晶圓廠設(shè)備部門，包括晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩模/掩模版設(shè)備，預(yù)計(jì)到2021 年將飆升 34% 至817 億美元的行業(yè)新紀(jì)錄，2022 年將增長(zhǎng) 6% 至超過(guò)860 億美元.

　　由于全球工業(yè)數(shù)字化對(duì)前沿技術(shù)的強(qiáng)勁需求，代工和邏輯部門占晶圓廠設(shè)備總銷售額的一半以上，將同比增長(zhǎng) 39%，到2021 年達(dá)到457 億美元。預(yù)計(jì) 2022 年增長(zhǎng)勢(shì)頭將繼續(xù)，代工和邏輯設(shè)備投資將再增長(zhǎng) 8%。

　　對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)的強(qiáng)勁需求正在推動(dòng)對(duì) NAND 和 DRAM 制造設(shè)備的支出。DRAM 設(shè)備部門預(yù)計(jì)將在 2021 年引領(lǐng)擴(kuò)張，飆升 46%，超過(guò)140 億美元。預(yù)計(jì) 2021 年 NAND 閃存設(shè)備市場(chǎng)將增長(zhǎng) 13% 至174 億美元，2022 年將分別增長(zhǎng)9% 至189 億美元。

　　在先進(jìn)封裝應(yīng)用的推動(dòng)下，組裝和封裝設(shè)備部門預(yù)計(jì)到2021 年將增長(zhǎng) 56%，達(dá)到 60 億美元，然后在 2022 年增長(zhǎng) 6%。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在 2021 年增長(zhǎng) 26% 至76 億美元，并在 2022 年根據(jù)對(duì) 5G 和高性能計(jì)算 (HPC) 應(yīng)用的需求再增長(zhǎng) 6%。

　　從地區(qū)來(lái)看，韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸預(yù)計(jì)仍將是 2021 年設(shè)備支出的前三大目的地，其中韓國(guó)憑借強(qiáng)勁的內(nèi)存復(fù)蘇以及對(duì)前沿邏輯和代工的強(qiáng)勁投資而位居榜首。預(yù)計(jì) 2021 年跟蹤的所有地區(qū)的設(shè)備支出都將增長(zhǎng)。

　　半導(dǎo)體設(shè)備電源子系統(tǒng)帶來(lái)非凡的收入增長(zhǎng)

　　由于多種積極因素，用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源和反應(yīng)氣體子系統(tǒng)的銷售額有望在 2016 年至 2021 年間實(shí)現(xiàn) 23% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR)——遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)關(guān)鍵子系統(tǒng)行業(yè) 16.4% 的平均水平。

　　Process power和反應(yīng)氣體子系統(tǒng)約占半導(dǎo)體制造設(shè)備關(guān)鍵子系統(tǒng)支出的 13%，高于 2016 年的 9.8%。這種異常增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)因素是：

　　提高半導(dǎo)體制造的真空強(qiáng)度

　　每個(gè)腔室使用的射頻功率子系統(tǒng)的平均數(shù)量增加

　　更高功率子系統(tǒng)的趨勢(shì)，這會(huì)吸引更高的價(jià)格

　　使用更高頻率的電源子系統(tǒng)，這通常更昂貴

　　多重圖案化和 3D NAND 在大批量制造中的出現(xiàn)顯著增加了沉積和蝕刻工藝步驟的數(shù)量。

　　對(duì)于 3D NAND，更長(zhǎng)、更困難的蝕刻工藝需要更全面的電源解決方案。

　　有趣的是，按工具類型對(duì)電源子系統(tǒng)的分析表明，絕大多數(shù)電源子系統(tǒng) (70%) 用于蝕刻工具，只有 30% 用于沉積工具。這種差異可以通過(guò)以下事實(shí)來(lái)解釋：更精細(xì)的蝕刻工藝可能需要每個(gè)工具使用多個(gè) RF 功率解決方案。相比之下，沉積并不總是使用等離子體能源，例如，在熱沉積工藝中。

　　盡管過(guò)去五年電源子系統(tǒng)部門的增長(zhǎng)表現(xiàn)驚人，但我們預(yù)計(jì)到 2026 年增長(zhǎng)率將顯著放緩?，F(xiàn)在從 2D NAND 到 3D NAND 的過(guò)渡已經(jīng)完成，我們預(yù)計(jì)真空/等離子加工步驟與其他設(shè)備市場(chǎng)保持一致。此外，EUV 的引入正在減少對(duì)真空處理設(shè)備的需求。

　　然而，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，仍需要與 EUV 結(jié)合使用多種圖案化技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)器件密度和性能的預(yù)期改進(jìn)。預(yù)計(jì)到 2026 年，電力和反應(yīng)性氣體子系統(tǒng)的未來(lái)增長(zhǎng)趨勢(shì)將略高于關(guān)鍵子系統(tǒng)行業(yè)平均水平 (3.9%)，復(fù)合年增長(zhǎng)率約為 6.3%。