隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體步入產(chǎn)業(yè)化階段，對(duì)新一代半導(dǎo)體材料的探討已經(jīng)進(jìn)入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國內(nèi)外高度關(guān)注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導(dǎo)體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導(dǎo)體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體材料，將一路向?qū)?，還是一路向窄?

　　超寬禁帶半導(dǎo)體：

　　“上天入?！?，適用范圍廣泛

　　禁帶的寬度決定了電子躍遷的難度，是半導(dǎo)體的導(dǎo)電性的決定因素之一。禁帶越寬，半導(dǎo)體材料越接近絕緣體，器件穩(wěn)定性越強(qiáng)，因而超寬禁帶半導(dǎo)體能應(yīng)用于高溫、高功率、高頻率以及較耐輻照等特殊環(huán)境。

　　“硅器件工作溫度范圍相對(duì)有限，而超寬禁帶半導(dǎo)體可謂‘上天下海’，適應(yīng)范圍非常寬廣?！敝袊茖W(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員閆建昌向《中國電子報(bào)》記者表示。

　　在光電子領(lǐng)域，超寬禁帶半導(dǎo)體在紫外發(fā)光、紫外探測(cè)有著廣闊的應(yīng)用空間?；诘X鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體的紫外發(fā)光二極管和紫外激光二極管應(yīng)用于殺菌消毒等醫(yī)療衛(wèi)生領(lǐng)域，特定波長的紫外線能幫助人體補(bǔ)鈣。在工業(yè)上，超寬禁帶可用于制造大功率的紫外光源。

　　在超寬禁帶半導(dǎo)體中，氮化鋁鎵(氮化鋁和氮化鎵的合金材料)、氧化鎵、金剛石是較有代表性的幾個(gè)方向。

　　與氧化鎵、金剛石等禁帶寬度相對(duì)固定的材料不同，氮化鋁鎵的禁帶寬度可以在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，是一種靈活的半導(dǎo)體材料。

　　“通過調(diào)節(jié)鋁的組份，氮化鋁鎵可以實(shí)現(xiàn)不同的禁帶寬度，范圍在氮化鎵的3.4 eV到氮化鋁的6 eV之間。通過合適的比例，可以獲得特定的禁帶寬度，發(fā)射相應(yīng)波長的紫外線，這是一個(gè)有趣也有用的屬性?！遍Z建昌表示。

　　在制備技術(shù)方面，氮化鋁鎵已經(jīng)具備了一定的積累。

　　“氮化鎵和氮化鋁外延制備的主流方法是MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積)，在工藝、設(shè)備等產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)已經(jīng)有了二三十年的積累。氮化鋁鎵作為氮化鎵、氮化鋁的合金材料，在外延制備上與兩者有很多相通之處，產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)開始起步，預(yù)計(jì)在接下來的3—5年，會(huì)具備規(guī)?；慨a(chǎn)的水準(zhǔn)?！遍Z建昌向記者指出。

　　氧化鎵相比寬禁帶半導(dǎo)體具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率。目前，氧化鎵材料制備水平進(jìn)展較快，但是外延、器件方面還有很多工作要做。

　　“氧化鎵的禁帶寬度比氮化鎵、碳化硅等更寬，功率可以做得更高，也更加省電。氧化鎵的制備條件比較苛刻，目前外延材料以2-3寸的小尺寸為主，量產(chǎn)和應(yīng)用還有一段路要走?！? 西安電子科技大學(xué)郭輝副教授向《中國電子報(bào)》記者表示。

　　閆建昌指出，散熱能力不足是氧化鎵的弊端，如何繞開這個(gè)弊端的話，去充分發(fā)揮它在功率器件的優(yōu)勢(shì)，是值得關(guān)注的發(fā)展方向。

　　金剛石被視為“終極半導(dǎo)體”材料，具有超寬禁帶、高導(dǎo)熱系數(shù)、高硬度的特點(diǎn)。但也由于硬度最高，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體級(jí)別的高純凈度也最為困難，與產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化還有相當(dāng)?shù)木嚯x。

　　“金剛石難以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體級(jí)別的制備和摻雜，但我們可以利用類金剛石或者金剛石顆粒去改善半導(dǎo)體器件的散熱，把金剛石自身的優(yōu)勢(shì)和長處先發(fā)揮出來。”閆建昌說。

　　窄禁帶半導(dǎo)體：

　　繼續(xù)拓展光譜范圍，集中應(yīng)用在紅外光

　　與超寬禁帶半導(dǎo)體相反，銻化物等窄禁帶半導(dǎo)體具有高遷移率、導(dǎo)電性強(qiáng)的特點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域也集中在紅外線，與超寬禁帶應(yīng)用的紫外線正好分布在光譜兩端?？梢哉f，超寬禁帶和窄禁帶半導(dǎo)體拓展了人類對(duì)光譜的利用范圍。

　　在光電子領(lǐng)域，銻化物材料體系有希望成為未來紅外成像系統(tǒng)的主要材料體系。據(jù)中科院半導(dǎo)體研究所教授牛智川介紹，傳統(tǒng)紅外光電材料由于均勻性不足、基片面積小、良率極低等瓶頸，難以實(shí)現(xiàn)大陣列、雙色、多色焦平面以及甚遠(yuǎn)紅外焦平面的制造。

　　“銻化物在具有高性能的前提下，帶隙調(diào)控適用范圍更廣、成本更低、制造規(guī)模更大，銻化鎵基半導(dǎo)體外延材料技術(shù)已經(jīng)成長為紅外光電器件制造的主流?！迸Ｖ谴ㄏ颉吨袊娮訄?bào)》記者表示。

