依賴能量收集的物聯(lián)網芯片可以使用低功率繼電器進行計算。專家們夢想有一天，大部分物聯(lián)網器件都可以實現(xiàn)自給自足。但是，大多數(shù)原型系統(tǒng)通過從環(huán)境熱量、光、無線電波甚至細菌代謝等環(huán)境中收集的能量，并不能提供足夠的電壓來驅動晶體管。一種可能的解決方案，是拋棄晶體管，轉而采用微/納米級機械開關。

根據(jù)近日在IEEE國際電子元件會議（InternationalElectronDeviceMeeting）上提出的一項研究，納機電系統(tǒng)（NEMS）繼電器可以僅使用50毫伏的電壓實現(xiàn)切換，這大約是處理器上晶體管所需要的1/15。

據(jù)麥姆斯咨詢報道，美國加州大學伯克利分校的IEEEFellow劉金（Tsu-JaeKingLiu）實驗室的研究生AliceYe解釋稱，一種被稱為亞閾值斜率的CMOS晶體管固有屬性，其值愈小，器件的開關（即在導通態(tài)和截止態(tài)之間的轉換）速度就愈快，限定了開啟晶體管的電壓下限。但隨著制造商越來越接近這一限制，完全關閉晶體管變得更加困難。也就是說，即使當晶體管關閉時，電流也會在它們之間泄漏，從而浪費電能。

“理想的器件是幾乎沒有關閉狀態(tài)的電流泄漏，以及零亞閾值擺動，”Ye說。而這正是NEMS繼電器可以提供的理想性能。

Ye的研究展示了比以往更接近理想要求的繼電器。繼電器基本上是由彈簧懸置的薄片方形平臺。施加到平臺上的電壓拉動平臺向下運動，實現(xiàn)兩組電極接觸，從而導通電流。移除電壓，彈簧回彈，斷開連接。

劉金的實驗室十多年來一直在研究NEMS繼電器，其早期研究較少關注低電壓運行。但在過去的幾年里，他們一直致力于盡可能低地降低電源電壓。其研究涉及兩項創(chuàng)新。第一個是“bias”NEMS本體。也就是說，它們在器件下方設置了穩(wěn)定、不變的電壓。設置此偏置電壓后，繼電器觸點結合需要的電壓會降低很多。

第二項創(chuàng)新與觸點有關。一旦柵極結合觸點，金屬和金屬的接觸需要一些額外的力來打破。在實踐中，這意味著以200毫伏開啟的繼電器，可能需要將電壓降至100毫伏才會關斷。為了減少這種稱為遲滯電壓的差異，劉金的團隊首先重新設計了開關，將四對觸點改為兩對觸點。他們還在制造過程中增加了一個步驟，用單分子厚的潤滑劑層涂覆表面。“涂層與特氟龍相似，因此它的附著力非常低，”Ye說。

這些創(chuàng)新的結合，將遲滯電壓降低到了可接受的水平，不過，需要付出一定的成本。因為觸點潤滑劑層間的擠壓，該器件現(xiàn)在不會急劇地接通斷開，而是具有輕微的亞閾值擺動。即便如此，最終的器件可以在50毫伏下工作，并可以組合成幾種類型的邏輯門。

繼電器適用于與CMOS晶體管不同的邏輯形式，稱為“pass-gatelogic”，它需要更少的器件來實現(xiàn)相同的輸出。使用早期版本的器件，他們構建了包括一個32位加法器的多門系統(tǒng)?！拔覀冎牢覀兛梢允惯@些更復雜，”劉金說。

據(jù)劉金介紹，除了極低的電壓要求外，NEMS繼電器制成的電路還具有其他優(yōu)勢。首先，它們的開關特性相比硅系統(tǒng)，能夠在更寬的溫度范圍內保持穩(wěn)定。此外，它們本身也具有耐受輻射的能力。

劉金的團隊接下來將進一步使繼電器的工作電壓降低到10毫伏。劉金說他們對這個目標非常樂觀。他們還在研究將繼電器集成到標準CMOS芯片中。為此，他們設計了可以垂直構建的繼電器，以適應現(xiàn)代處理器中堆疊在硅片上方的多層互連。這種混合系統(tǒng)可以連續(xù)地以低水平運行，然后在設定的事件觸發(fā)時與主處理器接合。