【中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng) 市場(chǎng)分析】 三星的最近兩年資本支出為468億美元，幾乎與英特爾和臺(tái)積電近兩年合起來(lái)的484億美元資本支出一致。

ICInsights在本月早些時(shí)候發(fā)布的2018年11月更新版McCleanReports2018中，修正了對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)總資本支出的預(yù)測(cè)，并公布了對(duì)單個(gè)公司半導(dǎo)體資本支出的預(yù)測(cè)。

預(yù)計(jì)三星將在2018年再次擁有所有IC供應(yīng)商的最大資本支出預(yù)算。在2017年為半導(dǎo)體資本支出投入242億美元后，ICInsights預(yù)測(cè)三星的支出將略微下滑，但今年仍將保持在的226億美元的強(qiáng)勁水平。如果達(dá)到這個(gè)數(shù)額，三星的兩年半導(dǎo)體資本支出將達(dá)到驚人的468億美元。

如圖所示，從2010年開(kāi)始，三星的半導(dǎo)體資本支出就超過(guò)了100億美元。到2016年為止，平均每年為120億美元。然而，繼2016年支出僅113億美元后，三星2017年的半導(dǎo)體資本支出預(yù)算增加了一倍以上，達(dá)到了驚人的242億美元。今年也繼續(xù)保持著令人驚嘆的資本支出。

ICInsights認(rèn)為，三星近兩年的大規(guī)模支出將在未來(lái)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。已經(jīng)造成的影響是3DNAND閃存市場(chǎng)的產(chǎn)能過(guò)剩。這種產(chǎn)能過(guò)剩的情況不僅歸因于三星對(duì)3DNAND閃存的巨額支出，還來(lái)自競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手（例如SK海力士，美光，東芝，英特爾等）的資本投入，這些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手試圖跟上這個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的步伐。

隨著DRAM和NAND閃存市場(chǎng)在2018年前三季度出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，SK海力士今年的資本支出也增加。在今年第一季度，SK海力士曾表示，計(jì)劃今年將其資本支出增加“至少30％”。在11月的更新中，ICInsights則預(yù)測(cè)SK海力士的半導(dǎo)體資本支出將增長(zhǎng)58％。

SK海力士今年增加的資本支出主要集中在兩個(gè)大型內(nèi)存晶圓廠，韓國(guó)清州的3DNAND閃存晶圓廠，以及中國(guó)無(wú)錫大型DRAM晶圓廠的擴(kuò)建。清州工廠將在今年年底完工，無(wú)錫工廠也比原始的2019年初開(kāi)始日期提早幾個(gè)月，將在今年年底完成，

ICInsights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體行業(yè)的資本支出總額將增長(zhǎng)15％至1071億美元，這是半導(dǎo)體行業(yè)首次實(shí)現(xiàn)年度行業(yè)資本支出超過(guò)1000億美元。繼今年全行業(yè)增長(zhǎng)之后，預(yù)計(jì)2019年的半導(dǎo)體資本支出將下降12％。

鑒于目前內(nèi)存市場(chǎng)的疲軟預(yù)計(jì)至少會(huì)延續(xù)到明年上半年，2019年，三大內(nèi)存供應(yīng)商三星、SK海力士和美光的總資本支出預(yù)計(jì)將從今年的454億美元下降至375億美元，降幅達(dá)到了17％。

總體而言，預(yù)計(jì)今年占半導(dǎo)體行業(yè)總支出的66％的前五大IC供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2019年削減14％的資本支出，而其余的半導(dǎo)體行業(yè)公司將下降7％。