隨著智能化浪潮加速，汽車(chē)行業(yè)有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)變革升級(jí)，加速步入萬(wàn)物互聯(lián)+萬(wàn)物智聯(lián)的新時(shí)代。當(dāng)前消費(fèi)電子已先一步步入智能時(shí)代，而汽車(chē)行業(yè)正面臨著智能化產(chǎn)業(yè)升級(jí)，整體過(guò)程可以類(lèi)比功能機(jī)到智能機(jī)。疊加政策端碳中和推動(dòng)，電動(dòng)化浪潮迭起，看好新能源汽車(chē)在智能化+電動(dòng)化驅(qū)動(dòng)下加速起量。

　　汽車(chē)芯片從應(yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類(lèi)：主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，其中功率芯片價(jià)值量增加幅度最大。

　　而新能源汽車(chē)相比傳統(tǒng)燃油車(chē)，新能源車(chē)中的功率半導(dǎo)體價(jià)值量提升幅度更大，按照傳統(tǒng)燃油車(chē)半導(dǎo)體價(jià)值量417美元計(jì)算，功率半導(dǎo)體單車(chē)價(jià)值量達(dá)到87.6美元，按照FHEV、PHEV、BEV單車(chē)半導(dǎo)體價(jià)值量834美元計(jì)算，功率半導(dǎo)體單車(chē)價(jià)值量達(dá)到458.7美元，價(jià)值量增加四倍多。功率半導(dǎo)體中，IGBT和SiC表現(xiàn)極為強(qiáng)勢(shì)，被一眾芯片廠商所看好。

　　IGBT：決定電動(dòng)車(chē)核心性能，乘新能源汽車(chē)之風(fēng)揚(yáng)帆起航

　　汽車(chē)電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化發(fā)展趨勢(shì)中帶動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體需求大幅度增長(zhǎng)，IGBT應(yīng)用于新能源的電壓轉(zhuǎn)換，例如：汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)、光伏逆變器等，IGBT功率模塊均是逆變器的核心功率器件，在電動(dòng)車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)半導(dǎo)體價(jià)值量中占比52%。IGBT透過(guò)控制開(kāi)關(guān)控制改變電壓具備耐壓的特性被各類(lèi)下游市場(chǎng)廣泛使用，此外由于IGBT工藝與設(shè)計(jì)難度高，海外企業(yè)憑借多年的積累占據(jù)較大的市場(chǎng)份額;國(guó)內(nèi)廠商近年來(lái)通過(guò)積極投入研發(fā)成功在國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)用IGBT模塊市場(chǎng)中占取到了一定份額，但仍有很大的替代空間。

　　IGBT不僅是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體企業(yè)的布局重心，也是車(chē)廠與半導(dǎo)體大廠強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手的破局點(diǎn)。

　　華潤(rùn)微部分MOSFET和IGBT產(chǎn)品已進(jìn)入整車(chē)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售貢獻(xiàn)，公司2021年IGBT業(yè)務(wù)增速超70%。廣汽集團(tuán)子公司與株洲中車(chē)時(shí)代合資設(shè)立青藍(lán)半導(dǎo)體，圍繞新能源汽車(chē)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)領(lǐng)域開(kāi)展自主技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。項(xiàng)目、投資總額4.63億元人民幣，一期規(guī)劃產(chǎn)能年產(chǎn)30萬(wàn)只汽車(chē)IGBT模塊，計(jì)劃2023年投產(chǎn);二期規(guī)劃產(chǎn)能年產(chǎn)30萬(wàn)只汽車(chē)IGBT模塊，計(jì)劃2025年投產(chǎn)。項(xiàng)目全部建成后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)60萬(wàn)只汽車(chē)IGBT模塊的總產(chǎn)能，利于打開(kāi)雙方在新能源汽車(chē)IGBT領(lǐng)域的發(fā)展局面。

