對(duì)于以上這些企業(yè)的投資而言，都得到了各國政府的支援，甚至資金補(bǔ)助。中國這邊不用說太多。美國為了強(qiáng)化本國的半導(dǎo)體生產(chǎn)實(shí)力，計(jì)劃投資520億美元(約人民幣3.380億元)。而歐洲計(jì)劃在未來十年內(nèi)投資約17兆日元(約人民幣10.030億元)。韓國提出了“K半導(dǎo)體戰(zhàn)略”，即如果企業(yè)在十年內(nèi)投資約50兆日元(約人民幣29.500億元)，便可享受政府的稅收優(yōu)惠政策。

　　據(jù)2021年8月28日的日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，今年(2021年)十家主要半導(dǎo)體廠家的合計(jì)設(shè)備投資額超過了12兆日元(約人民幣7.080億元)。此外，半導(dǎo)體行業(yè)組織SEMI的調(diào)查顯示，在2021年~2022年間，新開工運(yùn)營的半導(dǎo)體廠房達(dá)到29處(僅包含可以確認(rèn)到的廠家，出自近期的日本經(jīng)濟(jì)新聞)。

　　對(duì)于以上這些“異?！钡脑O(shè)備投資現(xiàn)象和工廠的混亂情況而言，筆者認(rèn)為它們就像電影《漢姆林衣色斑駁的吹笛手(英文名：The Pied Piper of Hamelin)》中跟著笛聲跳舞的老鼠。此外，這些跟著笛聲跳舞的老鼠的前方是懸崖絕壁，“跳崖”后的結(jié)局就是半導(dǎo)體價(jià)格的大幅度下跌，接著就是半導(dǎo)體陷入大蕭條。

　　半導(dǎo)體已經(jīng)開始大幅度擴(kuò)產(chǎn)

　　雖然主要的半導(dǎo)體廠家計(jì)劃投資12兆日元(約人民幣7.080億元)、已經(jīng)開始建設(shè)29處工廠，但是要實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)最快要到2022年的下半年，正常情況下需要到2023年。

　　但是，這些都預(yù)示著半導(dǎo)體的擴(kuò)產(chǎn)在全球范圍內(nèi)正如火如荼地進(jìn)行。下圖2是每個(gè)季度的全球半導(dǎo)體出貨金額、出貨數(shù)量的推移表。在2018年(即存儲(chǔ)半導(dǎo)體泡沫破裂時(shí))第三季度(Q3)，半導(dǎo)體出貨金額達(dá)到了2.658億美元(約人民幣17.277億元)，出貨數(shù)量達(dá)到了1.249億個(gè)。

　　每季度全球半導(dǎo)體出貨金額和出貨數(shù)量(至2021年第二季度)，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　后來，半導(dǎo)體出貨金額和出貨數(shù)量因存儲(chǔ)半導(dǎo)體危機(jī)而下滑，原本處于恢復(fù)中的行情，又因新冠疫情再次下滑，在2020年第二季度以后迅速恢復(fù)。此外，2021年第二季度的出貨金額為2.894億美元(約人民幣18.811億元)，出貨數(shù)量達(dá)到1.336億個(gè)，分別刷新了季度最高值。照此下去，未來應(yīng)該會(huì)繼續(xù)保持增長勢(shì)頭。

　　下面我們看看各種半導(dǎo)體在每個(gè)季度的出貨金額(下圖3)。2021年第二季度，邏輯半導(dǎo)體出貨金額達(dá)到363億美元(約人民幣2.359.5億元)，Mos Micro(包括處理器和微控制器)為189億美元(約人民幣1.228.5億元)，模擬半導(dǎo)體為178億美元(約人民幣1.157億元)，各類半導(dǎo)體的出貨金額都刷新了季度最高值。

　　各類半導(dǎo)體在每個(gè)季度的出貨金額(至2021年第二季度)，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　另一方面，僅有Mos Memory(包括DRAM和NAND型閃存，以下簡稱為“NAND”)的出貨金額沒有超過2018年第三季度的最高峰值(441億美元，約人民幣2.866.5億元)。但是，在2020年第二季度一一2021年年第二季度期間，出貨金額的“急劇增長”讓人不免心生“恐懼”。之所以這樣說，是因?yàn)榇颂幍摹凹眲≡鲩L”絕不亞于2016年~2018年第三季度的存儲(chǔ)半導(dǎo)體泡沫時(shí)的增長趨勢(shì)。

