半導(dǎo)體協(xié)會(huì)秘書長常軍鋒談:新變局下的中國半導(dǎo)體新機(jī)遇

時(shí)間:2022-01-04

來源:中國傳動(dòng)網(wǎng)

導(dǎo)語:近日,“2021年中國運(yùn)動(dòng)控制/直驅(qū)產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳隆重舉行,五百多名業(yè)內(nèi)人士匯聚一堂,共謀行業(yè)發(fā)展大計(jì)。在主論壇環(huán)節(jié),深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長常軍鋒發(fā)表《新變局下的中國半導(dǎo)體新機(jī)遇》的演講,深入介紹國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及發(fā)展機(jī)遇、以及新時(shí)期下對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的思考。

近日,“2021年中國運(yùn)動(dòng)控制/直驅(qū)產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳隆重舉行,五百多名業(yè)內(nèi)人士匯聚一堂,共謀行業(yè)發(fā)展大計(jì)。


在主論壇環(huán)節(jié),深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長常軍鋒發(fā)表《新變局下的中國半導(dǎo)體新機(jī)遇》的演講,深入介紹國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及發(fā)展機(jī)遇、以及新時(shí)期下對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的思考。


// 國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀


據(jù)介紹,2020年全球半導(dǎo)體銷售收入為4404億美元,同比2019年增長6.9%,預(yù)計(jì)2021年全球IC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)4884億美元,增速為10.9%。


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2015-2020年全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模及增長情況


2020年我國半導(dǎo)體市場(chǎng)需求19270.3億元,同比增長7.8%,半導(dǎo)體產(chǎn)品需求持續(xù)強(qiáng)勁增長。


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2014-2020年我國半導(dǎo)體市場(chǎng)需求增長狀況


2020年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為8848億元,同比增長17.0%。其中,設(shè)計(jì)業(yè)銷售額3778.4億元,同比增長23.3%;制造業(yè)銷售額為2560.1億元,同比增長 19.1%;封裝測(cè)試業(yè)銷售額2509.5億元,同比增長6.8%。


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2015-2020年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入規(guī)模增長情況


2020年我國進(jìn)口集成電路5435億塊,同比增長22.1%,進(jìn)口金額3500.4億美元,同比增長 14.6%;出口集成電路2598億塊,同比增長18.8%,出口金額1166億美元,同比增長14.8%,貿(mào)易逆差達(dá)到2334.4億美元。


中國集成電路進(jìn)出口金額統(tǒng)計(jì)情況.jpg

2015-2020年中國集成電路進(jìn)出口金額統(tǒng)計(jì)情況


2020年全球半導(dǎo)體研發(fā)支出達(dá)到 728 億美元,較 2019 年增長 8.67%,研發(fā)支出前十大半導(dǎo)體公司合計(jì)479億美元,較2019年成長13.2%。


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2020年全球半導(dǎo)體研發(fā)支出前十大企業(yè)


2020年全球前十大專屬晶圓代工企業(yè)營收額為4424億元,其中中國臺(tái)灣地區(qū)占到4家,臺(tái)積電的綜合營收占前十大專屬晶圓代工企業(yè)營收總和的66%。


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2020全球十大專屬晶圓代工企業(yè)


2020年全球十大IC封測(cè)業(yè)營收額為1589.76億元,總市占率為83.976%。


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2020年全球IC封測(cè)業(yè)前十大代工企業(yè)


// 國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備制造商產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀


SEMI 數(shù)據(jù)顯示,2020 年全球半導(dǎo)體設(shè)備制造商的銷售額為 711.9 億美元, 比 2019 年的597.5 億美元增長了 19%,這一數(shù)據(jù)超越了 2018 年銷售額最高點(diǎn)再創(chuàng)歷史新高。


其中,全球晶圓加工設(shè)備的銷售額增長了 19%,其他前端細(xì)分市場(chǎng)(包括掩膜 / 掩模版制造,硅片制造和傳送系統(tǒng)、凈化系統(tǒng))的銷售額增長了 4%,封裝設(shè)備顯示強(qiáng)勁增長,2020 年市場(chǎng)銷售額增長 34%,測(cè)試設(shè)備銷售額增長 20%。