　　IGBT被應(yīng)用于汽車(chē)的多個(gè)零部件中，是核心器件之一。IGBT是決定電動(dòng)車(chē)性能的核心器件之一，主要應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)控制系統(tǒng)、空調(diào)控制系統(tǒng)、充電系統(tǒng)等，主要功能在于在逆變器中將高壓電池的直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)三相電機(jī)的交流電;在車(chē)載充電機(jī)(OBC)中將交流電轉(zhuǎn)換為直流并為高壓電池充電;用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、溫度PTC、水泵、油泵、空調(diào)壓縮機(jī)等系統(tǒng)中。

　　車(chē)規(guī)級(jí)IGBT對(duì)產(chǎn)品性能要求要高于工控與消費(fèi)類(lèi)IGBT。作為汽車(chē)電氣化變革的關(guān)鍵制程，IGBT產(chǎn)品在智能汽車(chē)中具有不可替代的作用。由于汽車(chē)電子本身使用環(huán)境較為復(fù)雜，一旦失效可能引發(fā)嚴(yán)重后果，所以市場(chǎng)對(duì)于車(chē)規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品的要求要高于工控類(lèi)與消費(fèi)類(lèi)IGBT產(chǎn)品。相比工控與消費(fèi)類(lèi)IGBT，車(chē)規(guī)級(jí)IGBT對(duì)于溫度的覆蓋要求更高、對(duì)出錯(cuò)率的容忍度更低、且要求使用時(shí)間也更長(zhǎng)。

　　車(chē)規(guī)級(jí)IGBT在汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈處于中游位置，車(chē)規(guī)認(rèn)證是其壁壘之一。IGBT廠商在汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中處于中游位置，其上游包括材料供應(yīng)商、設(shè)備供應(yīng)商以及代工廠，例如日本信越、晶瑞股份、晶盛機(jī)電、日立科技、高塔、華虹等;其下游包括Tier 1廠商以及整車(chē)廠。在車(chē)載IGBT產(chǎn)業(yè)鏈中，認(rèn)證壁壘是IGBT廠商進(jìn)入車(chē)載市場(chǎng)的壁壘之一。

　　IGBT廠商進(jìn)入車(chē)載市場(chǎng)需要獲得AEC-Q100等車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，認(rèn)證時(shí)長(zhǎng)約為12～18個(gè)月，且在通過(guò)認(rèn)證門(mén)檻后，IGBT廠商還需與汽車(chē)廠商或Tier 1供應(yīng)商進(jìn)行市場(chǎng)約2～3年的車(chē)型導(dǎo)入測(cè)試驗(yàn)證。在測(cè)試驗(yàn)證完成后，汽車(chē)廠商也往往不會(huì)立即切換，而是要求供應(yīng)商以二供或者三供的身份供貨，再逐步提高裝機(jī)量。

　　IGBT組件數(shù)量隨新能源汽車(chē)的動(dòng)力性能提升而增加。IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)約占整車(chē)成本的15～20%，即是說(shuō)，IGBT約占整車(chē)成本的7～10%。隨著新能源汽車(chē)的動(dòng)力性能增強(qiáng)，IGBT組件使用個(gè)數(shù)也在提升，例如MHEV 48V所需IGBT組件數(shù)量約為2～5個(gè)，但BEV A所需IGBT組件數(shù)量則為90～120個(gè)。隨著新能源汽車(chē)的動(dòng)力性能增強(qiáng)，IGBT組件數(shù)量也在提升，帶動(dòng)整體IGBT價(jià)值量提升。

　　根據(jù)不同車(chē)型，IGBT價(jià)值量也有所不同，A級(jí)車(chē)IGBT價(jià)值最高達(dá)到3900人民幣。根據(jù)不同車(chē)型，汽車(chē)通常可分為物流車(chē)、大巴車(chē)、A00級(jí)、A級(jí)以上四個(gè)大類(lèi)。不同類(lèi)型的汽車(chē)所需要的IGBT價(jià)值量也有所不同。

　　物流車(chē)通常使用1200V 450A模塊，單車(chē)價(jià)值量為1000元;8米大巴IGBT單車(chē)價(jià)值量為3000元、10米大巴IGBT價(jià)值量為3600元;A00級(jí)汽車(chē)單車(chē)IGBT價(jià)值量約為600～900元;15萬(wàn)左右的A級(jí)車(chē)以上汽車(chē)單車(chē)IGBT價(jià)值量約為1000～2000元、20～30萬(wàn)左右的A級(jí)車(chē)以上汽車(chē)單車(chē)IGBT價(jià)值量約為2000～2600元;屬高級(jí)車(chē)型的A級(jí)車(chē)以上汽車(chē)單車(chē)IGBT價(jià)值量則約3000～3900元。