　　話雖如此，存儲(chǔ)半導(dǎo)體的出貨金額應(yīng)該不會(huì)無限度地一直增長下去。供給肯定會(huì)在未來某個(gè)時(shí)刻超過需求，迫使出貨金額下滑。屆時(shí)存儲(chǔ)半導(dǎo)體價(jià)格將會(huì)下幅度下滑，接下來到來的就是存儲(chǔ)半導(dǎo)體的大蕭條。

　　那么，帶動(dòng)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速增長的“主角”是DRAM，還是NAND，還是二者?筆者就此展開論述。

　　DRAM的出貨金額和出貨數(shù)量

　　下圖4是DRAM在每個(gè)季度的出貨金額和出貨數(shù)量的推移。從圖4可以明顯地看出，圖3的存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的爆發(fā)式增長是起因于DRAM的。也就是說，在2020年第四季度~2021年第二季度期間，DRAM的出貨金額呈近乎直線式地增長。此處與上圖3中存儲(chǔ)半導(dǎo)體出貨金額的趨勢(shì)極其相似。

　　DRAM在每個(gè)季度的出貨金額和出貨數(shù)量的推移表(至2021年第二季度)，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　那么，為什么DRAM的出貨金額急劇增長呢?從DRAM的出貨數(shù)量來看，可以看出2010年~2018年期間的出貨數(shù)量基本保持在40億個(gè)左右，但在2019年第三季度前后出現(xiàn)急劇增長，2021年第二季度達(dá)到歷史最高值一一55.3億個(gè)。

　　筆者認(rèn)為原因如下：在2012年以后，真正意義上的DRAM廠家其實(shí)僅有三星電子(Samsung)、SK海力士(SK hynix)、鎂光科技(Micron Technology)三家企業(yè)，三家企業(yè)在“在暗地里達(dá)成一致意見，并調(diào)整生產(chǎn)”，致使出貨數(shù)量保持為一定數(shù)量。然而，2019年下半年以后，DRAM的“主戰(zhàn)場(chǎng)”從智能手機(jī)轉(zhuǎn)為服務(wù)器，導(dǎo)致以上三家公司的放棄了之前達(dá)成的一致意見，再次開始了競(jìng)爭。結(jié)果，每家公司的出貨數(shù)量都出現(xiàn)了增長，這最終導(dǎo)致全球DRAM出貨數(shù)量迅速增長。

　　此外，不僅有以上三家DRAM廠家的競(jìng)爭，還有新冠疫情的影響，筆者將在下面的文章中通過分析DRAM的價(jià)格進(jìn)行明示。

　　NAND的出貨金額和出貨數(shù)量

　　下面我們來看看NAND在每個(gè)季度的出貨金額和出貨數(shù)量(下圖5)。2000年以后，NAND的出貨數(shù)量幾乎呈直線上升，然而在2016年以后，停止了增長，原因在于NAND從2D轉(zhuǎn)為3D。在2D的情況下，在使存儲(chǔ)單元(Memory Cell)實(shí)現(xiàn)微縮化的同時(shí)，也縮小了芯片尺寸。結(jié)果，隨著微縮化發(fā)展，從單片晶圓上獲取的NAND數(shù)量也出現(xiàn)了增長。

　　NAND在每個(gè)季度的出貨金額和出貨數(shù)量的推移表(至2021年第二季度)，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　然而，自2016年起，NAND就開始實(shí)現(xiàn)3D化。由于3D NAND的容量較大，因此開始縱向堆疊存儲(chǔ)單元(Memory Cell)。因此，就3D NAND而言，基本上芯片尺寸沒有變化。所以，在3D NAND發(fā)展的2016年，出貨數(shù)量基本持平，沒有什么變化。

　　NAND的出貨數(shù)量在2018年(存儲(chǔ)半導(dǎo)體泡沫之時(shí))第三季度達(dá)到了30億個(gè)，在2019年第一季度跌落為22億個(gè)。后來，在2019年的第四季度恢復(fù)至30億個(gè)，但是又因新冠疫情在2020年的第二季度下滑至約26億個(gè)。不過，后來又呈現(xiàn)出逐漸恢復(fù)的趨勢(shì)，在2021年第二季度達(dá)到了歷史最高值，即約33億個(gè)。

