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真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性

時間:2018-12-27

來源:網絡轉載

導語:數(shù)字世界之所以存在,是因為我們可以輕松地創(chuàng)建、交換、存儲、檢索和操作二進制信息。如果電子產品仍然完全依賴模擬數(shù)據(jù),那就不那么先進了;行業(yè)還沒有創(chuàng)造一種方法來可靠地存儲原始形式的模擬數(shù)據(jù),

數(shù)字世界之所以存在,是因為我們可以輕松地創(chuàng)建、交換、存儲、檢索和操作二進制信息。如果電子產品仍然完全依賴模擬數(shù)據(jù),那就不那么先進了;行業(yè)還沒有創(chuàng)造一種方法來可靠地存儲原始形式的模擬數(shù)據(jù),至少沒有一種能夠與數(shù)字存儲的密度和耐久性相當?shù)姆绞?,而且在未來也不太可能在這個方向上投入太多的精力。雖然這需要將信息在數(shù)字和模擬間相互轉換,但數(shù)字數(shù)據(jù)的可重復性使得這負擔很小。

從根本上講,數(shù)字存儲數(shù)據(jù)所采用的技術具有一個可分解的誤差幅度。在半導體中,這通常涉及存儲必須在相對較大的窗口內的電荷;電路檢測電荷,并且每個邏輯電平的預定義上限和下限內的任何內容都被譯為邏輯0或邏輯1。正是由于電荷存儲的變化,使得模擬值難以準確存儲。

對于可擦除的、非易失性的存儲,業(yè)界已經在兩項技術上進行了標準化:Flash和EEPROM。在某些方面,EEPROM被視為過時的方案,但它在一些具有特定需求的應用中提供顯著的優(yōu)勢。隨著我們向前邁進,很明顯,這些優(yōu)勢正越來越適用于未來的技術。

汽車制造

RearDimmingLight(RDL):調光尾燈(RDL)

AntiLockBraking/ActiveSuspension:防抱死系統(tǒng)/主動懸架

SPI/I2CEEPROM:串行外設接口(SPI)/I2CEEPROM

PowerDoorsKeylessEntry:電動車門無匙進入

ElectronicPowerSteering(PAS):電動助力轉向(PAS)

Gasoline/DieselDirectInjection/HybridEco-converter/Transmission:汽油/柴油直噴/油電混合動力轉換器/變速箱

AutoGrade1EEPROM:汽車1級EEPROM

Sidevidecamera:側視攝像機

ADAS:先進駕駛輔助系統(tǒng)

BluetoothAntenna:藍牙天線

EngineControlUnit:發(fā)動機控制單元

HVAC:汽車空調

Infotainment/Navigation:信息娛樂/導航

RearViewMirror:后視鏡

Backupdisplay:倒車顯示

BodyControlModule:車身控制模塊

RearCamera:后視攝像機

圖1:EEPROM支持現(xiàn)代汽車中廣泛的功能

制造記憶

Flash內存的主導地位在很大程度上要歸功于消費領域的多媒體應用,這是非常適合的。該應用的主要要求是密度、性能和成本,F(xiàn)lash技術非常善于平衡以滿足市場需求。例如,具有32Gbit密度的NORFlash器件采用8引腳SMD封裝,這似乎滿足了許多應用需求。但與EEPROM相比,F(xiàn)lash技術也存在一些缺點。

首先,EEPROM被認為比Flash更耐用,或讀寫次數(shù)更多。數(shù)據(jù)保存也很重要,在這方面,EEPROM也很出色。在消費應用中,耐用性和保存能力都不太重要,因為消費者是Flash內存使用方式的主要決定因素。在其他行業(yè),內存的使用方式大不相同,更高的耐用性和保存能力比密度和速度更重要,而這正是EEPROM技術可超越Flash的地方。

這種強固性通常以性能為代價;Flash傾向于比EEPROM更高的速度運行(讀、寫),但這也伴隨著訪問部分內存的方式的條件。通常,F(xiàn)lash內存以塊的形式尋址,而EEPROM通常可以每字節(jié)的方式訪問。

