光刻機(jī)是芯片生產(chǎn)制造的必要設(shè)備，目前，最先進(jìn)的光刻機(jī)技術(shù)掌握在ASML手中。數(shù)據(jù)顯示，ASML研發(fā)生產(chǎn)的DUV光刻機(jī)，能夠生產(chǎn)7nm以上的芯片，而EUV光刻機(jī)則能夠生產(chǎn)制造7nm以下的芯片，兩款光刻機(jī)幾乎占領(lǐng)了中高端市場(chǎng)。最主要的是，EUV光刻機(jī)是生產(chǎn)7nm以下芯片的必要設(shè)備，所以，臺(tái)積電才大量安裝EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在2021年安裝超過(guò)50臺(tái)。另外，三星也加入其中，李在镕更是親自前往ASML，協(xié)商購(gòu)買(mǎi)更多的EUV光刻機(jī)，目的就是提升先進(jìn)制程芯片的產(chǎn)能和良品率。

　　但沒(méi)有想到的是，就在三星、臺(tái)積電等都大量爭(zhēng)奪EUV光刻機(jī)之際，ASML卻正式官宣了1nm的光刻機(jī)相關(guān)情況。據(jù)悉，生產(chǎn)7nm、5nm、3nm等芯片，EUV光刻機(jī)是完全可以滿足需求，但生產(chǎn)2nm以后的芯片，則需要更為先進(jìn)的光刻機(jī)——NAEUV光刻機(jī)。數(shù)據(jù)顯示，對(duì)于2nm以后的超精細(xì)工藝，需要實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和更高的光刻設(shè)備N(xiāo)A(NA=0.55)。目前，7nm、5nm等則是采用了NA=0.33EUV光刻設(shè)備。

　　據(jù)IMEC介紹，ASML已經(jīng)完成了作為NXE:5000系列的高NAEUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)，但商業(yè)化計(jì)劃在2022年左右。但這套下一代系統(tǒng)將因其巨大的光學(xué)系統(tǒng)而變得非常高大，很有可能頂在傳統(tǒng)潔凈室的天花板下。也就是說(shuō)，ASML有望在2022年推出NAEUV光刻機(jī)，其可以用以生產(chǎn)2nm以下的芯片，像1nm、亞1nm的芯片。面對(duì)這樣的這樣情況，只能說(shuō)這來(lái)得太快了。

　　芯片的發(fā)展十分迅速，如今可以說(shuō)是剩不下多少發(fā)展空間了，目前已經(jīng)全球已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4納米芯片的量產(chǎn)，下一代，也就是3納米，也就在今明兩年也就能和市場(chǎng)見(jiàn)面了。然后2納米，然后1納米，然后，就迎來(lái)摩爾定律的極限。

　　為了防止這種情況的出現(xiàn)，為了保住自己的優(yōu)勢(shì)地位，臺(tái)積電加入了Ulce聯(lián)盟，尋求突破摩爾定律極限的良方。那么，臺(tái)積電此舉對(duì)于阿斯麥爾而言究竟會(huì)帶來(lái)怎樣的影響呢?Ulce聯(lián)盟主要就是通過(guò)芯片疊加的方式，那么，這個(gè)芯片疊加能成功嗎?畢竟這可關(guān)系到臺(tái)積電究竟能否如愿打破摩爾定律的極限。

　　3月3日，芯片制造商英特爾、臺(tái)積電、三星聯(lián)合高通、谷歌等十多家國(guó)際性企業(yè)巨頭共同宣布，成立UCle聯(lián)盟。這家聯(lián)盟成立的目的其實(shí)也很簡(jiǎn)單，就是想要打造小芯片互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)開(kāi)放生態(tài)建設(shè)。

　　當(dāng)然，說(shuō)白了，這個(gè)聯(lián)盟的成立就是想要找到將不同類(lèi)型的芯片堆疊或者封裝等方式組合在一起，以此打造出一顆更強(qiáng)大的芯片，打造出實(shí)力更加強(qiáng)勁的芯片系統(tǒng)，盡可能達(dá)到一加一大于二的效果。

　　臺(tái)積電不僅僅加入了這個(gè)聯(lián)盟，似乎還是這個(gè)聯(lián)盟的牽頭人，阿斯麥爾的擔(dān)心可能將會(huì)一步步逼近。那么，臺(tái)積電此舉又會(huì)給阿斯麥爾帶來(lái)怎樣的影響呢?竟至于讓阿斯麥爾會(huì)流露出擔(dān)心的情緒呢?