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全球半導(dǎo)體設(shè)備投資額變化趨勢(shì)(億美元)


2020 年,國內(nèi)集成電路制造、封測(cè)生產(chǎn)線新建和擴(kuò)建項(xiàng)目增多,國內(nèi)市場(chǎng)對(duì)集成電路設(shè)備的需求量大增,中國大陸市場(chǎng)的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額比上年增長 39%,達(dá)到 187.2 億美元,首次成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。


中國臺(tái)灣地區(qū)則是第二大設(shè)備市場(chǎng),其銷售額在 2019 年呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長后,在 2020 年保持穩(wěn)定,達(dá)到 171.5 億美元。


韓國保持 61% 的增長,達(dá)到 160.8 億美元,居第三位。日本和歐洲分別增長了21% 和 16%,這兩個(gè)地區(qū)開始逐步從 2019 年的經(jīng)濟(jì)衰退中恢復(fù)。而對(duì)于北美地區(qū),在經(jīng)歷連續(xù)三年增長之后,2020 年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額相比于上年降低了 20%。


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2020 年全球主要國家 / 地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模(億美元)


// 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)


對(duì)于我國半導(dǎo)體行業(yè)面對(duì)的機(jī)遇和挑戰(zhàn),深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長常軍鋒指出,1、全國產(chǎn)業(yè)政策密集發(fā)布,產(chǎn)業(yè)得到高度重視,多緯度多層級(jí)支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展;2、國產(chǎn)自主可控,促使國產(chǎn)產(chǎn)品在相關(guān)領(lǐng)域得到應(yīng)用落地;3、電子信息業(yè)繼續(xù)保持高速發(fā)展,從而帶動(dòng)上游不斷創(chuàng)新,為走出去奠定基礎(chǔ);4、產(chǎn)業(yè)基金、證券(科創(chuàng)板、創(chuàng)業(yè)板、北交所等)、銀行等提供資本支撐等利好因素將推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)積極、健康發(fā)展;


與此同時(shí),1、國際環(huán)境日趨復(fù)雜,給產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈安全帶來挑戰(zhàn);2、微電子技術(shù)迅猛發(fā)展,帶來的技術(shù)先進(jìn)性的挑戰(zhàn),關(guān)鍵技術(shù)突破困難;3、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的激烈競爭,企業(yè)高度集中,參與難度加大;知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的壁壘逐步強(qiáng)化,人才需求進(jìn)一步吃緊等復(fù)雜情況也帶來新的挑戰(zhàn)。


今年以來我國制造業(yè)普遍出現(xiàn)芯片荒,常秘書長認(rèn)為有以下幾方面的原因:


其一、美國挑起的貿(mào)易摩擦,打亂了全球化的供應(yīng)鏈體系,每家整機(jī)廠商都在恐慌性備貨。整機(jī)制造廠從提倡的零庫存轉(zhuǎn)向自庫存?zhèn)湄?,富士康庫存?個(gè)月以上;


其二、中間環(huán)節(jié)渠道商和中間商囤貨和炒貨、串貨;


其三、由于疫情影響,產(chǎn)業(yè)鏈端:全球產(chǎn)業(yè)鏈上的企業(yè)產(chǎn)能影響;應(yīng)用端:平板、電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的需求增加;


其四、新能源汽車及配套產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率器件/模塊的需求持續(xù)高漲。


值得一提的是,常秘書長指出從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來看,我國目前的最薄弱環(huán)節(jié)為基礎(chǔ)材料研究和先進(jìn)設(shè)備制造。中國設(shè)計(jì)業(yè)和封測(cè)業(yè)相對(duì)進(jìn)步較快,其中制造行業(yè)最為薄弱。中國以及粵港澳大灣區(qū)最具優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。


應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈.jpg

第三代半導(dǎo)體材料主要包括SiC、GaN、金剛石等,因其禁帶寬度(Eg)大于或等于2.3電子伏特(eV),又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。


第三代半導(dǎo)體.jpg

和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn),可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求,是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最有前景的材料,在國防、航空、航天、石油勘探、光存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用前景。


在寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等眾多戰(zhàn)略行業(yè)可以降低50%以上的能量損失,最高可以使裝備體積減小75%以上,對(duì)人類科技的發(fā)展具有里程碑的意義。


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