臺積電已經(jīng)多次明確,3nm將在下半年規(guī)模投產(chǎn)。
不過,臺積電的3nm依然延續(xù)的是FinFET(鰭式場效應)晶體管結構,而非三星那套難度更高的GAA晶體管。然而,臺積電明顯道行更深,知道當前制程節(jié)點命名混亂,誰的良率高顯然更能占得先機。
而接下來,臺積電似乎不打算糊弄了,甚至要繞過2nm,直奔1.4mm。
BK報道稱,臺積電3nm研發(fā)團隊將在6月份全面轉投1.4nm節(jié)點的開發(fā)工作。
對手三星在去年的代工會議上曾預期,2025年量產(chǎn)2nm,沒想到又一次被臺積電“背刺”了。
至于同樣雄心勃勃的Intel,則打算2024年下半年生產(chǎn)1.8nm工藝產(chǎn)品。一場關乎摩爾定律榮耀的制程“軍備競賽”,再度拉開序幕了。
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