吹向半導(dǎo)體的風(fēng),正在慢慢變冷

時(shí)間:2022-05-20

來源:是說芯語(yǔ)

導(dǎo)語(yǔ):按SEMI的跟蹤,中國(guó)大陸晶圓廠的資本開支在一季度已經(jīng)開始放緩,根據(jù)它的預(yù)測(cè),2022年全年資本開支將下滑30%左右。

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  進(jìn)入2022年以來,火熱了幾年的芯片行業(yè)正在迎來放緩的跡象。

  看數(shù)據(jù),2022年3月全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額為505.8億美元,同比增長(zhǎng)23.2%。

  其中,美洲市場(chǎng)增幅達(dá)42.85%,歐洲市場(chǎng)增幅達(dá)25.81%,中國(guó)市場(chǎng)增幅為16.3%。

  中國(guó)的增速,竟然落后于美洲和歐洲市場(chǎng),并且環(huán)比下降了2.3%,可謂是近幾年來罕見的情況。

  主要原因,是手機(jī)、電腦、汽車三大下游市場(chǎng)的同時(shí)低迷,這三大市場(chǎng)占了整個(gè)芯片市場(chǎng)規(guī)模的四分之三,舉足輕重。

  芯片需求放緩,對(duì)晶圓、設(shè)備、封測(cè)等代工產(chǎn)業(yè)鏈的影響最大。

  首先看設(shè)備端。

  2022年3月中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口金額為26.3億元,同比下降10.7%,是近兩年來首次同比下降。

  這里面,固然有一部分是國(guó)產(chǎn)替代所帶來的,但更重要的原因是行業(yè)擴(kuò)張的腳步突然停止了。

  按SEMI的跟蹤,中國(guó)大陸晶圓廠的資本開支在一季度已經(jīng)開始放緩,根據(jù)它的預(yù)測(cè),2022年全年資本開支將下滑30%左右。

  下滑的主要原因是:

  1)2022年一季度上海、香港等地海關(guān)受疫情影響、中美關(guān)系等地緣政治因素延續(xù),部分設(shè)備進(jìn)口交付出現(xiàn)延期。

  2)經(jīng)歷了過去兩年全國(guó)造芯熱的迅速擴(kuò)張后,在政策的監(jiān)管下,部分低門檻的項(xiàng)目被暫停,例如武漢弘芯、成都格芯等。

  3)一些低門檻的芯片環(huán)節(jié),開始出現(xiàn)產(chǎn)能過剩,擴(kuò)張放緩。

  整體來看,部分龍頭代工廠的熱度還會(huì)持續(xù),但都難以達(dá)到2021年的高峰了。

  比如中芯國(guó)際,2021年資本開支45億美元,2022預(yù)計(jì)資本開支50億美元,增幅只有11%。

  比如華虹半導(dǎo)體,華虹無(wú)錫于2021年底建成的12英寸月產(chǎn)能有6.5萬(wàn)片,而2022年的增資擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃只有2.95萬(wàn)片,同樣大幅放緩。

  其它的外資代工廠,像三星西安、無(wú)錫SK海力士等,建廠高峰期已經(jīng)過去,未來的設(shè)備需求也會(huì)顯著減少。

  據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì),由于2020年疫情引起的芯片短缺,2021年是全球芯片行業(yè)的一個(gè)景氣度高峰。

  2021年,全球半導(dǎo)體廠商開工建設(shè)了19座新的高產(chǎn)能晶圓廠,而2022年,則大幅減少至10座,減少了47%。

  一般來說,新建產(chǎn)能從開工到投產(chǎn)需要兩年的時(shí)間,所以今年還不至于出現(xiàn)產(chǎn)能過剩,但行業(yè)已經(jīng)恢復(fù)了理性,并感受到了未來的危機(jī)。

  大家都很清楚,2021年的芯片短缺導(dǎo)致的“量?jī)r(jià)齊升”,量的增長(zhǎng)主要是由于缺貨,所以廠家、渠道大量搶購(gòu)、囤貨所導(dǎo)致的。

