1、Fab廠建設(shè)創(chuàng)歷史新高

　　半導(dǎo)體制造業(yè)的變化,離不開市場需求、晶圓廠資產(chǎn)狀況、半導(dǎo)體產(chǎn)能及產(chǎn)品設(shè)計尺寸。根據(jù)近期ICInsight、SEMI分析機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,今年的全球半導(dǎo)體總銷售額可能達到創(chuàng)紀(jì)錄的6807億美元,并預(yù)計至2030年,這一數(shù)字有望突破萬億美元關(guān)口。

　　受半導(dǎo)體強大增長動能驅(qū)動,晶圓代工擴產(chǎn)充能。SEMI數(shù)據(jù)顯示,2021年至2023年的Fab建設(shè)投資達到歷史新高,僅2022年支出就增長14%,達到近260億美元。28家新的量產(chǎn)晶圓廠將于今年(2022年)開始建設(shè),其中包括23家300毫米晶圓廠和5家專用于200毫米及以下的晶圓廠。

　　圖1數(shù)據(jù)顯示,全球運營中的晶圓廠主要分布:美國有70家,中國有66家,歐洲和中東有61家,日本有63家,韓國27家,東南亞地區(qū)21家,中國臺灣65家。由于臺積電、英特爾、三星和Globalfoundries之間的軍備競賽,這個數(shù)字在未來幾年還會增加。

　　2、汽車缺IC何時解?

　　自2020年下半年以來，半導(dǎo)體短缺問題變得十分嚴(yán)重，至今仍未完全解決。到2022年，芯片短缺仍然很復(fù)雜。用于生產(chǎn)汽車和醫(yī)療設(shè)備的芯片還是比較稀缺。最大的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商之一英飛凌表示，其核心產(chǎn)品的短缺問題將在2023年才能結(jié)束。

　　英飛凌新上任的首席運營官RutgerWijburg就曾表示，為了應(yīng)對工業(yè)細(xì)分市場半導(dǎo)體的短缺，其已經(jīng)計劃將加速擴大產(chǎn)能，并現(xiàn)在只接受交貨時間長的訂單。就目前而言，12個月的交貨時間都很正常，18個月或更長時間也不罕見。

　　另據(jù)臺媒最新報道，用于服務(wù)器的電源管理IC的供應(yīng)仍然緊張。受今年晚些時候新處理器的推出推動,部分電源管理IC供應(yīng)商都在為預(yù)計的服務(wù)器需求激增做好準(zhǔn)備。業(yè)內(nèi)人士指出，服務(wù)器需求沒有放緩的跡象。PMIC是除MCU之外最緊缺的芯片品類之一，有關(guān)數(shù)據(jù)顯示，國際半導(dǎo)體廠商的交期已經(jīng)高達20-24周，個別廠商交期已高達40-52周。

　　3、三星Intel結(jié)盟PK臺積電

　　全球半導(dǎo)體企業(yè)營收排名第一的英特爾和排名第二的三星要合作了，其他半導(dǎo)體廠商會怎么看或怎么應(yīng)對該聯(lián)盟呢?據(jù)5月30日韓聯(lián)社消息稱，三星計劃與英特爾在下一代存儲IC、邏輯IC、晶圓代工以及消費電子應(yīng)用等領(lǐng)域進行深度合作。

　　其中涉及的晶圓代工合作就比較有深意。在該領(lǐng)域，盡管三星代工作為一個完全獨立的業(yè)務(wù)部門僅處于第六個年頭，但就所服務(wù)的客戶而言，它們并不落后于TSMC。盡管專家可能仍然認(rèn)為三星的產(chǎn)量低于其臺灣競爭對手，但這家韓國企業(yè)集團正在不斷投資和改善其生產(chǎn)線，明確的目標(biāo)是到2030年超越TSMC。

　　毫無疑問，TSMC也一直在與三星電子激烈競爭5納米及以下產(chǎn)品，英特爾也參與了這場戰(zhàn)斗。TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，TSMC以去年第四季度確立的52.1%的市場份額(基于銷售額)排名第一，三星電子以18.3%的份額緊隨其后，位居第二。

　　4、3DNAND競爭白熱化

　　當(dāng)前，各大廠商在NAND層數(shù)堆疊上的競爭日趨白熱化。美光、SK海力士、三星等頭部廠商都已突破176層3DNAND技術(shù)，進入200層以上的堆疊層數(shù)比拼。根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，隨著110+層閃存芯片的推出，2023年市場總產(chǎn)出的72.5%會被110+層3DNAND閃存占據(jù)。

　　1)三星正在加快200層以上NAND閃存的量產(chǎn)步伐,韓國媒體《BusinessKorea》曾報道，三星將在今年底明年初推出200層以上的NAND產(chǎn)品,并計劃在2023年上半年開始量產(chǎn)。

　　2)美光科技(MicronTechnology)將于今年晚些時候開始推出下一代3DNAND產(chǎn)品，這是一種232層的工藝，芯片上的密度高達1tb。Micron負(fù)責(zé)技術(shù)和產(chǎn)品的執(zhí)行副總裁ScottDeBoer透露了未來十年3DNAND的路線圖，該路線圖顯示將超過400層。

　　3)西部數(shù)據(jù)在近期公布的閃存技術(shù)路線圖顯示，其計劃與合作伙伴鎧俠于2022年底前開始量產(chǎn)162層NAND產(chǎn)品。西數(shù)還透露，2032年之前將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上閃存技術(shù)。

　　4)SK海力士最新的3DNAND層數(shù)是176層，但其前CEO李錫熙在去年的IEEE國際可靠性物理研討會(IRPS)上展望SK海力士產(chǎn)品的未來計劃時曾預(yù)測，未來有可能實現(xiàn)600層以上的NAND產(chǎn)品。

　　5、3nm芯片即將上市

　　截至2022年3月，量產(chǎn)最先進的制造工藝是5nm。據(jù)最新報道，三星將會在近幾周內(nèi)啟動全球首款基于3納米工藝的大規(guī)模生產(chǎn)。TSMC也表示,其3納米FinFET架構(gòu)將在今年下半年進入大規(guī)模生產(chǎn)。在銷售額方面,韓國三星代工一直落后于全球最大的半導(dǎo)體芯片代工制造商臺積電。筆者認(rèn)為，三星是想在征服3nm工藝技術(shù)方面超過TSMC。

　　通常，工藝節(jié)點數(shù)量越少，晶體管數(shù)量越多。這一點很重要，因為晶體管數(shù)量越多，芯片就越強大，越節(jié)能。目前,業(yè)界主流工藝技術(shù)是5nm，用于三星GalaxyS22和蘋果iPhone13之類的產(chǎn)品。

　　因此,隨著晶體管尺寸不斷縮小，預(yù)計三星將在未來幾周成為首家推出3nm芯片的代工廠。除了轉(zhuǎn)向下一個工藝節(jié)點，三星還將使用其最新的晶體管設(shè)計，稱為GAA，而預(yù)計將于2022年下半年開始量產(chǎn)3nm的TSMC仍將使用舊的FinFET設(shè)計。與FinFET相比，GAA工藝使得芯片功耗降低近一半，同時性能提高多達35%，性能提升多達30%。