功率半導(dǎo)體是電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、光伏逆變器、風(fēng)電變頻器、新能源汽車電控系統(tǒng)以及變頻家電、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域。近年來，國(guó)產(chǎn)代替的呼聲日益高漲，發(fā)展第三代半導(dǎo)體或?qū)戇M(jìn)十四五計(jì)劃，國(guó)內(nèi)廠商掀起了一輪布局投資熱潮。

　　近日，碳化硅芯片公司瞻芯電子在上海臨港舉辦新品發(fā)布會(huì)并公布了最新融資進(jìn)展。瞻芯電子已于今年完成過億元人民幣融資，投資方包括臨芯投資、金浦投資以及幾家重要產(chǎn)業(yè)協(xié)同方，青桐資本擔(dān)任財(cái)務(wù)顧問。

　　瞻芯電子2017年成立于上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)，是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的SiC工藝及器件設(shè)計(jì)、SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)、電力電子系統(tǒng)應(yīng)用、市場(chǎng)推廣和產(chǎn)品運(yùn)營(yíng)等方面高素質(zhì)核心團(tuán)隊(duì)。

　　第三代半導(dǎo)體有望彎道超車

　　我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)落后歐美發(fā)達(dá)國(guó)家已久，很難在短時(shí)間內(nèi)完成進(jìn)口替代，但是第三代半導(dǎo)體的發(fā)展處于全球起步階段，目前尚未形成專利標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)壁壘，從我國(guó)技術(shù)水平來看，已經(jīng)具備自主研發(fā)第三代半導(dǎo)體的能力，是我國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)直到超車的最佳時(shí)機(jī)。

　　實(shí)際上，自成立后瞻芯電子短短幾年時(shí)間取得了重大突破。2018年5月1日，第一片國(guó)產(chǎn)6英寸SiCMOSFET晶圓在上海瞻芯誕生，2019年9月，瞻芯電子推出已經(jīng)通過JEDEC認(rèn)證的碳化硅MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片系列產(chǎn)品；2020年7月，瞻芯電子推出超越工規(guī)級(jí)的碳化硅二極管產(chǎn)品系列。

　　此外，上海瞻芯電子在2020年5月6日申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法”的發(fā)明專利，該項(xiàng)專利中所提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和制備方法，相較于同種器件而言，電廠強(qiáng)度大幅度降低，提高了半導(dǎo)體器件柵氧化層的可靠性。同時(shí)柵漏之間的電容也被大幅降低，從而極大地減少了開關(guān)功率的損耗。

　　瞻芯電子是麥格米特的參股公司，今年9月2日，麥格米特在互動(dòng)平臺(tái)上透露瞻芯電子的技研進(jìn)展，“目前已經(jīng)完成了國(guó)內(nèi)第一個(gè)基于6英寸碳化硅晶圓的SiCMOSFET和SBD工藝平臺(tái)開發(fā)，預(yù)計(jì)9月份還將有一款碳化硅MOSFET器件通過工業(yè)級(jí)可靠性認(rèn)證，這也將是填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白的產(chǎn)品?！?/p>

　　1200V碳化硅產(chǎn)品填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

　　2020年10月16日，瞻芯電子產(chǎn)品發(fā)布會(huì)在上海舉行，發(fā)布工規(guī)級(jí)基于6英寸晶圓的SiCMOSFET產(chǎn)品，瞻芯電子的第三代半導(dǎo)體功率器件已經(jīng)在麥格米特的充電樁模塊上成功運(yùn)行，發(fā)布首款量產(chǎn)。

　　基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級(jí))認(rèn)證的1200V80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品。這是首款在國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)研發(fā)、國(guó)內(nèi)6英寸生產(chǎn)線制造流片的碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品的發(fā)布填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。新產(chǎn)品支持的應(yīng)用領(lǐng)域，包括風(fēng)能和光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等領(lǐng)域。

　　碳化硅是新一代半導(dǎo)體的主攻方向，瞻芯電子創(chuàng)始人張永熙博士介紹，在新能源汽車電驅(qū)動(dòng)中使用SiCMOSFET替代SiIGBT，整車效率提高5%-10%。在光伏逆變器中使用SiC功率器件，整機(jī)的能耗降低50%。

　　電力電子行業(yè)專家周滿枝介紹，使用SiCMOSFET替代SiIGBT，其開通損耗降低至三分之一，關(guān)斷損耗降至二十分之一，這使得使用SiC功率器件的產(chǎn)品可以達(dá)到更高的功率密度，使用更簡(jiǎn)單的散熱設(shè)計(jì)，整體效率更高。

　　碳化硅MOSFET產(chǎn)品可以應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變，風(fēng)能逆變、儲(chǔ)能設(shè)施、高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合，其市場(chǎng)前景廣泛，預(yù)計(jì)到2027年市場(chǎng)銷售額將達(dá)到100億美元，SiC功率器件是面向未來更環(huán)保，更節(jié)能的電能轉(zhuǎn)換核心器件，在整個(gè)系統(tǒng)中處于關(guān)鍵部位。