  2022年以來,由于下游需求的低迷,整個(gè)行業(yè)就像從狂熱中忽然被潑了一盆冷水,迅速冷靜下來。

  幸運(yùn)的是,今年還只是供需平衡,真正讓人頭痛的是明年。

  大規(guī)模增加的產(chǎn)能將從2023年開始陸續(xù)投產(chǎn)落成,對(duì)市場(chǎng)造成強(qiáng)勁的沖擊。

  到2024年,產(chǎn)能的釋放將進(jìn)一步增加,過剩問題將繼續(xù)困擾芯片行業(yè)。

  一旦產(chǎn)能過剩,芯片跌價(jià),過去渠道中囤積的貨也將被釋放出來,造成更漫長(zhǎng)的行業(yè)低谷。

  可以說,漲跌同源,正是如此。

  當(dāng)然,就今年來看,增速放緩主要是結(jié)構(gòu)性的:

  一部分標(biāo)準(zhǔn)化成熟工藝的芯片產(chǎn)能將率先供過于求,這類芯片主要是存儲(chǔ)芯片和一些中低端邏輯芯片,而先進(jìn)制程的高端芯片將會(huì)長(zhǎng)期保持供不應(yīng)求。

  前者的代表是中芯國(guó)際、華虹、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等國(guó)產(chǎn)代工廠,主要原因是2020年后擴(kuò)產(chǎn)的晶圓廠以成熟制程為主,成熟制程產(chǎn)能將會(huì)首先進(jìn)入產(chǎn)能過剩狀態(tài)。

  后者的代表是臺(tái)積電、三星、英特爾等外資企業(yè),主要原因是先進(jìn)制程的晶圓廠建設(shè)周期較長(zhǎng),良率難以保證,因此產(chǎn)能增長(zhǎng)有限,而智能電子產(chǎn)品和數(shù)據(jù)中心的芯片仍是重要需求驅(qū)動(dòng)因素,5nm需求將在2022、2023年持續(xù)增加。

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  不過,即使同樣是成熟制程的芯片,由于下游需求市場(chǎng)的不同,結(jié)構(gòu)分化也很明顯。

  以電腦、手機(jī)、汽車三大市場(chǎng)為例:

  電腦市場(chǎng),主要是受到宅經(jīng)濟(jì)消退影響,過去兩年的繁榮是一次性機(jī)會(huì),缺乏增量潛力,因此對(duì)CPU、內(nèi)存芯片的影響會(huì)更嚴(yán)重;

  手機(jī)市場(chǎng),由于創(chuàng)新下降,消費(fèi)意愿下降,換機(jī)需求大幅減少,但手機(jī)市場(chǎng)的技術(shù)還在進(jìn)步中,扛過疫情,未來還有升級(jí)換代、出海等需求增量空間。

  汽車市場(chǎng),主要是受到國(guó)內(nèi)疫情的停工停產(chǎn)影響,更多是短期事件,隨著復(fù)工復(fù)產(chǎn),下半年的需求恢復(fù)到一個(gè)較高景氣度狀態(tài)問題不大。

  并且,新能源汽車作為我國(guó)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心支柱,在全球市場(chǎng)搶占燃油車的空間極大,因此長(zhǎng)期的景氣度是有保障的。

  其中,需求增速最快的兩個(gè)細(xì)分板塊:IGBT和碳化硅,仍將在較長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)保持供不應(yīng)求的狀態(tài)。

  1)IGBT

  新能源車市場(chǎng)是IGBT的最大增量,預(yù)計(jì)2025年全球新能源車IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)383億元、2020~2025年CAGR達(dá)48%;

  2030年全球新能源車IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)765億元,2020~2030年CGAR達(dá)31%。

  從這個(gè)數(shù)據(jù)可以看出,IGBT的需求有兩個(gè)特點(diǎn):長(zhǎng)期高增長(zhǎng)的前景、近五年接近50%的高增速。

  正是因?yàn)樾枨笤鲩L(zhǎng)如此之猛,并且技術(shù)門檻也不低,使得國(guó)產(chǎn)企業(yè)即使大舉擴(kuò)產(chǎn),也很難在短時(shí)間能滿足市場(chǎng)的巨大胃口。

