Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術(shù)亮相APEC2019

時(shí)間:2019-03-13

來源:VISHAY 威世電子

導(dǎo)語:2019年3月12日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim,California)舉行的2019年國(guó)際應(yīng)用電力電子展會(huì)(APEC)上展示其強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。

2019年3月12日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim,California)舉行的2019年國(guó)際應(yīng)用電力電子展會(huì)(APEC)上展示其強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺(tái),將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術(shù)。

在APEC2019上展示的VishaySiliconix電源IC包括SiC9xxmicroBRICK?系列高效率DC/DC升壓穩(wěn)壓器。這款業(yè)內(nèi)占位面積最小的器件采用集成磁芯,結(jié)合可靠設(shè)計(jì)與易用性為通信、工業(yè)和服務(wù)器應(yīng)用提供高性價(jià)比解決方案。同時(shí),展示80ASiC8xxVRPower?智能功率級(jí)。利用Vishay最新25V和30VtrenchMOSFET,器件峰值效率達(dá)95%,精度高達(dá)±3%。

展出的VishaySiliconix功率MOSFET采用各種先進(jìn)封裝,顯著提升電源效率和功率密度。器件展品包括第四代600VE系列功率MOSFET,該系列器件極低的導(dǎo)通阻抗從23mW到1450mW,用于功率因數(shù)校正(PFC)和硬開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)?,可?shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最優(yōu)品質(zhì)因素FOM(即柵級(jí)電荷與導(dǎo)通電阻乘積)。在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、小型太陽能逆變器和可穿戴設(shè)備方面,展出的低壓TrenchFET?第四代器件導(dǎo)通電阻低至0.58mW,具有業(yè)內(nèi)最低QOSS與導(dǎo)通電阻乘積FOM。

展出的VishaySemiconductors二極管包括用于PFC和輸出整流級(jí)的新型FREDPt?第五代1200VHyperfast和Ultrafast整流器。30A和60A整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到最佳水平,效率相比硅片產(chǎn)品提高15%。同時(shí)還將展出采用SlimDPAK(TO-252AE)封裝的TMBS?器件,具有ESD功能、采用超薄SMPA(DO-221BC)封裝的標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流器,額定電流達(dá)2A、采用MicroSMP(DO-219AD)封裝的FREDPt?超快恢復(fù)整流器。模塊展品包括SOT-227封裝650V超快恢復(fù)單相整流橋和1200V標(biāo)準(zhǔn)雙模器件,四種可選封裝、通過AEC-Q101認(rèn)證的高壓晶閘管和二極管。

無源元件展品包括各種Vishay電容器、電阻器和電感器。VishayBCcomponents將展示新款微型牛角式和螺絲接頭鋁電容器,以及X1、X2和Y2EMI靜噪薄膜電容器,這些器件均通過IEC60384-14:2013/AMD1:2016IIIB級(jí)認(rèn)證,此外,還將展示滿足雙85,1000小時(shí)測(cè)試要求的陶瓷安規(guī)電容器,ENYCAP?電雙層儲(chǔ)能電容器。陶瓷盤式電容器展品包括額定電壓50kVDC(34kVRMS)新型VishayCera-Mite螺絲固定電容器,以及額定電壓15kV,業(yè)內(nèi)2nF高容量小型徑向引線VishayRoederstein電容器。VishayRoederstein還將展出AC濾波和DC-Link金屬化聚丙烯膜電容器。運(yùn)輸、工業(yè)和替代能源應(yīng)用方面,VishayESTA將展示水冷式感應(yīng)加熱電容器、電力電子器件、三相組件和采用ESTAspring,業(yè)內(nèi)首款杠桿操作彈簧接頭連接的LVAC功率電容器。

電阻器展品包括新型VishayBCcomponentsVDR金屬氧化物壓敏電阻(MOV),工作溫度達(dá)+125°C,抗浪涌電流能力達(dá)13kA。厚膜器件包括VishayTechno高壓和中壓片式電阻分壓器、防脈沖VishayDraloric電阻器、通過AEC-Q200認(rèn)證的VishaySfernice器件、VishayMCB功率電阻器和VishayDale氮化鋁器件。薄膜電阻器包括VishayDale大功率片式電阻,以及VishayBeyschlag/Draloric通過AEC-Q200認(rèn)證的片式和MELF電阻。此外,VishayDraloric將展示可熔斷繞線安規(guī)電阻及小型鋁殼電阻,同時(shí)VishayMilwaukee展示動(dòng)態(tài)制動(dòng)和中性點(diǎn)接地電阻,VishayMCB展示功率達(dá)9000W的水冷電阻。VishayBCcomponents將展出用于溫度檢測(cè)、通過AEC-Q200認(rèn)證的NTC接線片傳感器和熱敏電阻裸片,以及用于能量甩負(fù)荷的PTCEL電源浪涌限流器。

VishayDale超薄、大電流電感器產(chǎn)品線展品包括工作溫度達(dá)+180°C,九種外形尺寸和18種不同高度的汽車級(jí)IHLP?系列電感器;帶有集成式電場(chǎng)遮罩,能夠減小EMI的IHLE系列電感器;以及采用鐵粉芯技術(shù),具有穩(wěn)定飽和性能的IHDM系列功率電感器。展示的VishayCustomMagnetics解決方案包括平面封裝新款小型柵級(jí)驅(qū)動(dòng)變壓器,總線驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)1200V,以及高功率密度、封裝高度僅為16.5mm的混合式平面變壓器。

Vishay還將在展臺(tái)上提供多種產(chǎn)品演示,包括VishayTechnoCDMM厚膜表面貼裝片式電阻分壓器;VishayBeyschlagMELF電阻器;VishayDaleRCP厚膜和PCAN薄膜大功率、表面貼裝片式電阻器;VishayBCcomponents196HVCENYCAP?混合儲(chǔ)能電容器;VishayDaleIHLE電感器;VishayCustomMagneticsTPL系列混合平面變壓器;以及VishaySiliconixmicroBUCK?和microBRICK?功率IC。

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