最受矚目的第三代半導(dǎo)體項目，“華為概念股”山東天岳終于上市，市場反應(yīng)相當(dāng)直接。

　　1月12日，山東天岳先進科技股份有限公司(以下簡稱“天岳先進”)正式在科創(chuàng)板敲鐘上市，發(fā)行價格為82.79元/股。

　　作為國內(nèi)最早實現(xiàn)4英寸碳化硅襯底量產(chǎn)的公司，天岳先進被視為中國第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍人物，又因為華為在2019年的強勢站臺，讓該公司在創(chuàng)下一年內(nèi)估值上漲10倍的記錄。

　　孰料，這樣一家號稱掌握第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)，且被市場寄予厚望的公司，股價在上市次日即跌破發(fā)行價。截至1月13日收盤，天岳先進每股報81.99元，跌幅4.11%。

山東天岳份額提升明顯

　　部分市場人士認(rèn)為，天岳先進尚未實現(xiàn)盈利是該公司股價表現(xiàn)不佳的重要原因，亦有產(chǎn)業(yè)鏈消息人士指出，目前該公司在實際產(chǎn)能和技術(shù)上都仍存在著較大不足。

　　問題是，為什么持續(xù)虧損多年且產(chǎn)能欠缺的天岳先進，卻能夠受到華為等巨頭，以及眾多投資機構(gòu)的青睞?

　　蔣民華院士余響

　　上世紀(jì)50年代，美國麻省理工大學(xué)開始嘗試用鍺作為半導(dǎo)體材料開發(fā)集成電路，但由于鍺的抗高溫性及抗輻射性較差，在60年代開始逐漸被單晶硅半導(dǎo)體所替代。

　　由此，人類電子信息行業(yè)正式進入飛速發(fā)展時期。時至今日，人類社會中90%以上的芯片使用的襯底材料仍然是單晶硅，未來這一數(shù)字也不會發(fā)生太大的變化，但隨著第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，人們開始逐漸意識到其在特定領(lǐng)域內(nèi)的壓倒性優(yōu)勢。

　　所謂第三代半導(dǎo)體，即以碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)等材料為代表，與傳統(tǒng)的單晶硅半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。

　　這些特性讓第三代半導(dǎo)體材料在5G通信、特高壓、新能源汽車等領(lǐng)域能夠大展拳腳，而這些行業(yè)恰恰是國內(nèi)新基建概念下的核心領(lǐng)域，這也很好解釋了天岳先進的投資方多集中于通信與電動車行業(yè)的原因。

　　本世紀(jì)初，山東大學(xué)蔣民華院士組建了碳化硅課題組開始攻關(guān)，并掌握了N型和半絕緣SiC體塊單晶的生長和加工技術(shù)，成功研制出碳化硅單晶爐，實現(xiàn)了從單晶生長爐制造、單晶生長、襯底加工和應(yīng)用的全部國產(chǎn)化實驗。

　　目前國內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)幾乎全部出自于山東大學(xué)晶體材料研究所之手。

　　2011年5月，蔣民華院士仙逝，由于碳化硅半導(dǎo)體較大的不確定性，鮮有企業(yè)愿意承接這一項目，課題也因此一度中斷。此時，從事工程器械的宗艷民在得知這一項目后，果斷購買了山東大學(xué)碳化硅材料技術(shù)。

　　由于自身的材料學(xué)背景，宗艷民敏銳地察覺到碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)未來的價值，并開始了該項技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化探索。

　　2015年，天岳先進4英寸碳化硅襯底投入生產(chǎn)，在隨后的幾年里，公司的業(yè)務(wù)逐漸分為半絕緣性碳化硅襯底和導(dǎo)電性碳化硅襯底兩大板塊。

　　前者可制成微波射頻器件，應(yīng)用于信息通訊、無線電探測等領(lǐng)域。后者則可制成MOSFET、IGBT等功率器件，應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通以及大功率傳輸變電等。

　　幾乎在同一時間，半絕緣性碳化硅襯底在射頻芯片上的應(yīng)用也引起了華為的注意。

　　華為入場，天岳先進的如夢時刻

　　2019年8月，天岳先進首次對外融資便引進了華為旗下子公司哈勃投資，這也被外界視為海思進軍第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要信號。

　　不過此時的華為可能并沒有這種打算。在哈勃投資企業(yè)的名單中，涵蓋了半導(dǎo)體材料、射頻芯片、顯示器、模擬芯片、EDA、測試、CIS圖像傳感器、光刻機等半導(dǎo)體行業(yè)的全部細(xì)分領(lǐng)域，但這些投資背后主要的邏輯是華為對國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的扶持。