　　充電樁中的IGBT模塊是負(fù)責(zé)功率轉(zhuǎn)換的核心器件。根據(jù)充電方式，充電樁可分為直流樁、交流樁、無(wú)線(xiàn)充電，其中以直流樁和交流樁為主。交流樁又叫慢充樁，只提供電力輸出，無(wú)充電功能，需要通過(guò)車(chē)載充電機(jī)為電動(dòng)車(chē)充電;而直流樁則叫快充樁，與交流電網(wǎng)連接，輸出可調(diào)直流電，直接為電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力電池充電，且充電速度較快。IGBT模塊在充電樁中擔(dān)當(dāng)功率轉(zhuǎn)換的角色，是充電樁的核心器件之一。

　　充電樁數(shù)量逐步提升，帶動(dòng)IGBT需求增長(zhǎng)。隨著新能源汽車(chē)的普及，充電樁市場(chǎng)也在不斷擴(kuò)大。2021年5月至2022年4月，我國(guó)公共充電樁保有量從88.4萬(wàn)臺(tái)增長(zhǎng)至133.2萬(wàn)臺(tái)。根據(jù)中國(guó)充電聯(lián)盟的數(shù)據(jù)，2022年，我國(guó)充電樁市場(chǎng)中，直流電樁約為57.7萬(wàn)臺(tái);交流樁約為75.5萬(wàn)臺(tái)，雖然充電樁市場(chǎng)對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)仍然較小，但由于充電樁的部署對(duì)于擴(kuò)大新能源汽車(chē)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，所以未來(lái)充電樁用IGBT市場(chǎng)有望快速增長(zhǎng)。

　　英飛凌在車(chē)規(guī)級(jí)功率芯片市場(chǎng)處于領(lǐng)先。從市場(chǎng)容量看，我國(guó)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)規(guī)模從2015年5.92億元增長(zhǎng)至2020年26.85億元，2015-2020年均復(fù)合增速高達(dá)35.31%。截止2019年，英飛凌處于絕對(duì)領(lǐng)先位置，占49.2%;排在第二和第三位分別是比亞迪和斯達(dá)，份額分別為20.0%和16.6%。

　　SiC：物理性能優(yōu)勢(shì)+碳中和需求帶動(dòng)上車(chē)進(jìn)程加速

　　SiC材料相比于Si材料有著顯著的優(yōu)勢(shì)。目前車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體主要采用硅基材料，但受自身性能極限限制，硅基器件的功率密度難以進(jìn)一步提高，硅基材料在高開(kāi)關(guān)頻率及高壓下?lián)p耗大幅提升。與硅基半導(dǎo)體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點(diǎn)。下表是三代半導(dǎo)體襯底材料的指標(biāo)參數(shù)對(duì)比，可看出SiC材料具有Si材料不可比擬的優(yōu)勢(shì)，具體優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：

　　能量損耗低。SiC模塊的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗顯著低于同等IGBT模塊且隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，與IGBT模塊的損耗差越大，SiC模塊在降低損耗的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)，有助于降低電池用量，提高續(xù)航里程，解決新能源汽車(chē)痛點(diǎn)。

　　更小的封裝尺寸。SiC器件具備更小的能量損耗，能夠提供較高的電流密度。在相同功率等級(jí)下，碳化硅功率模塊的體積顯著小于硅基模塊，有助于提升系統(tǒng)的功率密度。

　　實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)。SiC材料的電子飽和漂移速率是Si的2倍，有助于提升器件的工作頻率;高臨界擊穿電場(chǎng)的特性使其能夠?qū)OSFET帶入高壓領(lǐng)域，克服IGBT在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的拖尾電流問(wèn)題，降低開(kāi)關(guān)損耗和整車(chē)能耗，減少無(wú)源器件如電容、電感等的使用，從而減少系統(tǒng)體積和重量。

