光刻機(jī)的架構(gòu)及技術(shù)很復(fù)雜，不過(guò)決定光刻機(jī)分辨率的主要因素就是三點(diǎn)，分別是常數(shù)K、光源波長(zhǎng)及物鏡的數(shù)值孔徑，波長(zhǎng)越短，分辨率就越高，現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)使用的是極紫外光EUV，波長(zhǎng)13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先進(jìn)工藝工藝。
俄羅斯莫斯科電子技術(shù)學(xué)院 (MIET)現(xiàn)在就接下了貿(mào)工部的6.7億盧布資金(約合5100萬(wàn)元人民幣)，也要開(kāi)發(fā)制造芯片的光刻機(jī)，而且號(hào)稱要達(dá)到EUV級(jí)別，但技術(shù)原理完全不同，他們研發(fā)的是基于同步加速器和/或等離子體源”的無(wú)掩模X射線光刻機(jī)。
X射線光刻機(jī)使用的是X射線，波長(zhǎng)介于0.01nm到10nm之間，比EUV極紫外光還要短，因此光刻分辨率要高很多。
此外，X射線光刻機(jī)相比現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)，那就是不需要光掩模版，可以直寫光刻，這也節(jié)省了一大筆費(fèi)用。
正因?yàn)橛羞@么兩個(gè)特點(diǎn)，俄羅斯要研發(fā)的X射線光刻機(jī)優(yōu)勢(shì)很大，甚至被當(dāng)?shù)氐拿襟w宣傳為全球都沒(méi)有的光刻機(jī)，ASML也做不到。
從相關(guān)資料來(lái)看，全球確實(shí)沒(méi)有能達(dá)到規(guī)模量產(chǎn)的X射線光刻機(jī)，不過(guò)這種技術(shù)并不是現(xiàn)在才有，不僅美國(guó)、歐洲研究過(guò)，國(guó)內(nèi)也有科研機(jī)構(gòu)做了X射線光刻機(jī)，只是生產(chǎn)芯片的效率跟ASML的光刻機(jī)不能比的，只適合特定場(chǎng)景。
不過(guò)俄羅斯在X射線及等離子之類的技術(shù)上有深厚的基礎(chǔ)，倒是可以期待下他們?cè)谛滦凸饪虣C(jī)上能走多遠(yuǎn)。
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