  除此之外,光伏和儲(chǔ)能市場(chǎng)也需要IGBT,是第二大的增量市場(chǎng)。

  業(yè)界預(yù)計(jì),2025年全球光伏&儲(chǔ)能IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)108億元、2020~2025年CAGR達(dá)30%;

  2030年全球光伏&儲(chǔ)能IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)280億元,2020~2030年CGAR達(dá)25%。

  2)碳化硅(SiC)

  碳化硅是第三代半導(dǎo)體的代表,適用于新能源車、風(fēng)電光伏等高壓領(lǐng)域,技術(shù)優(yōu)勢(shì)是快充、節(jié)能。

  目前SiC模塊主要應(yīng)用于高性能四驅(qū)車的后驅(qū),特斯拉、比亞迪、小鵬均采用該方案,對(duì)IGBT有一定的替代效應(yīng)。

  根據(jù)業(yè)界預(yù)計(jì),2025、2030年新能源車SiC模塊市場(chǎng)達(dá)218、478億元,五年、十年CAGR達(dá)72%、42%。

  增速需求也比IGBT更猛。

  ————

  從供給端來看,此前IGBT主要被外資企業(yè)壟斷,2019年的國(guó)產(chǎn)化率僅12%。

  2020-2021年的缺芯潮是一次重要的機(jī)會(huì),由于全行業(yè)缺芯,使得國(guó)產(chǎn)芯片的質(zhì)量、性能即使差一點(diǎn),也能夠大量獲得使用。

  由此進(jìn)入了一個(gè)良性的加速成長(zhǎng)期,到今年2022年,國(guó)產(chǎn)化率有望達(dá)38%。

  細(xì)分看——

  IGBT單管,主要應(yīng)用于小功率家電、分部式光伏逆變器等,英飛凌是行業(yè)絕對(duì)龍頭,2020年市占率超29%,行業(yè)CR3達(dá)53%,國(guó)內(nèi)龍頭士蘭微,市占率僅2.6%、位居第十名。

  IPM模塊,應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等,三菱是行業(yè)絕對(duì)龍頭,2020年市占率達(dá)33%,行業(yè)CR3達(dá)62%,國(guó)內(nèi)龍頭士蘭微僅1.6%、位居第九名,華微電子0.9%、位居第十名。

  IGBT模塊,應(yīng)用于大功率變頻器、電焊機(jī)、新能源車、集中式光伏等,英飛凌是行業(yè)絕對(duì)龍頭、2020年市占率達(dá)36%,行業(yè)CR3達(dá)58%,國(guó)內(nèi)龍頭斯達(dá)半導(dǎo)市占率達(dá)2.8%、位居第六名。

  單看新能源車領(lǐng)域,IGBT的國(guó)產(chǎn)化率還是相對(duì)較高的。

  2019年,比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)的市占率已經(jīng)達(dá)到20%、17%。

  2020年,斯達(dá)半導(dǎo)生產(chǎn)的汽車級(jí)IGBT模塊合計(jì)配套超過20萬(wàn)套新能源汽車、市占率進(jìn)一步提升達(dá)15%。

  根據(jù)2021年報(bào),斯達(dá)半導(dǎo)應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量,合計(jì)配套超過60萬(wàn)輛新能源汽車,市占率繼續(xù)上升。

  相比起來,光伏和儲(chǔ)能市場(chǎng),2020年國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化率接近為0。

  比如根據(jù)固德威2021年年報(bào),“IGBT元器件國(guó)內(nèi)生產(chǎn)商較少,與進(jìn)口部件相比,產(chǎn)品穩(wěn)定性、技術(shù)指標(biāo)存在一定差異。目前,國(guó)產(chǎn)IGBT元器件、IC半導(dǎo)體的性能穩(wěn)定性及相關(guān)技術(shù)指標(biāo)未能完全滿足公司產(chǎn)品的技術(shù)要求,預(yù)計(jì)短期內(nèi)不能完全實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。”

  不過中國(guó)企業(yè)也在努力,比如斯達(dá)半導(dǎo)就已經(jīng)推出了使用自主650V/1200V的IGBT光伏芯片,預(yù)計(jì)在2022年將獲得國(guó)內(nèi)主流光伏逆變器客戶的大批量裝機(jī)應(yīng)用。