　　話雖如此，與DRAM的出貨數(shù)量的變化(新冠疫情之前約為40億個(gè)，疫情之后約為55億個(gè)，甚至更多)相比，NAND在新冠疫情之前的出貨數(shù)量約為30億個(gè)，疫情之后約為33億個(gè)，NAND數(shù)量的變化程度不及DRAM明顯。因此，可以斷言，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)生直線增長的“罪根禍?zhǔn)住辈皇荖AND，而是DRAM。

　　DRAM的即期價(jià)格(Spot Price)推移

　　分析至此，我們了解到，在2020年第四季度一一2021年第二季度期間，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)急劇擴(kuò)大的主要原因在于DRAM出貨數(shù)量的增長。那么，DRAM價(jià)格對(duì)于存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的造成了多大的影響?下面就DRAM的即期價(jià)格(Spot Price)和大宗交易價(jià)格(Contract Price)展開論述和分析。

　　首先，下圖6是2020年12月31日~2021年9月17日期間各類DRAM的即期價(jià)格，此處的“DDR”為“Double Data Rate(雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)”的縮寫，用以表示DRAM的規(guī)格，DDR3為DDR2的兩倍，DDR4為DDR3的兩倍。

　　各類DRAM的即期價(jià)格(2020年12月31日~2021年9月17日)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　從上圖6可以看出，與DDR3相比，DDR4 DRAM的價(jià)格較高，同樣的DDR4情況下，價(jià)格也按照16G、8G、4G的順序從高到低依次推移。DDR3 也是同樣，集成度高的產(chǎn)品價(jià)格相對(duì)較高。

　　下面我們把2020年12月31日的DRAM價(jià)格定為單位“1”，再看下各類DRAM的價(jià)格推移(下圖7)。2021年3月~4月期間，兩類DDR3＿2Gb的DRAM價(jià)格高達(dá)單位“1”的2.4~2.5倍。其次價(jià)格較高的是兩類DDR3_4G，價(jià)格高達(dá)單位“1”的1.9~2倍以上，兩類DDR4_4G的價(jià)格高達(dá)單位“1”的1.8~1.9倍。

　　把2020年12月31日的DRAM價(jià)格定為單位“1”后，各類DRAM的即期價(jià)格(至2021年9月17日)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　另一方面，集成度最高的16G產(chǎn)品在3月份達(dá)到了單位“1”的1.2倍左右，兩類DDR4_8G的產(chǎn)品的價(jià)格是單位“1”的1.4~1.5倍左右?？傊虳RAM的即期價(jià)格而言，即使是數(shù)據(jù)傳輸速率（bps）較低、集成度不高的傳統(tǒng)（Legacy）DRAM的價(jià)格也呈現(xiàn)較高趨勢(shì)。這種趨勢(shì)在DRAM的大宗交易價(jià)格推移中也可以見證。

　　DRAM的大宗交易價(jià)格(Contract Price)推移

　　下圖8是2020年9月~2021年8月期間各類DRAM的大宗交易價(jià)格(Contract Price)推移表，與即期價(jià)格一樣，價(jià)格按照DDR2、DDR3、DDR4的順序依次增高，同樣DDR的情況下，集成度高的產(chǎn)品價(jià)格較高。

　　各類DRAM的大宗交易價(jià)格(2020年9月~2021年8月)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　接下來，我們把2020年12月的大宗交易價(jià)格定為單位“1”，再來看看各類DRAM的價(jià)格推移(下圖9)，從下圖9 我們可以看出價(jià)格從高到低的順序?yàn)椋篋DR3_2G、DDR2_512M、DDR2_1G、DDR3_1G。然而，集成度最高的DRAM一一兩類DDR4＿8G的價(jià)格上漲的程度卻是最低的。

　　2020年12月的DRAM大宗交易價(jià)格定為單位“1”后，各類DRAM的大宗交易價(jià)格(至2021年8月)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　即，不管是即期價(jià)格還是大宗交易價(jià)格，傳統(tǒng)DRAM的價(jià)格都呈現(xiàn)高漲趨勢(shì)，且集成度高的DRAM價(jià)格上漲程度并不明顯。那么，為什么會(huì)發(fā)生以上情況呢?

