國產刻蝕機很棒,但造芯片只是“配角”

時間:2019-02-16

來源:網絡轉載

導語:近來有網絡媒體稱,“中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米芯片制程生產線”,并評論說“中國芯片生產技術終于突破歐美封鎖,第一次占領世界制高點”“中國彎道超車”等等。

近來有網絡媒體稱,“中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米芯片制程生產線”,并評論說“中國芯片生產技術終于突破歐美封鎖,第一次占領世界制高點”“中國彎道超車”等等。

國產刻蝕機,芯片

中微公司的刻蝕機的確水平一流,但夸大闡述其戰(zhàn)略意義,則被相關專家反對??涛g只是芯片制造多個環(huán)節(jié)之一??涛g機也不是對華禁售的設備,在這個意義上不算“卡脖子”。

首先,外行容易混淆“光刻機”和“刻蝕機”。光刻機相當于畫匠,刻蝕機是雕工。前者投影在硅片上一張精細的電路圖(就像照相機讓膠卷感光),后者按這張圖去刻線(就像刻印章一樣,腐蝕和去除不需要的部分)。

光刻機是芯片制造中用到的最金貴的機器,要達到5納米曝光精度難比登天,ASML公司一家通吃高端光刻機;而刻蝕機沒那么難,中微的競爭對手還有應用材料、泛林、東京電子等等,國外巨頭體量優(yōu)勢明顯。

“中微的等離子刻蝕機這幾年進步確實不小,”科技日報記者采訪的一位從事離子刻蝕的專家說,“但現在的刻蝕機精度已遠超光刻機的曝光精度;芯片制程上,刻蝕精度已不再是最大的難題,更難的是保證在大面積晶圓上的刻蝕一致性。”

該專家解釋說,難在如何讓電場能量和刻蝕氣體都均勻地分布在被刻蝕基體表面上,以保證等離子中的有效基元,在晶片表面的每一個位置實現相同的刻蝕效果,為此需要綜合材料學、流體力學、電磁學和真空等離子體學的知識。

該專家說:“刻蝕機更合理的結構設計和材料選擇,可保證電場的均勻分布。刻蝕氣體的饋入方式也是關鍵之一。據我所知,中微尹志堯博士的團隊在氣體噴淋盤上下過不少的功夫。另外包括功率電源、真空系統(tǒng)、刻蝕溫度控制等,都影響刻蝕結果?!?/span>

另外,該專家也指出,刻蝕機技術類型很多,中微和他們的技術原理就有很大區(qū)別,至于更詳細的技術細節(jié),是每個廠家的核心機密。順便一提:刻蝕分濕法(古代人就懂得用強酸去刻蝕金屬,現代工

藝用氟化氫刻蝕二氧化硅)和干法(如用真空中的氬等離子體去加工硅片)?!皾穹ǔ霈F較早,一般用在低端產品上。干法一般是能量束刻蝕,離子束、電子束、激光束等等,精度高,無污染殘留,芯片制造用的就是等離子刻蝕。”該專家稱。

上述專家稱贊說,尹博士以及中微的核心技術團隊,基本都是從國際知名半導體設備大廠出來的,尹博士原來就在國外獲得了諸多的技術成就。中微不斷提高改進,逐步在芯片刻蝕機領域保持了與國外幾乎同步的技術水平。

在IC業(yè)界工作多年的電子工程師張光華告訴科技日報記者:“一兩年前網上就有中微研制5納米刻蝕機的報道。如果能在臺積電應用,的確說明中微達到世界領先水平。但說中國芯片‘彎道超車’就是夸大其詞了?!?/span>

“硅片從設計到制造到封測,流程復雜??涛g是制造環(huán)節(jié)的工序之一,還有造晶棒、切割晶圓、涂膜、光刻、摻雜、測試等等,都需要復雜的技術。中國在大部分工序上落后?!睆埞馊A說,“而且,中微只是給臺積電這樣的制造企業(yè)提供設備,產值比臺積電差幾個數量級?!?/span>

科技日報記者發(fā)現,2017年開始網絡上經常熱炒“5納米刻蝕機”,而中微公司一再抗議媒體給他們“戴高帽”。

“不要老把產業(yè)的發(fā)展提高到政治高度,更不要讓一些新聞人和媒體搞吸引眼球的不實報導?!币緢?018年表示,“對我和中微的夸大宣傳搞得我們很被動……過一些時候,又改頭換面登出來,實在讓我們頭痛?!?/span>

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