目前來看在不同的細分市場,第三代半導(dǎo)體跟硅基器件是一個很好的互補,也是價錢vs性能的一個平衡。隨著第三代半導(dǎo)體的成熟以及成本的降低,最終會慢慢取代硅基產(chǎn)品成為主流方案。

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟掀起了多大的風(fēng)口?根據(jù)《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價值白皮書》內(nèi)容:2019年我國第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模為94.15億元,預(yù)計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度,到2022年市場規(guī)模將達到623.42億元。

　　其中,第三代半導(dǎo)體襯底市場規(guī)模從7.86億元增長至15.21億元,年復(fù)合增速為24.61%,半導(dǎo)體器件市場規(guī)模從86.29億元增長至608.21億元,年復(fù)合增速為91.73%。

　　得益于第三代半導(dǎo)體材料的優(yōu)良特性,它在光電子、電力電子、通訊射頻等領(lǐng)域尤為適用。具體來看:

　　光電子器件包括發(fā)光二極管、激光器、探測器、光子集成電路等,多用于5G通信領(lǐng)域,場景包括半導(dǎo)體照明、智能照明、光纖通信、光無線通信、激光顯示、高密度存儲、光復(fù)印打印、紫外預(yù)警等;

　　電力電子器件包括碳化硅器件、氮化鎵器件,多用于新能源領(lǐng)域,場景包括消費電子、新能源汽車、工業(yè)、UPS、光伏逆變器等;

　　微波射頻器件包括HEMT(高電子遷移率晶體管)、MMIC(單片微波集成電路)等,同樣也是用在5G通信領(lǐng)域,不過場景則更加高端,包括通訊基站及終端、衛(wèi)星通訊、軍用雷達等。

　　現(xiàn)階段,歐美日韓等國第三代半導(dǎo)體企業(yè)已形成規(guī)?；瘍?yōu)勢,占據(jù)全球市場絕大多數(shù)市場份額。我國高度重視第三代半導(dǎo)體發(fā)展,在研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化方面出臺了一系列支持政策。國家科技部、工信部等先后開展了“戰(zhàn)略性第三代半導(dǎo)體材料項目部署”等十余個專項,大力支持第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　早在2014年,工信部發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》提出設(shè)立國家產(chǎn)業(yè)投資基金,重點支持集成電路等產(chǎn)業(yè)發(fā)展,促進工業(yè)轉(zhuǎn)型升級,同時鼓勵社會各類風(fēng)險投資和股權(quán)投資基金進入集成電路領(lǐng)域;在去年全國人大發(fā)布《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中,進一步強調(diào)培育先進制造業(yè)集群,推動集成電路、航空航天等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。瞄準人工智能、量子信息、集成電路等前沿領(lǐng)域,實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目。

　　具體來看，第三代半導(dǎo)體當前主要應(yīng)用領(lǐng)域有新能源汽車、光伏、軌道交通、智能電網(wǎng)。隨著我國對新型基礎(chǔ)建設(shè)的布局展開和“雙碳”目標的提出，相信第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域進一步擴大，作用也愈發(fā)凸顯。