　　新冠疫情與DRAM價(jià)格的關(guān)系

　　價(jià)格上漲相對(duì)較明顯的傳統(tǒng)DRAM的主要用途為家用電器等產(chǎn)品。由于新冠疫情的影響，很多人不得不“宅在家中(Stay At Home)”。結(jié)果，人們?yōu)榱耸孢m地度過宅在家中的生活，就網(wǎng)購了不少家用電器產(chǎn)品。而這些家用電器并不需要數(shù)據(jù)傳輸速率(bps)較高、集成度較高的DRAM。因此，不怎么在市場(chǎng)流動(dòng)的傳統(tǒng)DRAM的價(jià)格反而出現(xiàn)了上漲趨勢(shì)。

　　下面的內(nèi)容進(jìn)一步證實(shí)以上推論。首先，再看下圖7.價(jià)格高漲的傳統(tǒng)DRAM的即期價(jià)格自7月份開始下滑，此時(shí)新冠疫苗開始在全球范圍內(nèi)推廣，且很多城市解封。因此，“宅經(jīng)濟(jì)”帶來的需求出現(xiàn)了下滑。但是，傳統(tǒng)DRAM的大宗交易價(jià)格依舊呈現(xiàn)高漲趨勢(shì)，那么筆者的推論是否正確呢?還需要再次驗(yàn)證。

　　此外，下圖10是按照集成度來分的各月DRAM出貨數(shù)量。幾乎每3~4年，DRAM就會(huì)進(jìn)行一次更新?lián)Q代，現(xiàn)在主流的DRAM為4G以上的8G和16G。2G的即期價(jià)格和大宗交易價(jià)格在2013年達(dá)到最高，1G在2010年達(dá)到最高，512M在2008年達(dá)到最高，因此，出現(xiàn)市場(chǎng)上的DRAM的絕對(duì)數(shù)量是很少的，數(shù)量本身就很少的DRAM卻因?yàn)樾鹿谝咔槎蔀楸匦杵?，因此價(jià)格上漲了兩倍甚至更多。

　　按照集成度來分的各月DRAM出貨數(shù)量(1991年1月~2021年6月)，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　DRAM價(jià)格高漲對(duì)DRAM出貨金額的影響

　　下面我們?cè)倏聪聢D4中的2020年第四季度~2021年第一季度期間DRAM出貨金額大幅度上漲的情況，此處出貨金額大幅度增長的主要原因在于DRAM出貨數(shù)量的增長。

　　2020年第四季度~2021年第二季度期間，DRAM出貨金額增長的主要原因。（圖片出自：eetimes.jp）

那么，DRAM價(jià)格的上漲到底帶來了多大的影響呢?從上圖10的各集成度的DRAM出貨數(shù)量圖來看，可以看出，如今生產(chǎn)的產(chǎn)品幾乎都為4G、8G、16G。從上圖9可以看出，集成度較高的DRAM(如8G)的大宗交易價(jià)格幾乎上升了1.44倍。

　　下面我們計(jì)算一下，為什么在2020年第四季度~2021年第二季度期間，DRAM的出貨金額出現(xiàn)了急劇增長。

　　2020年第四季度~2021年第二季度期間，DRAM出貨金額增長的主要原因。(圖片出自：eetimes.jp)

　　DRAM的出貨金額從149.86億美元(約人民幣974.09億元)增至235.30億美元(約人民幣1.529.45億元)(1.57倍)。

　　DRAM的出貨數(shù)量從48.88億個(gè)增至55.29億個(gè)(1.13倍)。

　　主流的DDR4_8G的大宗交易價(jià)格從1.85美元(約人民幣12.02元)增至4.1美元(約人民幣26.65元)(1.44倍)。

　?。ǔ鲐洈?shù)量1.13）*（價(jià)格上升1.44）=1.62.