　　耐高溫、散熱能力強(qiáng)。SiC的禁帶寬度、熱導(dǎo)率約是Si的3倍，可承受溫度更高，高熱導(dǎo)率也將帶來(lái)功率密度的提升和熱量的更易釋放，冷卻部件可小型化，有利于系統(tǒng)的小型化和輕量化。

　　新能源汽車(chē)需求高起帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體在大功率電力電子器件領(lǐng)域起量。電動(dòng)汽車(chē)和充電樁等都需要大功率、高效率的電力電子器件，基于SiC、GaN的電子電力器件因其物理性能優(yōu)異在相關(guān)市場(chǎng)備受青睞。第三代半導(dǎo)體有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱，助力新能源汽車(chē)電能高效轉(zhuǎn)換，推動(dòng)能源綠色低碳發(fā)展。舉例來(lái)看，到2030年，如果有3500萬(wàn)電動(dòng)車(chē)使用SiC，那么這一制造年生產(chǎn)出的新能源汽車(chē)總計(jì)在它們的使用期限中節(jié)約了的能源相當(dāng)于節(jié)省1.92億桶油，相當(dāng)于節(jié)省82億美元電力成本。

　　第三代半導(dǎo)體襯底成本相對(duì)較高，但綜合成本優(yōu)勢(shì)大于傳統(tǒng)硅基，與傳統(tǒng)產(chǎn)品價(jià)差持續(xù)縮小。SiC與傳統(tǒng)產(chǎn)品價(jià)差持續(xù)縮小，預(yù)計(jì)SiC 2022年將迎來(lái)增長(zhǎng)拐點(diǎn)， 2026年將全面鋪開(kāi)。

　　SiC與傳統(tǒng)Si基產(chǎn)品價(jià)差持續(xù)縮?。?/p>

　　1.上游襯底產(chǎn)能持續(xù)釋放，供貨能力提升，材料端襯底價(jià)格下降，器件制造成本降低。

　　2.量產(chǎn)技術(shù)趨于穩(wěn)定，良品率提升，疊加產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，拉動(dòng)市場(chǎng)價(jià)格下降

　　3.產(chǎn)線(xiàn)規(guī)格由 4英寸轉(zhuǎn)向 6英寸， 成本大幅下降。未來(lái)SiC、GaN綜合成本優(yōu)勢(shì)顯著，可通過(guò)大幅提高器件能效+減小器件體積使其綜合成本優(yōu)勢(shì)大于傳統(tǒng)硅基材料，看好第三代半導(dǎo)體隨著價(jià)格降低有望迎來(lái)大發(fā)展。

　　需求測(cè)算：

　　目前業(yè)界于電動(dòng)車(chē)較積極導(dǎo)入SiC的主要裝置和部件有主驅(qū)逆變器、車(chē)載充電器、車(chē)外充電器，SiC功率元件發(fā)揮如下優(yōu)勢(shì)：

　　1.極佳的內(nèi)在特質(zhì)：高效率，降低能量損耗;高轉(zhuǎn)換頻率，增加能量強(qiáng)度;可在更高的溫度下運(yùn)行，提升長(zhǎng)期可靠性。

　　2.性能改進(jìn)和小型化：從Si-IGBT 模組到SiC MOSFET 模組，體積縮小了50%，效率提升了2%，器件的使用壽命得到延長(zhǎng)。

　　3.有助于降低電動(dòng)車(chē)用戶(hù)的使用成本：提升效率以達(dá)到節(jié)電目的，在相同輸出功率下可增加續(xù)航里程、提升充電速度。

　　使用以上的主驅(qū)逆變器、車(chē)載充電器、車(chē)外充電器三者所需要的SiC的晶圓面積測(cè)算可得：

　　純電動(dòng)汽車(chē)： 8英寸晶圓可以滿(mǎn)足13輛車(chē)的SiC需求; 6英寸晶圓可以滿(mǎn)足7輛車(chē)的SiC需求。8inch wafer= 324.29平方厘米，假設(shè)良率為50%，BEV各部件需要的SiC晶圓面積：逆變器=10平方厘米;OBC=1.8平方厘米;DC/DC=0.9平方厘米，那么1張8英寸晶圓可以滿(mǎn)足13輛車(chē)的SiC需求。6inch wafer= 176.7平方厘米， 假設(shè)良率為50%，那么1張6英寸晶圓可以滿(mǎn)足7輛車(chē)的SiC需求。

