Digitimes日前發(fā)表了研究報(bào)告，分析了三星、臺(tái)積電、Intel及IBM四家的半導(dǎo)體工藝密度問(wèn)題，對(duì)比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情況。
在10nm節(jié)點(diǎn)，三星的晶體管密度只有0.52億/mm2，臺(tái)積電是0.53億/mm2，Intel已經(jīng)達(dá)到了1.06億/mm2，密度高出一倍左右。
7nm節(jié)點(diǎn)，三星的工藝密度是0.95億/mm2，臺(tái)積電是0.97億/mm2，Intel的7nm則是1.8億/mm2，依然高出80%以上。
再往后的5nm節(jié)點(diǎn)上，三星實(shí)現(xiàn)了1.27億/mm2的密度，臺(tái)積電達(dá)到了1.73億/mm2，Intel的目標(biāo)是3億/mm2，三星與其他兩家的差距愈發(fā)拉大。
到了3nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電的晶體管密度大約是2.9億/mm2，三星只有1.7億/mm2，Intel的目標(biāo)是5.2億/mm2。
2nm節(jié)點(diǎn)沒(méi)多少數(shù)據(jù)，IBM之前聯(lián)合三星等公司發(fā)布的2nm工藝密度大約是3.33億/mm2，臺(tái)積電的的目標(biāo)是4.9億/mm2。
以上數(shù)據(jù)其實(shí)不能100%反映各家的技術(shù)水平，還要考慮到性能、功耗、成本的差距，但就摩爾定律關(guān)注的密度來(lái)看，Intel在這方面基本還是按照之前的規(guī)范走的，三星、臺(tái)積電工藝宣傳注水也不是什么新聞了。
當(dāng)然，三星這方面的浮夸可能更多一些，3nm節(jié)點(diǎn)的密度也不過(guò)是Intel的7nm水平，Intel的5nm工藝都能夠直逼IBM 2nm水平，不知道這該說(shuō)Intel太老實(shí)還是其他公司太滑頭呢?
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