億美元的水平;換算成臺(tái)幣,今年將投資臺(tái)幣3,000億到3,200億元在新的制程和產(chǎn)能上,臺(tái)積電要持續(xù)大幅投資,拉開(kāi)與對(duì)手在先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)能上的差距。

【中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng) 行業(yè)動(dòng)態(tài)】 訂目標(biāo)今年?duì)I收挑戰(zhàn)1兆元

這一天,劉德音仍然低調(diào),取消了前董事長(zhǎng)張忠謀在任時(shí),每年必有的運(yùn)動(dòng)會(huì)后記者會(huì)。但站在司令臺(tái)上,他清晰明快地宣布臺(tái)積電下一個(gè)成長(zhǎng)目標(biāo):「臺(tái)積電今年?duì)I收將突破臺(tái)幣1兆元,創(chuàng)下歷史紀(jì)錄;但創(chuàng)新高還不夠,以美元計(jì)算營(yíng)收僅個(gè)位數(shù)成長(zhǎng),希望大家努力,未來(lái)幾年讓營(yíng)收、獲利接近10%的成長(zhǎng)目標(biāo)。」。

意思是,若今年?duì)I收沖上臺(tái)幣1兆元,成長(zhǎng)1成,就代表要增加1,000億元的營(yíng)收!

真能做到嗎?劉德音手指著運(yùn)動(dòng)場(chǎng)兩邊的大屏幕,「這是我們南科18廠的空照?qǐng)D,我兩個(gè)星期前才去的?!惯@里7奈米制程將投入量產(chǎn),「是不是很壯觀?」他問(wèn)現(xiàn)場(chǎng)所有臺(tái)積電員工;接著,屏幕上也秀出臺(tái)積電南京廠的現(xiàn)場(chǎng)影像,這里是中國(guó)第一座有能力量產(chǎn)16奈米制程的晶圓廠。

劉德音沒(méi)說(shuō)的是,臺(tái)積電今年資本支出,仍維持100億到105億美元的水平;換算成臺(tái)幣,今年將投資臺(tái)幣3,000億到3,200億元在新的制程和產(chǎn)能上,臺(tái)積電要持續(xù)大幅投資,拉開(kāi)與對(duì)手在先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)能上的差距。

外傳三星7奈米即將投產(chǎn),挑戰(zhàn)臺(tái)積電,在運(yùn)動(dòng)會(huì)上,劉德音氣定神閑地宣布,明年臺(tái)積電采用EUV(極紫外光技術(shù))的EUV+制程即將上線。這句話的意思是,臺(tái)積電先用成本較便宜的浸潤(rùn)式技術(shù),飽賺7奈米訂單,等對(duì)手跟進(jìn),再推出EUV版本的7奈米制程,再搶一波客戶。由于相關(guān)設(shè)備供應(yīng)極為有限,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手想在最先進(jìn)的技術(shù)超車,難上加難。

企業(yè)靠的是人,運(yùn)動(dòng)會(huì)上,劉德音身后的高階主管群,也出現(xiàn)了新的變化。

主管群悄悄出現(xiàn)新變化

在運(yùn)動(dòng)會(huì)主舞臺(tái)上,臺(tái)積電的核心主管一字排開(kāi),劉德音左手邊,除了臺(tái)積電副董事長(zhǎng)曾繁城,還有研發(fā)部門最資深的主管、資深副總經(jīng)理羅唯仁,以及主管營(yíng)運(yùn)的資深副總經(jīng)理秦永沛;右手邊則坐著研究發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰,他是臺(tái)積電先進(jìn)制程領(lǐng)域的大將,身材高大,一眼就能認(rèn)出來(lái)。

劉德音上任后,他重視技術(shù)的策略已經(jīng)反映在人事升遷上,過(guò)去8個(gè)月,臺(tái)積電就增加了4位副總經(jīng)理,全和技術(shù)有關(guān)。

今年初時(shí),臺(tái)積電召開(kāi)董事會(huì),將12B廠資深廠長(zhǎng)暨臺(tái)積科技院士張宗生、3奈米平臺(tái)研發(fā)資深處長(zhǎng)吳顯揚(yáng)、Pathfinding(先導(dǎo))處資深處長(zhǎng)曹敏升任副總經(jīng)理。8月14日,臺(tái)積電再公告,董事會(huì)核準(zhǔn)聘任黃漢森為研究發(fā)展/技術(shù)研究副總經(jīng)理,直接對(duì)資深副總經(jīng)理米玉杰負(fù)責(zé)。

張宗生是清華大學(xué)培訓(xùn)出來(lái)的本土博士,在臺(tái)積電資歷長(zhǎng)達(dá)24年,1995年加入臺(tái)積電后,參與1廠、4廠、8廠、12廠及14廠的開(kāi)發(fā),現(xiàn)在是12B廠資深廠長(zhǎng),他也是臺(tái)積科技院院士。臺(tái)積電明年春天讓5奈米進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),就將由張宗生主持的12B廠負(fù)責(zé)量產(chǎn)。