所有這些特性在許多應用領域都很重要,包括工業(yè)、醫(yī)療和汽車領域。事實上,當數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時,EEPROM將是首選。

汽車制造

圖2:在汽車應用中,EEPROM比Flash有更多優(yōu)勢

在汽車應用中使用EEPROM的原因

汽車市場對所有電子元器件的一個基本要求是符合汽車電子協(xié)會(通常縮寫為AECQ)制定的標準。這些標準涵蓋了應力測試的許多方面,尤其是工作溫度范圍。對于大多數(shù)用于汽車應用的半導體器件,特別是如果它們位于發(fā)動機艙內,最低要求是汽車1級。這表明,器件在-40°C至125°C的環(huán)境工作溫度范圍內應正常工作而不發(fā)生故障。閃存的制造商通常達到汽車3級(-40°C至85°C)或2級(-40°C至105°C),而很少有符合汽車1級標準的。

由于使用的半導體工藝,EEPROM更適合在更寬的溫度范圍內可靠地工作,如安森美半導體的NV250x0LV,不僅滿足1級溫度要求,而且還可以在1.7V的電源電壓下(這比其他EEPROM器件要低得多)工作。由于汽車市場新興的趨勢,這一點很重要。

此外,安森美半導體成功地開發(fā)了行業(yè)唯一的EEPROM,以滿足定義為汽車0級的環(huán)境工作溫度范圍:-40°C至150°C。這一點具有重要意義,因為其他參數(shù)被定義的方式。

汽車制造

圖3:0級和1級EEPROM正在啟用新的功能

汽車應用的新趨勢

如上所述,NV25080(8Kbit)、NV25160(16Kbit)、NV25320(32Kbit)和NV2564(64Kbit)是當今行業(yè)唯一真正的汽車0級串行EEPROM,這一點非常重要,因為汽車市場新興的趨勢。

制造商現(xiàn)在使用EEPROM來存儲配置和校準數(shù)據(jù),以滿足更廣泛的駕駛功能。隨著汽車更自動化,這些功能在發(fā)展且更為安全至上。對于安全至上的應用,符合汽車1級是不夠的,制造商需要真正的汽車0級器件。安森美半導體的汽車0級EEPROM已被開發(fā),以提供高水平的耐用性和保存能力,這是相輔相成的,和依賴于基礎的工藝技術。通過開發(fā)一個提供真正的汽車0級的工藝,EEPROM能夠提供400萬次讀/寫周期的耐用性,保存200年。這些數(shù)字在25℃的環(huán)境溫度下獨立測試,在150℃時,0級非易失性(NV)系列仍提供30萬次讀/寫周期,保存時間200年。沒有其他半導體制造商發(fā)布的數(shù)據(jù)與這種耐用性和數(shù)據(jù)保存水平相匹配。

如前所述,許多汽車應用現(xiàn)在使用EEPROM存儲少量的關鍵數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)在正常運行期間可能會被多次覆蓋。它還被用于存儲諸如傳輸控制單元和發(fā)動機控制單元等應用中的固件,以及前照燈單元的數(shù)據(jù)校準。為了進一步提高可靠性,安森美半導體的NVEEPROM還具有糾錯碼,可檢測單比特故障,并校正1字節(jié)數(shù)據(jù)中的1位。

顯然,高水平的耐用性正越來越重要,但同樣重要的是要認識到,許多這些新特性必須適用于現(xiàn)有的方案,因此尺寸和功率也是一個因素。安森美半導體的汽車EEPROM系列采用小外形封裝,包括UDFN-8和CSP,以及SOIC-8和TSSOP-8。其中許多封裝裝還支持可潤濕側翼,支持在生產流程中進行自動光學檢查。

總結

在汽車應用中,耐久性和保存能力越來越重要,EEPROM比其他形式的非易失性存儲器提供更高的可靠性。隨著汽車制造商實施更多的駕駛員輔助功能和開發(fā)安全至上的要素,提供高度可靠的EEPROM正在成為支持下一代功能的基礎。

憑借一系列廣泛的方案,包括低壓1級和真正的0級EEPROM,安森美半導體完全能夠滿足原始設備制造商(OEM)和一級供應商的需求。

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