　　如上所述，DRAM出貨金額的增長比例(即1.57倍)幾乎與以上計(jì)算值(1.62.出貨數(shù)量的1.13*主流DRAM價(jià)格的1.44)一致。因此，可以說，上圖4中DRAM出貨金額的增長，與出貨數(shù)量的增加和價(jià)格的上漲兩個(gè)方面有關(guān)系。此外，原以為出貨數(shù)量增長的產(chǎn)品的影響會(huì)相對(duì)較大，其實(shí)，價(jià)格上漲的產(chǎn)品的影響反而更大。

　　NAND的即期價(jià)格推移

　　下面我們也順便分析一下NAND的即期價(jià)格和大宗交易價(jià)格(筆者事先聲明，很難分析其原因)。首先我們看一下下圖12.即2020年12月31日~2021年9月17日期間的各類NAND的即期價(jià)格推移。此處，SLC為“Single Level Cell(一個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)可寫入1bit)”的縮寫，MLC為“Multi Level Cell(一個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)可寫入2bit)”的縮寫，TLC為“Triple Level Cell(一個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)可寫入3 bit)”的縮寫。此外，所謂的3D TLC指的是3D NAND，不帶3D的NAND都是2D NAND。

　　各類NAND的即期交易價(jià)格(2020年12月31日~2021年9月17日)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　我們?cè)倏聪律蠄D12.3D TLC 1T(1 TB，Terabyte，太字節(jié))的價(jià)格最貴，SLC 1G和SLC 2G的價(jià)格最低，其他產(chǎn)品不呈現(xiàn)規(guī)律性。

　　與DRAM一樣，我們把2020年12月31日的價(jià)格看做單位“1”后各類NAND的價(jià)格推移如下圖13所示。要解釋下圖13.是十分困難的。首先，從整體來看，與DRAM的即期交易價(jià)格一樣，NAND也沒有價(jià)格增長達(dá)兩倍的現(xiàn)象。價(jià)格上漲最明顯的SLC_2G也不過僅上漲了1.2~1.27倍。

　　把2020年12月31日的NAND價(jià)格看做單位“1”后，各類NAND的即期交易價(jià)格(至2021年9月17日)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　此外，從上圖13 還可以看出，MLC_128G和MLC_256G的價(jià)格幾乎呈直線上漲，此外，SLC_16G的價(jià)格在八月下旬突然出現(xiàn)高漲。另一方面，SLC_8G在4月中旬以來，低于單位“1”，為0.93.且一直持續(xù)低迷。

　　那么，為什么NAND會(huì)出現(xiàn)以上趨勢(shì)呢？無法很清晰地解釋其理由，比方說，SLC_2G和SLC_1G的價(jià)格呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)。SLC類產(chǎn)品集成度較低，可用于車載方向(雖然要求的可靠性較高，但集成度要求較低，筆者想不出其他方向用途，不過，此處也并非是有力例證)。

　　NAND大宗交易價(jià)格的推移

　　下面我們看下2020年12月~2021年8月期間的各類NAND的大宗交易價(jià)格推移(下圖14)。其中，價(jià)格最高的為SLC_32G，其次為SLC_16G，然后為MLC_128G。此處可以看出，NAND的價(jià)格高低與集成度并不成正比。

　　各類NAND的大宗交易價(jià)格(2020年12月~2021年8月)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　集成度同樣為32G，MLC的價(jià)格為3美金左右(約人民幣19.5元)，SLC的價(jià)格是MLC的四倍多，為12.55美元(約人民幣81.56元)，即，汽車、高性能計(jì)算機(jī)等對(duì)可靠性要求較嚴(yán)格的產(chǎn)品一般采用的是SLC，而不是MLC。

　　NAND廠家也在研發(fā)TLC的下一代產(chǎn)品：Quad Level Cell(4 Bit Cell)和 Penta Level Cell(5 Bit Cell)，然而，這些Multi-bit-cell產(chǎn)品似乎并不是適用于所有的終端產(chǎn)品。

　　我們把2020年12月的大宗交易價(jià)格定為單位“1”后，再來看看各類NAND的價(jià)格推移(下圖15)，在2021年3月~4月期間幾乎所有的NAND的價(jià)格都上漲至1.06~1.11倍，6月至7月再次上漲至1.5~1.18倍。

　　把2020年12月的大宗交易價(jià)格定為單位“1”后，各類NAND的大宗交易價(jià)格(至2021年8月)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　此外，在2021年8月，價(jià)格上漲程度從高到低依次為：MLC_32G、MLC_128G、MLC_64G、SLC_1G(此時(shí)，筆者覺得頭腦一片混亂)!的確，SLC_1G的即期價(jià)格的上升程度較明顯(參考上圖13 )，截止到8月中旬，即期交易價(jià)格上漲最明顯的SLC＿2G的大宗交易價(jià)格幾乎沒有上漲(請(qǐng)對(duì)比上圖13和圖15)。