另一位副總經(jīng)理吳顯揚(yáng),也是老臺(tái)積人,1996年加入臺(tái)積電研發(fā)團(tuán)隊(duì)后,從事0.13微米、90奈米、65奈米、28奈米、16奈米及7奈米制程的先進(jìn)CMOS(互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)開(kāi)發(fā),現(xiàn)在負(fù)責(zé)3奈米技術(shù)開(kāi)發(fā)。他也因?yàn)樵贑MOS制程技術(shù)的成就,成為美國(guó)電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)院士。

劉德音曾推薦他獲得第33屆國(guó)家杰出經(jīng)理獎(jiǎng)。談起吳顯揚(yáng),劉德音曾公開(kāi)表示,因?yàn)閰秋@揚(yáng),臺(tái)積電在28奈米低耗電制程獲得突破,「奠定28奈米其他制程基礎(chǔ)」,讓臺(tái)積電28奈米全球市占率高達(dá)7成;在16奈米開(kāi)發(fā)上,也讓臺(tái)積電成為全世界第一個(gè)在16奈米制程開(kāi)發(fā)出鰭式場(chǎng)效電晶體的公司。劉德音出任董事長(zhǎng)后,吳顯揚(yáng)升為副總,負(fù)責(zé)突破3奈米制程瓶頸。

另一位副總經(jīng)理曹敏,也是老臺(tái)積人,2002年加入臺(tái)積電后,參與過(guò)諸多世代先進(jìn)CMOS技術(shù)的開(kāi)發(fā)工程,他領(lǐng)導(dǎo)的研發(fā)2處約有1,400人,是全世界第一個(gè)開(kāi)發(fā)出20奈米制程技術(shù)。當(dāng)時(shí),英特爾最先進(jìn)的技術(shù)是22奈米,臺(tái)積電選擇直攻20奈米,攻關(guān)任務(wù)就由他負(fù)責(zé)。

20奈米能順利投產(chǎn)的另一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)是雙重曝光(doublepatterning)技術(shù),這也是臺(tái)積電首次采用這項(xiàng)技術(shù)。曹敏團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出智能型圖案拆解技術(shù)及創(chuàng)新的多層蝕刻保護(hù)膜,能克服光罩對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題的限制,使雙曝雙蝕刻制程達(dá)到可控制量產(chǎn)的要求。曹敏強(qiáng)調(diào),「在雙重曝光領(lǐng)域,臺(tái)積電有大量創(chuàng)新,業(yè)界只有我們能成功運(yùn)用,遙遙領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手?!?/p>

現(xiàn)在,曹敏擔(dān)任研究發(fā)展/技術(shù)發(fā)展/Pathfinding副總經(jīng)理。接下來(lái),臺(tái)積電在3奈米后,技術(shù)藍(lán)圖要如何發(fā)展,是否要用新方法提高價(jià)值,就要靠他研究。

拚研發(fā)老臣新血各有分工

外傳,臺(tái)積電同時(shí)有兩組研發(fā)人員,采用交互蹲跳的方式,研發(fā)新技術(shù),當(dāng)一組研發(fā)人員研發(fā)20奈米技術(shù),另一組則直攻16奈米,吳顯揚(yáng)和曹敏同一天升任副總經(jīng)理,似乎也印證這個(gè)布局。

劉德音不只晉用老臣,也從美國(guó)頂尖大學(xué)引進(jìn)新血。臺(tái)積電聘任的研究發(fā)展/技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森,是美國(guó)史丹佛大學(xué)電機(jī)系教授,劉德音過(guò)去談?wù)摪雽?dǎo)體未來(lái)發(fā)展時(shí),曾引用史丹佛的創(chuàng)新研究,認(rèn)為半導(dǎo)體還可以透過(guò)創(chuàng)新的工程技術(shù),在后摩爾定律時(shí)代,把晶圓像大樓一樣層層堆棧,提高效率和價(jià)值,這一次干脆到史丹佛,把人請(qǐng)到臺(tái)灣。

黃漢森擅長(zhǎng)的新形態(tài)內(nèi)存技術(shù)研究,如嵌入式隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存技術(shù)eMRAM、嵌入式電阻式內(nèi)存技術(shù)eRRAM、eFlash技術(shù)等,也皆是臺(tái)積電、三星等半導(dǎo)體大廠正在積極研究的技術(shù)領(lǐng)域,看得出新型內(nèi)存是未來(lái)臺(tái)積電最在意的技術(shù)之一。

這些關(guān)鍵人才,將是劉德音未來(lái)數(shù)年要帶領(lǐng)臺(tái)積電增加1,000億元營(yíng)收的關(guān)鍵人物。今年開(kāi)始,劉德音的布局將逐漸浮現(xiàn)。

10月23日,臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀接受「新竹IC之音」專訪,談到臺(tái)灣半導(dǎo)體的未來(lái),完全要靠未來(lái)的努力,才能維持領(lǐng)先的地位。這句話同樣適用在臺(tái)積電身上,劉德音能否突破1,000億元成長(zhǎng)的挑戰(zhàn),將會(huì)是關(guān)鍵。

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