據(jù)了解，《意見》提出，到2025年，武漢全市半導體產(chǎn)業(yè)能級明顯提升，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更加合理，設(shè)備、材料、封測配套水平對關(guān)鍵領(lǐng)域形成有力支撐。

　　產(chǎn)業(yè)規(guī)模方面，到2025年，芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過1200億元，半導體顯示產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過1000億元，第三代半導體產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。

　　技術(shù)水平方面，到2025年，發(fā)明專利年均增速超過15%，創(chuàng)建3—5個國家級創(chuàng)新平臺，牽頭制定2—4項行業(yè)標準，突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)，實現(xiàn)一批關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)化和應(yīng)用。

　　市場主體方面，到2025年，培育形成5家銷售收入超過100億元的芯片企業(yè)、5家銷售收入超過 100億元的半導體顯示企業(yè)、5家銷售收入超過10億元的半導體設(shè)備與材料企業(yè)，半導體企業(yè)總數(shù)超過500家，上市企業(yè)新增3—5家。

　　《意見》提出的重點任務(wù)和產(chǎn)業(yè)布局如下：

　　重點任務(wù)

　　(一)瞄準薄弱環(huán)節(jié)補鏈

　　1.增強集成電路設(shè)備、材料和封測配套能力。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦三維集成特色工藝，研發(fā)刻蝕、沉積和封裝設(shè)備，引入化學機械研磨(CMP)機、離子注入機等國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項目;在材料環(huán)節(jié)，圍繞先進存儲器工藝，開發(fā)拋光墊、光刻膠、電子化學品和鍵合材料，布局化學氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大硅片等材料項目;在封測環(huán)節(jié)，引進和培育國內(nèi)外封裝測試領(lǐng)軍企業(yè)，突破先進存儲器封裝工藝，推進多芯片模塊、芯片級封裝、系統(tǒng)級封裝等先進封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

　　2.加快半導體顯示設(shè)備和材料國產(chǎn)化替代。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦有機發(fā)光二極管(OLED)中小尺寸面板工藝，研發(fā)光學檢測、模組自動化設(shè)備，引入顯示面板噴印、刻蝕機、薄膜制備等國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項目;在材料環(huán)節(jié)，支持液晶玻璃基板生產(chǎn)項目建設(shè)，加快 OLED 發(fā)光材料、柔性基板材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，引入濾光片、偏光片、靶材等國產(chǎn)材料生產(chǎn)項目。

　　3.布局第三代半導體襯底及外延制備。在設(shè)備環(huán)節(jié)，支持物理氣相傳輸法(PVT)設(shè)備、金屬有機化合物氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)等工藝設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;在材料環(huán)節(jié)，引進碳化硅(SiC)襯底、SiC 外延、氮化鎵(GaN)襯底生產(chǎn)線，布局 GaN 外延晶片產(chǎn)線。

　　(二)立足現(xiàn)有基礎(chǔ)強鏈

　　1.打造存儲、光電芯片產(chǎn)業(yè)高地。在存儲芯片領(lǐng)域，重點引入控制器芯片和模組開發(fā)等產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)，研發(fā)超高層數(shù)三維閃存芯片、40 納米以下代碼型閃存、動態(tài)隨機存取存儲器、三維相變存儲器、存算一體芯片等先進存儲芯片;在光電芯片領(lǐng)域，支持 25G 以上光收發(fā)芯片、50G 以上相干光通信芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，布局硅基光通信芯片、高端光傳感芯片、大功率激光器芯片等高端光電芯片制造項目。

　　2.建設(shè)國內(nèi)重要半導體顯示產(chǎn)業(yè)基地。在顯示面板領(lǐng)域，引進大尺寸 OLED、量子點顯示、亞毫米發(fā)光二極管(MiniLED)顯示等面板生產(chǎn)項目，布局微米級發(fā)光二極管(MicroLED)顯示、激光顯示、8K 超高清、3D 顯示等未來顯示技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;在顯示模組領(lǐng)域，支持全面屏、柔性屏模組的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，加快開發(fā)高端面板屏下傳感元件及模組，引入光學鏡頭、背光模組等生產(chǎn)項目，逐步提升對中高端面板的產(chǎn)業(yè)配套能力。