　　此處我們匯總一下，就NAND而言，無論是即期價(jià)格還是大宗交易價(jià)格的變化程度都不及DRAM。此外，存儲(chǔ)單元（Memory Cell）的大小、集成度與NAND的價(jià)格之間似乎不存在正相關(guān)關(guān)系。另外，從下圖16可以看出，當(dāng)下主流生產(chǎn)的256G  NAND正在被512G以上高集成度產(chǎn)品取代。

　　各集成度的NAND的每月出貨數(shù)量(1991年1月~2021年6月)，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的急劇增長會(huì)持續(xù)到何時(shí)?

　　從各個(gè)季度的各類半導(dǎo)體的出貨金額(上圖3)來看，2020年第四季度~2021年第二季度期間，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)急劇增長，上文中筆者已經(jīng)論述了出現(xiàn)急劇增長的主要原因在DRAM，不在NAND。此外，DRAM的季度最高出貨數(shù)量超過了55億個(gè)，且作為主力的8G的大宗交易價(jià)格上漲了1.44倍，因此，DRAM的出貨金額增長了1.57倍，增至235.3億美元(約人民幣1.529.45億元)。

　　此外，我們還了解到傳統(tǒng)DRAM的即期價(jià)格和大宗交易價(jià)格都增長了兩倍多。由于傳統(tǒng)DRAM的絕對(duì)數(shù)量較少，因此當(dāng)“宅經(jīng)濟(jì)”帶動(dòng)各類家電產(chǎn)品需求增長時(shí)，傳統(tǒng)DRAM價(jià)格出現(xiàn)了高漲。

　　DRAM市場(chǎng)(或者說存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng))的急劇增長會(huì)持續(xù)到什么時(shí)候呢?這要看MPU（微處理器，Micro Processor Unit）的情況(下圖17)，2016年英特爾的10納米工藝啟動(dòng)失敗。后來，英特爾雖然又繼續(xù)為14納米“續(xù)命”，為了提高M(jìn)PU的性能，增加核(Core)數(shù)，因此芯片面積增大，導(dǎo)致從單顆晶圓上獲得的芯片數(shù)量減少。

　　MPU、DRAM、NAND在每個(gè)季度的出貨數(shù)量，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖。(圖片出自：eetimes.jp)

　　從上圖17可以看出，2016年第三季度全球MPU出貨數(shù)量為1.36億個(gè)，2019年第一季度下滑了4.800萬個(gè)，下滑至8.800萬個(gè)。由于全球MPU供給不足，以計(jì)算機(jī)和服務(wù)器為終端用途而生產(chǎn)的DRAM和NAND“充斥”著整個(gè)市場(chǎng)，最終導(dǎo)致DRAM和NAND價(jià)格暴跌，最終導(dǎo)致全球半導(dǎo)體的不景氣。

　　2021年第二季度MPU出貨數(shù)量為1.2億個(gè)。雖然還不及2016年第三季度的峰值，但出貨數(shù)量在逐步增長。也可能是英特爾的10納米量產(chǎn)已經(jīng)有了眉目。也有可能是為AMD代工的TSMC的MPU產(chǎn)量出現(xiàn)了增長!

　　如今，MPU的出貨數(shù)量在穩(wěn)步增長，存儲(chǔ)半導(dǎo)體的價(jià)格應(yīng)該不會(huì)出現(xiàn)大幅度下滑。但是，當(dāng)英特爾在美國亞利桑那州的新半導(dǎo)體工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)（2024年），MPU有可能會(huì)出現(xiàn)供給過剩。

　　此時(shí)，筆者真心希望各國、各半導(dǎo)體廠家都不要成為電影《漢姆林衣色斑駁的吹笛手(英文名：The Pied Piper of Hamelin)》中跟著笛聲跳舞的老鼠;希望各家半導(dǎo)體廠商都認(rèn)真地進(jìn)行市場(chǎng)營銷，冷靜且有計(jì)劃地生產(chǎn)半導(dǎo)體，真心希望不要進(jìn)行無意義的競(jìng)爭。