消息稱國產17nm工藝內存芯片良率已達40%

時間：2022-02-23

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導語：來自大摩的分析稱，合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經達到了40%，預計Q2季度就會給客戶供應產品，其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內存更有優(yōu)勢。

       經過幾年的追趕，國產DRAM內存芯片由合肥長鑫在2019年量產，首發(fā)的是19nm工藝，今年合肥長鑫就要推出下一代的17nm工藝內存芯片了，不過首發(fā)產品不是傳聞中的DDR5，而是DDR4。

　　來自大摩的分析稱，合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經達到了40%，預計Q2季度就會給客戶供應產品，其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內存更有優(yōu)勢。

　　至于生產方面，大摩稱合肥長鑫的產能今年會增加到8萬片晶圓/月，并在北京新建工廠，量產17nm工藝內存芯片。

　　此前的報道中，長鑫還會研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內存，再下一代的10G5工藝中，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。

　　此外，長鑫在2020年、2021年分別實現了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標，2022年的產能目標是12萬片晶圓/月，未來的產能目標是30萬片晶圓/月。

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