　　油電混合車(chē)： 8英寸晶圓可以滿(mǎn)足17輛車(chē)的SiC需求; 6英寸晶圓可以滿(mǎn)足9輛車(chē)的SiC需求。8inch wafer= 324.29平方厘米，假設(shè)良率為50%，BEV各部件需要的SiC晶圓面積：逆變器=8平方厘米;OBC=0.9平方厘米;DC/DC=0.5平方厘米，那么1張8英寸晶圓可以滿(mǎn)足17輛車(chē)的SiC需求。6inch wafer= 176.7平方厘米， 假設(shè)良率為50%，那么1張6英寸晶圓可以滿(mǎn)足9輛車(chē)的SiC需求。

　　我國(guó)新能源汽車(chē)SiC需求測(cè)算：

　　純電動(dòng)汽車(chē)占新能源汽車(chē)比重為81%，以此數(shù)據(jù)假設(shè)，我國(guó)2021-2025年新能源汽車(chē)相關(guān)8英寸SiC晶圓需求為27.1萬(wàn)片、34.2萬(wàn)片、43.3萬(wàn)片、54.7萬(wàn)片、69.2萬(wàn)片， 6英寸SiC晶圓需求我國(guó)為48.1萬(wàn)片、60.9萬(wàn)片、77.0萬(wàn)片、97.3萬(wàn)片、123.1萬(wàn)片。

　　上車(chē)情況：

　　高性能車(chē)電驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)比，碳化硅物理性能優(yōu)勢(shì)凸顯。

　　價(jià)格持續(xù)降低+物理性能優(yōu)勢(shì)+碳中和需求帶動(dòng)碳化硅加速上車(chē)，數(shù)家車(chē)企多車(chē)型爭(zhēng)先嘗鮮。三安光電副總經(jīng)理陳東坡預(yù)計(jì)，在2023-2024年，長(zhǎng)續(xù)航里程的車(chē)型基本上80-90%、甚至100%都會(huì)導(dǎo)入碳化硅(SiC)器件。2022年，隨著800V高壓平臺(tái)的推進(jìn)，未來(lái)將有更多的SiC器件在車(chē)上搭載。國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)將在SiC賽道持續(xù)展開(kāi)競(jìng)賽。

　　高電壓高功率超級(jí)快充成為解決用戶(hù)充電焦慮的行業(yè)通行方案，在超級(jí)快充方面多加主機(jī)廠和充電樁服務(wù)商均在布局120-480KW超級(jí)快充，在整車(chē)電壓方面，800V整車(chē)電壓成為下一代電動(dòng)車(chē)重要選擇，SiC強(qiáng)勢(shì)入場(chǎng)。

　　據(jù)英飛凌最新的材料顯示，我們看到英飛凌是現(xiàn)代EMP系列SiC的主要提供商;美國(guó)的車(chē)企中，根據(jù)當(dāng)前的信息猜測(cè)，可能是第一個(gè)導(dǎo)入SiC的是通用汽車(chē)，因?yàn)橹坝幸粍t消息：Wolfspeed宣布，與通用汽車(chē)達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略供應(yīng)協(xié)議，為通用汽車(chē)未來(lái)的電動(dòng)汽車(chē)提供碳化硅;而下圖中亞洲OEM可能是韓國(guó)車(chē)企;小鵬則是第一次明確800V的SiC平臺(tái)。

　　我國(guó)情況：整車(chē)及零部件企業(yè)積極引入SiC，市場(chǎng)前景十分明確。

　　國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)企業(yè)首先在OBC和DC DC中應(yīng)用SiC器件，然后逐步滲透到可靠性要求更高的電機(jī)控制器

　　競(jìng)爭(zhēng)格局：

　　功率半導(dǎo)體方面，士蘭微、時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)、宏微科技、新潔能積極布局。