　　或許是無心插柳，又或許是未雨綢繆，哈勃對天岳先進的投資很快就起到了至關(guān)重要的作用。

　　2020年，美國商務(wù)部一紙禁令讓華為無法從臺積電獲得5G芯片，此舉讓華為的手機業(yè)務(wù)受到重創(chuàng)。

　　所以我們能夠看到，在2021年底華為的旗艦產(chǎn)品P50 Pocket只能搭載4G版本的高通芯片，而解決這一問題的關(guān)鍵就是射頻芯片的國產(chǎn)化。

　　根據(jù)天岳先進的招股書，目前公司前兩大客戶合計貢獻60%的營業(yè)收入，盡管天岳先進并沒有公開這兩家客戶的名字，但通過“B公司屬通信行業(yè)，主要應(yīng)用信息通信射頻器件”和“公司關(guān)聯(lián)方”等關(guān)鍵信息，不難判斷出這家公司正是華為。

　　而在招股書中公開的另一項關(guān)鍵交易信息中，天岳先進表示該客戶對公司的采購金額從2019年的1632.82萬元，提升至2020年的14154.57萬元。在一年的時間內(nèi)，華為對天岳先進的采購進額增長了一個量級，這也不免讓人質(zhì)疑天岳先進引進哈勃投資有用股權(quán)換取采購訂單的目的。

　　憑借哈勃投資的背書，天岳先進在資本市場中開啟了“開掛模式”。在哈勃投資完成股份認(rèn)繳的4個月后，海通新能源、遼寧中德等公司隨即對天岳先進增資，這一系列資本進入讓后者的估值隨之水漲船高。

　　2020年，天岳先進前后又進行了三輪融資，又引入了28家投資機構(gòu)，截至2020年底，公司的估值已經(jīng)超過百億，達到年初的十倍。

　　不僅僅是通信行業(yè)，隨著國內(nèi)車企陸續(xù)發(fā)布搭載800V高電壓平臺的車型，這場高壓快充升級革命讓碳化硅材料成為焦點。據(jù)天風(fēng)證券測算，使用碳化硅材料可讓電機逆變器效率提升4%，這將讓電動車的續(xù)航里程至少提高7%。

　　本月6日，天岳先進公布了科創(chuàng)板上市發(fā)行結(jié)果，寧德時代旗下問鼎投資、廣汽集團旗下廣祺柒號、上汽集團、小鵬汽車均現(xiàn)身其中，這也意味著碳化硅在電動汽車領(lǐng)域的發(fā)展已基本達成共識。

　　車規(guī)產(chǎn)品進展緩慢

　　雖然被眾多資本機構(gòu)看好，但上市次日破發(fā)的情況的確讓人出乎意料，財務(wù)狀況不佳或為直接原因。

　　根據(jù)招股書公示信息，從2018年-2020年，天岳先進歸母凈利潤為別為-4213.96萬元，-20068.36萬元，-64161.32萬元。天岳先進對此表示，報告期內(nèi)，公司尚未盈利主要系實施股權(quán)激勵確認(rèn)高額股份支付費用所致，扣除費經(jīng)常性損益后2019年、2020年均已實現(xiàn)盈利。

　　除連年虧損外，更大的問題是天岳先進很難滿足于華為在射頻芯片上愈發(fā)緊迫的需求。

　　產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，海思第三代半導(dǎo)體項目團隊對當(dāng)前天岳先進的進展并不滿意，“無論是在產(chǎn)能上，還是在技術(shù)上”。根據(jù)海思團隊的判斷，天岳先進可能要在2025年才能滿足于成熟技術(shù)的大批量出貨。

　　需要說明的是，盡管第三代半導(dǎo)體是5G射頻芯片的最佳方案，但并不是唯一方案，比如國內(nèi)射頻芯片龍頭卓勝微就是采用第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵，去作為5G射頻芯片的原材料。

　　而在電動車領(lǐng)域，天岳先進的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)也存在著很大的問題。

　　上文中曾提到，第三代半導(dǎo)體材料在電動車領(lǐng)域中的應(yīng)用主要為導(dǎo)電型碳化硅襯底，而天岳先進的招股書顯示，2021年上半年，公司導(dǎo)電型碳化硅襯底僅為61.08萬元，占公司整體營收0.25%。

　　這也意味著天岳先進的電動車相關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用幾稀。天岳先進也坦言，盡管公司與全球行業(yè)龍頭企業(yè)相比在同尺寸產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)上不存在明顯差距，但大尺寸規(guī)模量產(chǎn)的能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國際巨頭。