　　在微電子領(lǐng)域，銻化物半導(dǎo)體具有超過前三代半導(dǎo)體體系的超高速遷移率，在發(fā)展超低功耗超高速微電子集成電路器件方面潛力重大。

　　在熱電器件領(lǐng)域，含銻元素的各類晶體材料具有優(yōu)良的熱電和制冷效應(yīng)，是長期以來熱電制冷器件領(lǐng)域的重要技術(shù)方向，具有廣闊的應(yīng)用前景。

　　在制備方面，銻化物窄帶隙半導(dǎo)體與砷化鎵、磷化銦等III-V族體系的結(jié)構(gòu)特性、制備工藝類似或兼容，因此不存在量產(chǎn)技術(shù)的障礙，其制備成本主要受單晶襯底晶圓面積、外延材料量產(chǎn)容量、工藝集成技術(shù)良率的制約。

　　“隨著功能器件需求放大，基于銻化物的激光器和探測(cè)器制造已經(jīng)在量產(chǎn)方面獲得了充分的驗(yàn)證，在光電子功能的各類應(yīng)用領(lǐng)域制造規(guī)模逐步擴(kuò)大，已經(jīng)具備量產(chǎn)條件。”牛智川指出。

　　下一代半導(dǎo)體：

　　越走越“寬”還是越“窄”?

　　新一代半導(dǎo)體材料是產(chǎn)業(yè)變革的基石。從以硅為代表的第一代半導(dǎo)體材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體器件的工作范圍和適用場(chǎng)景不斷拓展，為信息社會(huì)的發(fā)展提供有力支撐。

　　半導(dǎo)體代表性材料進(jìn)階圖

       那么，真正具有技術(shù)前景的新一代半導(dǎo)體材料，應(yīng)該具備哪些要素?

　　牛智川表示，評(píng)估半導(dǎo)體材料的發(fā)展前景時(shí)，應(yīng)注重兩個(gè)指標(biāo)。

　　一是能否發(fā)展出高可控性的量產(chǎn)制備技術(shù)，這是判斷新體系材料是否具有長期發(fā)展前景的必要前提。在面向?qū)嶋H應(yīng)用發(fā)展的初期階段，必須評(píng)估規(guī)?；a(chǎn)平臺(tái)的可行性，包括大型制造設(shè)備等，并通過小試和中試工程化考驗(yàn)，檢驗(yàn)產(chǎn)品良率和器件性能的穩(wěn)定性。

　　其次是技術(shù)迭代鏈條是否完善，這是市場(chǎng)化成敗的必要考量。半導(dǎo)體技術(shù)迭代鏈條包括所有技術(shù)環(huán)節(jié)所需的相關(guān)支撐條件是否具備可靠來源，市場(chǎng)周期的波動(dòng)率，用戶對(duì)產(chǎn)品需求性價(jià)比，以及對(duì)比競(jìng)品材料的優(yōu)劣等。

　　在具備產(chǎn)業(yè)化前景的基礎(chǔ)上，該如何發(fā)揮材料自身的性質(zhì)，使之轉(zhuǎn)化為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的動(dòng)力并釋放市場(chǎng)價(jià)值?

　　閆建昌表示，每一種材料都有自身的優(yōu)勢(shì)和局限性，要充分發(fā)揮或者挖掘其有利因素，以揚(yáng)長避短。曾經(jīng)業(yè)界認(rèn)為氮化鎵材料缺陷密度太高，不可能用來發(fā)光，但氮化鎵的一些特殊機(jī)制能夠繞開缺陷密度的問題，并基于自身的硬度和化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)彌補(bǔ)純凈度的不足，贏得了發(fā)展空間。

　　“無論氮化鋁鎵、氧化鎵還是金剛石，在器件和產(chǎn)業(yè)發(fā)展上還有很大的空間。發(fā)展的基礎(chǔ)取決于材料本身和材料制備水平，要實(shí)現(xiàn)更低的缺陷密度，把材料的優(yōu)勢(shì)和潛力充分發(fā)掘出來，這是未來超寬禁帶技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)?！遍Z建昌說。

　　郭輝表示，新材料的上量有一個(gè)過程，要考慮綜合效益，找尋市場(chǎng)地位。

　　“在微電子領(lǐng)域，超寬禁帶半導(dǎo)體主要用于功率半導(dǎo)體，既要考慮材料本身的制備成本和功率器件本身的成本，也要考慮器件用在系統(tǒng)內(nèi)的成本。通過綜合效益尋找市場(chǎng)空間，形成市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力?！惫x說。

　　牛智川表示，要在扎實(shí)做好實(shí)驗(yàn)室技術(shù)開發(fā)研究基礎(chǔ)上，深入理解材料物性優(yōu)化的基本技術(shù)方法、路徑，全方位建立基礎(chǔ)物理化學(xué)性質(zhì)數(shù)據(jù)，形成從設(shè)計(jì)到器件功能實(shí)現(xiàn)的最佳迭代模式。在此基礎(chǔ)上，建設(shè)中試平臺(tái)，集中考驗(yàn)實(shí)現(xiàn)高良率工程化制造的技術(shù)流程、方案和規(guī)范。后續(xù)增加用戶定制要求，逐步完善器件的特定功能的量產(chǎn)制造技術(shù)、提高迭代效率，與市場(chǎng)深度融合。