UnitedSiC宣布與ADI的戰(zhàn)略投資合作

時(shí)間:2019-03-21

來源:電子工程網(wǎng)

導(dǎo)語(yǔ):碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC今天宣布達(dá)成與ADI公司(AnalogDevices)的戰(zhàn)略投資和長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,具體條款尚未公布。

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC今天宣布達(dá)成與ADI公司(AnalogDevices)的戰(zhàn)略投資和長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,具體條款尚未公布。

UnitedSiC總裁兼首席執(zhí)行官ChrisDries介紹說:“從我們與ADI電源團(tuán)隊(duì)的第一次會(huì)面開始,他們馬上意識(shí)到了我們SiC技術(shù)的價(jià)值以及SiC器件在其電源平臺(tái)中擴(kuò)展和使用的便利性。這是一個(gè)非常好的時(shí)機(jī),可以讓像ADI這樣的高品質(zhì)領(lǐng)導(dǎo)廠商成為我們公司的股東?!?/p>

兩年多來,UnitedSiC和ADI一直在合作開發(fā)基于SiC的產(chǎn)品和設(shè)備。隨著寬帶隙功率器件成為更加主流的技術(shù),尤其是SiC技術(shù)的發(fā)展,使其更具有成本效益,這些器件的導(dǎo)入將進(jìn)一步增強(qiáng)ADI的模擬電源產(chǎn)品組合。

ADI電源產(chǎn)品高級(jí)副總裁StevePietkiewicz表示:“在過去的幾年里,我們一直在積極關(guān)注碳化硅技術(shù)和器件的發(fā)展。我們發(fā)現(xiàn)UnitedSiC的FET技術(shù)非常適合ADI的高性能電源平臺(tái)以及我們?cè)谄渌唠妷菏袌?chǎng)的目標(biāo)應(yīng)用?!?/p>

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