半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是當(dāng)前科技創(chuàng)新的核心之一，在世界經(jīng)濟(jì)與科技發(fā)展中的地位越來越重要。自中美貿(mào)易戰(zhàn)打響以來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為限制我國的重要手段，因此越來越受國家重視。為了避免再次在關(guān)鍵核心技術(shù)上被“卡脖子”，我國開始大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。而半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，推動半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重要意義。

　　近年來，我國出臺了多項(xiàng)相關(guān)政策支持和鼓勵國產(chǎn)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展。例如2020年8月4日，國務(wù)院發(fā)布新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，首次明確提出鼓勵我國本土半導(dǎo)體材料和裝備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并且還通過財政稅收、投融資等政策改善半導(dǎo)體材料企業(yè)經(jīng)營環(huán)境，為半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展提供支持。

　　同時產(chǎn)業(yè)基金和資本也在為我過半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展提供有效支持。從2014年9月國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(大基金)成立開始，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈獲得了大量投資。2019年國家大基金二期成立后更是將主要投資向半導(dǎo)體材料領(lǐng)域傾斜。

　　雖然目前我國半導(dǎo)體材料依然主要依賴于向美國、韓國、日本等國進(jìn)口，但是在半導(dǎo)體國產(chǎn)化上已經(jīng)有了較大進(jìn)步，實(shí)現(xiàn)了部分半導(dǎo)體材料的自主研發(fā)和生產(chǎn)，同時也成功研發(fā)出濺射靶材、引線框架等上百種材料產(chǎn)品，部分產(chǎn)品的性能甚至能達(dá)到國際先進(jìn)水平。

　　半導(dǎo)體材料種類繁多，在半導(dǎo)體生產(chǎn)的流程中，需要根據(jù)生產(chǎn)工藝選用不同的半導(dǎo)體材料。如在晶圓制造工藝中需要用到硅片、電子特氣、光掩模版、拋光材料等，在在封裝測試中，則主要需要封裝基板、引線框架等材料。

　　半導(dǎo)體材料對最終芯片成品的性能影響很大。因此發(fā)展半導(dǎo)體材料行業(yè)不僅要實(shí)現(xiàn)技術(shù)上的突破，實(shí)現(xiàn)材料國產(chǎn)化，還要保障材料的純度、穩(wěn)定性、功能等，使其能滿足半導(dǎo)體生產(chǎn)的要求。這需要半導(dǎo)體材料檢測技術(shù)與半導(dǎo)體生產(chǎn)需求的同步。此外，在半導(dǎo)體材料技術(shù)取得突破的時候，我們也需要相應(yīng)的檢測技術(shù)驗(yàn)證成果是否可行，這對半導(dǎo)體材料檢測技術(shù)同樣是一次挑戰(zhàn)。

　　半導(dǎo)體材料檢測涉及的項(xiàng)目很多，如摻雜濃度、表面缺陷、膜的厚度等。目前用于半導(dǎo)體檢測的儀器與主要有：掃描電鏡、透射電鏡、X射線衍射儀、原子吸收光譜儀、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀、離子探針、電子探針等。在檢測設(shè)備方面，我國對進(jìn)口產(chǎn)品的依賴性同樣很大。在推進(jìn)半導(dǎo)體材料國產(chǎn)的同時，我們同樣需要注意半導(dǎo)體材料檢測技術(shù)和設(shè)備的國產(chǎn)化。

　　我國擁有龐大的半導(dǎo)體市場，并且芯片設(shè)計(jì)水平全球第二。然而芯片制造卻始終是我國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的限制因素，半導(dǎo)體材料依賴進(jìn)口已經(jīng)在威脅我國科技的發(fā)展。在美國政府重點(diǎn)打壓我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造環(huán)節(jié)后，半導(dǎo)體國產(chǎn)化已經(jīng)成為目前我國的重點(diǎn)任務(wù)。在此背景下，隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體材料的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體檢測行業(yè)同樣也需要隨之發(fā)展。