中國，北京-2019年3月19日-SiliconLabs(亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB)日前推出一系列隔離模擬放大器、電壓傳感器和Delta-Sigma調(diào)制器(DSM)器件，設(shè)計旨在整個溫度范圍內(nèi)提供超低溫漂的精確電流和電壓測量。新型Si89xx系列產(chǎn)品基于SiliconLabs強(qiáng)大的第三代隔離技術(shù)，可提供靈活的電壓、電流測量，并且有豐富的輸出接口和封裝選項，幫助開發(fā)人員降低BOM成本、減小電路板空間，適用于各種工業(yè)和綠色能源應(yīng)用，包括電動汽車(EV)電池管理和充電系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動機(jī)、太陽能和風(fēng)力渦輪機(jī)逆變器等。

精確電流和電壓測量對于功率控制系統(tǒng)的精確操作至關(guān)重要。為了最大限度地提高效率并對故障或負(fù)載變化快速響應(yīng)，系統(tǒng)控制器需要來自高壓供電線上的電流和電壓信息。SiliconLabs的第三代隔離技術(shù)可在1414V工作電壓和13kV雙極性浪涌的情況下保持控制器在較寬溫度范圍內(nèi)的安全性，并超越嚴(yán)格的行業(yè)要求。

SiliconLabs現(xiàn)在可提供業(yè)界最廣泛的電流和電壓傳感器產(chǎn)品組合。Si89xx系列包括四個產(chǎn)品類別：

?Si892x隔離模擬放大器，特別針對電流分流檢測進(jìn)行了優(yōu)化。

?Si8931/2隔離模擬放大器，特別針對通用電壓檢測進(jìn)行了優(yōu)化。

?Si8935/6/7隔離DSM器件，業(yè)界首創(chuàng)特別針對電壓檢測進(jìn)行了優(yōu)化。

?Si8941/6/7隔離DSM器件，特別針對電流分流檢測進(jìn)行了優(yōu)化。

SiliconLabs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理BrianMirkin表示：“在過去的十年間，我們的第一代和第二代混合信號隔離技術(shù)推動我們數(shù)字隔離產(chǎn)品在市場上取得巨大的成功，我們在新型Si89xx器件中使用的第三代技術(shù)具有更高標(biāo)準(zhǔn)。我們的隔離產(chǎn)品將繼續(xù)取代傳統(tǒng)的光耦合器，并且優(yōu)于競爭對手的數(shù)字隔離器，這為需要高壓保護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計提供了更高的浪涌性能、可靠性、集成度和一流的安全性。”

汽車電池和電機(jī)/光伏逆變器系統(tǒng)需要可靠的電流監(jiān)視以及強(qiáng)大的抗噪性。與競爭對手產(chǎn)品相比，Si89xx器件提供了高達(dá)3倍的共模瞬變抗擾度(CMTI)。該系列器件的75kV/μs快速瞬變抗擾度可確保要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用獲得可靠、準(zhǔn)確的電流數(shù)據(jù)。如果未檢測到高壓側(cè)供電電壓，Si89xx系列也支持向主機(jī)控制器提供故障安全指示。

Si89xx系列器件提供典型值低至±40μV的偏置誤差以及±0.1%的增益誤差，可實現(xiàn)精確測量。典型值低至±0.15μV/?C偏置漂移，-6ppm/?C增益漂移，這確保在整個溫度范圍內(nèi)具有出色的精度。這些器件提供業(yè)界最高的典型值高達(dá)90dB的信噪比(SNR)。獨特的低功耗模式可以在一側(cè)電壓被移除后自動將隔離柵另一側(cè)的電流消耗降低至大約1mA，這使得控制器能夠通過簡單的場效應(yīng)晶體管(FET)管理電源。

憑借以下特性，新一代Si89xx器件增強(qiáng)了設(shè)計靈活性：

?具有單端、差分或DSM輸出。

?±62.5mV、±250mV或2.5V輸入范圍。

?拉長的寬體SOIC-8封裝，支持5kVrms隔離和9mm爬電距離/間隙;緊湊的窄體SOIC-8封裝，支持2.5kVrms隔離。

價格與供貨

支持寬體SOIC-8封裝的Si892x/3x/4x器件目前可以提供樣片，支持窄體SOIC-8封裝的器件樣片計劃于第二季度發(fā)布。所有Si89xx器件計劃于第三季度量產(chǎn)。SiliconLabs提供各種評估套件以加速開發(fā)。欲了解IC和評估套件的價格，請聯(lián)系各地的SiliconLabs銷售代表或授權(quán)經(jīng)銷商。

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