眾所周知， 所有的國產(chǎn)智能手機中，華為應(yīng)該是元件國產(chǎn)化程度最高的，能使用國產(chǎn)的元件，華為一般都是盡量使用國產(chǎn)的。
但即便是國產(chǎn)化程度最高，華為手機中依然有幾大部分是無法國產(chǎn)化的，第一是5G射頻前端，這部分主要來自于高通、Skyworks和Qorvo。
另外則是存儲部分，也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存，這部分來自于三星、美光、SK海力士、東芝等廠商。
至于其它關(guān)鍵元件，像Soc華為有麒麟芯片，而操作系統(tǒng)華為有鴻蒙，這些都可以國產(chǎn)化。
不得不說，只要是無法國產(chǎn)化的部分，就有被卡脖子的風(fēng)險，這不因為5G射頻芯片買不到，所以華為的5G芯片當4G用，就算有麒麟9000芯片，也只能推出了4G版的P50，就是如此。
另外稱美光等廠商，據(jù)稱在DRM內(nèi)存、NAND閃存的出貨方面，也有一定的限制。
所以對于華為而言，想要重新推出5G手機，就得一步一步的解決卡脖子的問題，盡量的實現(xiàn)100%的國產(chǎn)替代才行。
而近日，就傳出消息，華為打算直接采購國產(chǎn)NAND裸芯片，自己封裝，走出解決卡脖子的第一步。
我們知道芯片都是由晶圓制造而成的，晶圓在完成全部制造工序后，還是一整塊圓的大晶圓，接下來會分割成一塊一塊的芯片，這稱之為Die，而這一小塊進行封裝后，就成為一顆成品芯片，NAND閃存也是如此。
媒體報道稱，華為計劃是找長江存儲直接采購NAND閃存制造后的一大片裸晶圓，然后自己來切割成Die，再自己來封裝成需要的NAND閃存顆粒。
因為像裸的晶圓原片，是不容易受管控的，拿到后再切割，再到封裝，這些技術(shù)難度并不大，且華為之前也已經(jīng)涉及到了PCB和板卡級、IC基板技術(shù)、數(shù)字電源等的封裝。
而華為之前也申請了眾多的IGBT、芯片封裝的多項技術(shù)專利，那么就只要安裝好芯片封裝設(shè)備，就可以進行了。
甚至如果這一步進展順利，未來還可以過渡到采購更多的裸晶圓，自己切割成Die來自己封裝，還可以封裝更多的芯片出來，比如自動駕駛芯片，IGBT芯片，甚至射頻芯片、Soc等?
特別是現(xiàn)在小芯片(Chiplet)技術(shù)流行，昨天intel、AMD、ARM、高通等10大巨頭更是成立了小芯片聯(lián)盟，推出了統(tǒng)一的小芯片標準“UCIe”，未來芯片封裝這一塊，也更為重要了。
目前華為還沒有對此事作出回應(yīng)，但想必不是空穴來風(fēng)，華為完全有這個能力，也有必要。
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