　　(三)聚焦熱點領(lǐng)域延鏈

　　1.通信射頻芯片。支持 5G 絕緣襯底上硅(SOI)架構(gòu)射頻芯片、射頻電子設(shè)計自動化(EDA)軟件研發(fā);面向 5G 基站、核心網(wǎng)、接入網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施市場，重點發(fā)展基帶芯片、通信電芯片、濾波器等關(guān)鍵芯片。

　　2.通用邏輯芯片。加快圖形處理器(GPU)、顯控芯片的開發(fā)及應(yīng)用，提升知識產(chǎn)權(quán)(IP)核對中央處理器(CPU)、人工智能芯片等邏輯芯片的設(shè)計支撐能力，布局信創(chuàng)領(lǐng)域處理器項目。

　　3.北斗導航芯片。支持研發(fā)北斗三號系統(tǒng)的新一代導航芯片、28 納米高精度消費類北斗導航定位芯片、新一代多模多頻高精度基帶系統(tǒng)級芯片;面向交通、物流、農(nóng)業(yè)、城市管理等領(lǐng)域開發(fā)通導一體化北斗芯片，拓展北斗應(yīng)用。

　　4.車規(guī)級芯片。推進數(shù)字座艙芯片、駕駛輔助芯片、功率器件、汽車傳感器等車規(guī)級芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目;面向新能源汽車，布局動力系統(tǒng)、主被動安全系統(tǒng)、娛樂信息系統(tǒng)、車內(nèi)網(wǎng)絡(luò)、照明系統(tǒng)車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)化項目。

　　(四)圍繞前沿領(lǐng)域建鏈

　　1.第三代半導體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等 3 個應(yīng)用方向，引入碳化硅(SiC)功率晶體管、氮化鎵(GaN)充電模塊、GaN 功率放大器、高光效 LED、MiniLED 等器件項目;支持中高壓 SiC 功率模塊、GaN 5G 射頻開關(guān)、紫外 LED 的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，突破 SiC 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、毫米波射頻器件、MicroLED 關(guān)鍵技術(shù)。

　　2.量子芯片。支持單光子源、激光器、探測器等光量子芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;布局量子傳感器、量子精密測量器件等生產(chǎn)項目;開展量子通信、量子成像、量子導航、量子雷達、量子計算芯片共性前沿技術(shù)攻關(guān)。

　　產(chǎn)業(yè)布局

　　(一)打造相對完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈聚集區(qū)。重點發(fā)展三維集成工藝、先進邏輯工藝，加快推進先進存儲器等重點制造項目建設(shè);重點發(fā)展中高端芯片設(shè)計、IP 核設(shè)計、EDA 軟件等產(chǎn)業(yè)，加快推進精簡指令集(RISC—V)產(chǎn)學研基地建設(shè);培育裝備、材料、零部件、封測等產(chǎn)業(yè)，加快推進硅基 SOI 半導體材料、光刻材料及電子溶劑、筑芯產(chǎn)業(yè)園等配套項目建設(shè)。

　　(二)構(gòu)建差異化半導體顯示產(chǎn)業(yè)核心區(qū)。重點發(fā)展中小尺寸顯示面板、大尺寸顯示面板等產(chǎn)業(yè)，加快半導體顯示產(chǎn)業(yè)鏈向上下游延伸發(fā)展，培育核心設(shè)備、關(guān)鍵材料、模組、元器件、顯示終端等產(chǎn)業(yè)，推進華星 t4、華星 t5、天馬 G6 二期、京東方 10.5 代線擴產(chǎn)、創(chuàng)維 MiniLED 顯示產(chǎn)業(yè)園等項目建設(shè)。

　　(三)創(chuàng)建半導體特色產(chǎn)業(yè)區(qū)。重點發(fā)展光電芯片、第三代化合物半導體等產(chǎn)業(yè)，推進紅外傳感芯片制造、微機電(MEMS)與傳感工業(yè)技術(shù)研究院等項目建設(shè);培育車規(guī)級芯片、工控芯片等產(chǎn)業(yè)，推進國家新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車基地建設(shè);培育顯示芯片、信息安全芯片等產(chǎn)業(yè)，推進國家網(wǎng)絡(luò)安全人才與創(chuàng)新基地建設(shè);培育人工智能芯片、通用邏輯芯片等產(chǎn)業(yè)，推進國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)建設(shè)。