　　這個(gè)聯(lián)盟主要的目的是通過(guò)對(duì)小芯片的堆疊，朝著更加先進(jìn)制程芯片，更加強(qiáng)勁性能芯片進(jìn)軍。重點(diǎn)來(lái)了，按照這個(gè)理論，其實(shí)全程是不需要用到EUV光刻機(jī)，當(dāng)然更不需要用到阿斯麥爾新一代EUV光刻機(jī)。

　　在上月的ITF大會(huì)上，半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec(比利時(shí)微電子研究中心)公布的藍(lán)圖顯示，2025年后晶體管進(jìn)入埃米尺度(?，angstrom，1埃 = 0.1納米)，。

　　當(dāng)時(shí)imec就表示，除了新晶體管結(jié)構(gòu)、2D材料，還有很關(guān)鍵的一環(huán)就是High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī)。其透露，0.55NA的下代EUV光刻機(jī)一號(hào)試做機(jī)(EXE:5000)會(huì)在2023年由ASML提供給imec，2026年量產(chǎn)。

　　不過(guò)，本月與媒體交流時(shí)，ASML似乎暗示這個(gè)進(jìn)度要提前。第一臺(tái)高NA EUV光刻機(jī)2023年開(kāi)放早期訪問(wèn)，2024年到2025年開(kāi)放給客戶進(jìn)行研發(fā)并從2025年開(kāi)始量產(chǎn)。

　　據(jù)悉，相較于當(dāng)前0.33NA的EUV光刻機(jī)，0.55NA有了革命性進(jìn)步，它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。

　　分析師Alan Priestley稱(chēng)，0.55NA光刻機(jī)一臺(tái)的價(jià)格會(huì)高達(dá)3億美元(約合19億元)，是當(dāng)前0.33NA的兩倍。

　　早在今年7月，Intel就表態(tài)致力于成為高NA光刻機(jī)的首個(gè)客戶，Intel營(yíng)銷(xiāo)副總裁Maurits Tichelman重申了這一說(shuō)法，并將高NA EUV光刻機(jī)視為一次重大技術(shù)突破。

　　ASML生產(chǎn)的光刻機(jī)，客戶都在排隊(duì)催著提前交貨，有的機(jī)器客戶都等不及測(cè)試就直接交貨了。今年的第三季度的新增訂單金額達(dá)到62億歐元，其中的29億是訂購(gòu)EUV光刻機(jī)，看上去ASML一天工作48個(gè)小時(shí)估計(jì)沒(méi)有辦法按時(shí)交貨。

　　而國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，今年全球還將新增19座晶圓廠，明年計(jì)劃新增10座。因此市場(chǎng)上對(duì)于光刻機(jī)的需求量還在不斷增加，尤其是越來(lái)越多的EUV光刻機(jī)采購(gòu)需求。這些新工廠大部分都需要向ASML采購(gòu)光刻機(jī)。

　　僅僅是第三季度，ASML共出貨光刻機(jī)79臺(tái)，其中包括15臺(tái)EUV光刻機(jī)，比上個(gè)季度多出貨7臺(tái)，其中6臺(tái)就是EUV光刻機(jī)，ArF浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)也就是DUV光刻機(jī)，累計(jì)出貨達(dá)到了1000臺(tái)。

　　這邊生產(chǎn)已經(jīng)很忙了，然而ASML今日宣布已完成1nm的光刻機(jī)設(shè)計(jì)，并將在2022年開(kāi)始商用生產(chǎn)。看樣子完全是在催促芯片工廠快速進(jìn)行科技研發(fā)啊，或者是準(zhǔn)備為明年的新建的芯片工廠都提供1nm芯片光刻機(jī)嗎?其實(shí)早在2020年12月的中旬，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作開(kāi)發(fā)光刻技術(shù)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究組織IMEC就宣布了3nm及以下工藝的技術(shù)細(xì)節(jié)。到目前為止，ASML不僅為3m，2nm，1.5nm，1nm甚至Sub 1nm都制定了清晰的路線圖，而且已經(jīng)完成了 1nm光刻機(jī)的設(shè)計(jì)。IMEC甚至宣布了1nm及以下工藝的路線圖。

　　在光刻機(jī)領(lǐng)域內(nèi)，ASML是繞不開(kāi)的話題，原因是ASML研發(fā)制造的光刻機(jī)最先進(jìn)，尤其是EUV光刻機(jī)，目前僅有ASML能夠研發(fā)制造。最主要的是，EUV光刻機(jī)是生產(chǎn)制造7nm以下芯片的必要設(shè)備，從其被研發(fā)制造出來(lái)那一刻開(kāi)始，EUV光刻機(jī)就供不應(yīng)求，至今還積壓了幾十億歐元的訂單。

　　在這樣的情況下，ASML一邊提升EUV光刻機(jī)的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今后兩年生產(chǎn)制造115臺(tái)EUV光刻機(jī)，一邊研發(fā)制造全新一代EUV光刻機(jī)，其就是NA值為0.55的EUV光刻機(jī)。據(jù)悉，目前ASML正在研發(fā)制造全新一代EUV光刻機(jī)，其被命名為NA EUV光刻機(jī)，而NA更是高達(dá)0.55，相比現(xiàn)有的NA值為0.33的EUV光刻機(jī)而言，有明顯的提升。

　　當(dāng)然，全新一代光刻機(jī)的NA值提升，意味著光刻機(jī)精度更高，可以生產(chǎn)制造更小面積的芯片，甚至可達(dá)1nm。要知道，臺(tái)積電、三星都計(jì)劃在2024年量產(chǎn)2nm制程的芯片，而ASML全新一代EUV光刻機(jī)也計(jì)劃在2023年交付廠商研發(fā)測(cè)試，2024年規(guī)模量產(chǎn)。