　　士蘭微自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊在2021年上半年已在國(guó)內(nèi)多家客戶(hù)通過(guò)測(cè)試，并在部分客戶(hù)開(kāi)始批量供貨。

　　時(shí)代電氣2020年乘用車(chē)IGBT已獲得廣汽、東風(fēng)訂單。斯達(dá)半導(dǎo)2021年上半年應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量，合計(jì)配套超過(guò)20萬(wàn)輛新能源汽車(chē)，同時(shí)基于第七代微溝槽Trench FieldStop技術(shù)的新一代車(chē)規(guī)級(jí)650V/750V IGBT芯片研發(fā)成功，預(yù)計(jì)今年開(kāi)始批量供貨。

　　宏微科技車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊GV系列產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)對(duì)臻驅(qū)科技(上海)有限公司小批量供貨，匯川技術(shù)、蜂巢電驅(qū)動(dòng)科技河北有限公司(長(zhǎng)城汽車(chē)子公司)和麥格米特正在對(duì)GV系列產(chǎn)品進(jìn)行產(chǎn)品認(rèn)證。

　　新潔能募資14.5億擴(kuò)建SiC/GaN 項(xiàng)目，汽車(chē)用 1200V SiC MOS 和 650V E-Mode GaN HEMT 首次流片驗(yàn)證完成，產(chǎn)品部分性能達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。2021 年公司在汽車(chē)電子市場(chǎng)重點(diǎn)導(dǎo)入了比亞迪，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)十幾款產(chǎn)品的大批量供應(yīng)，產(chǎn)品進(jìn)入了多個(gè)汽車(chē)品牌的整機(jī)配件廠，汽車(chē)電子產(chǎn)品的整體銷(xiāo)售占比快速提升。

　　價(jià)值量測(cè)算：車(chē)載IGBT及SiC發(fā)展勢(shì)不可擋

　　關(guān)鍵假設(shè)：

　　1.汽車(chē)銷(xiāo)量與滲透率：根據(jù)國(guó)務(wù)院發(fā)布的《新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》以及乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù)，我們預(yù)計(jì)新能源汽車(chē)行業(yè)將加速發(fā)展，對(duì)傳統(tǒng)燃油車(chē)具有較強(qiáng)的滲透和替代能力，政策支持力度較大。我們預(yù)計(jì)2022年全國(guó)新能源汽車(chē)銷(xiāo)售將持續(xù)放量，銷(xiāo)量達(dá)445萬(wàn)輛，到2025年增加至900萬(wàn)輛，滲透率達(dá)30%

　　2.車(chē)規(guī)級(jí)IGBT價(jià)值量：我們按照IGBT芯片使用數(shù)量估計(jì)，A00/A0級(jí)電動(dòng)乘用車(chē)IGBT價(jià)值量平均為1000元，A級(jí)以上電動(dòng)乘用車(chē)IGBT價(jià)值量平均為3000元，插電混動(dòng)乘用車(chē)IGBT價(jià)值量平均為2100元，商用車(chē)IGBT價(jià)值量平均為1800元，傳統(tǒng)燃油車(chē)IGBT價(jià)值量平均為700元

　　3.A00/A0級(jí)電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量占比：我們預(yù)計(jì)新能源汽車(chē)的銷(xiāo)售結(jié)構(gòu)將會(huì)從“啞鈴型”向“紡錘型”優(yōu)化，A00和A0級(jí)車(chē)占比逐漸下降，預(yù)計(jì)將從2022年占比35%逐漸下降至2025年占比15%

　　4.等效8英寸晶圓數(shù)量(億片)：我們按照英飛凌生產(chǎn)的FSxxR12KT4系列IGBT模塊中IGBT芯片的平均面積90.17mm?進(jìn)行估算，8英寸晶圓大約可以切出301塊IGBT芯片。晶圓數(shù)量需求量將從2021年156.54萬(wàn)片大幅增長(zhǎng)至2025年363.61萬(wàn)片

　　5.IGBT+SiC市場(chǎng)規(guī)模：我們按照各類(lèi)型汽車(chē)銷(xiāo)售量乘以各類(lèi)型汽車(chē)中IGBT與SiC價(jià)值量，其中SiC的滲透率逐漸提高，成本大幅降低。