  我們對(duì)比一下2021年幾個(gè)龍頭的營(yíng)收增速:

  2021年,英飛凌功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入同增20%;

  國(guó)內(nèi)上市公司方面,斯達(dá)半導(dǎo)IGBT收入同增75%,士蘭微IGBT收入翻倍增長(zhǎng),比亞迪功率半導(dǎo)體收入同增152%,新潔能IGBT收入同增529%。

  很明顯,國(guó)產(chǎn)龍頭抓住了這輪缺芯潮,成功搶占了市場(chǎng)蛋糕。

  目前來看,在幾大國(guó)產(chǎn)龍頭中:

  新能源車方面,2021年比亞迪半導(dǎo)、斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣車載IGBT收入約為13、5、2億元,同比均實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng),國(guó)產(chǎn)化率超30%。

  不過,比亞迪主要是自產(chǎn)自銷,斯達(dá)半導(dǎo)不僅是類似寧德時(shí)代的第三方龍頭,而且在其它品類上擴(kuò)張也更迅猛。

  比如工業(yè)方面,斯達(dá)半導(dǎo)是國(guó)內(nèi)工控IGBT龍頭,2021年工控和電源IGBT收入約為11億元、同增51%、市占率約為12%。

  光伏方面,2021年斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、揚(yáng)杰科技、新潔能的光伏IGBT收入均為幾千萬(wàn),且處于快速放量階段。

  白色家電方面,士蘭微領(lǐng)銜,2021年士蘭微IPM模塊收入達(dá)8.6億元,出貨量超3800萬(wàn)顆,同比實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng),市占率達(dá)20%。

  我們?cè)倏?022年的情況。

  先看外資龍頭——

  1)5月英飛凌發(fā)布季報(bào),公司積壓訂單達(dá)370億歐元,且80%需求集中于12個(gè)月交付,2月英飛凌向經(jīng)銷商發(fā)布通知函,表示2022年供需失衡貫穿全年,或醞釀新一輪產(chǎn)品提價(jià)。

  2)5月安森美內(nèi)部人士稱2022年、2023年車用IGBT訂單已滿且不再接單。

  再看國(guó)內(nèi)——

  1)作為需求方,逆變器龍頭錦浪科技透露了一個(gè)信息,它在今年1月表示,2022年四季度前,IGBT芯片供給難有大改善。

  2)從國(guó)內(nèi)IDM模式的龍頭IGBT產(chǎn)能規(guī)劃來看,比亞迪半導(dǎo)、中車時(shí)代2022年8寸晶圓產(chǎn)能均實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng);

  從國(guó)內(nèi)Fab廠(華虹半導(dǎo)、中芯紹興、先進(jìn)積塔)IGBT產(chǎn)能規(guī)劃來看亦能實(shí)現(xiàn)60%以上成長(zhǎng)。

  綜合產(chǎn)能數(shù)據(jù)來看,預(yù)計(jì)2022年國(guó)內(nèi)產(chǎn)能同增90%+。

  這個(gè)產(chǎn)能增速還是比較猛的,跟晶圓廠資本開支整體放緩的情況完全是天差地別。

  碳化硅方面,由于技術(shù)壁壘更高,目前只有幾家龍頭在嘗試性量產(chǎn),因此更加不存在短期內(nèi)的產(chǎn)能過剩。

  值得關(guān)注的,主要是比亞迪半導(dǎo)、斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、士蘭微。

  2020年,比亞迪半導(dǎo)作為全球首家、國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)SiC模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車。

  2022年,時(shí)代電氣投資4.6億元將現(xiàn)有4英寸SiC芯片年1萬(wàn)片產(chǎn)能提升至6英寸SiC芯片年2.5萬(wàn)片。

  2021年,斯達(dá)半導(dǎo)募資5億元擬投產(chǎn)年產(chǎn)6萬(wàn)片的6寸SiC芯片,截至2021年9月斯達(dá)半導(dǎo)已獲得3.4億車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊訂單。

  2021年上半年,士蘭微SiC功率半導(dǎo)體中試線已成功通線,預(yù)計(jì)于2022年三季度投產(chǎn)。

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