在12代、13代酷睿連續(xù)使用Intel 7工藝之后，Intel今年下半年還會(huì)量產(chǎn)Intel 4工藝，這還是Intel首個(gè)EUV工藝，等效臺(tái)積電“4nm EUV”的這代工藝不僅性能大幅提升21.5%，同時(shí)功耗還可以降低40%，有望讓x86在能效上擊敗蘋(píng)果M2。
Intel前不久在VLSI大會(huì)上介紹了Intel的“4nm EUV”工藝，這兩天媒體曝出了更多的料，HP高性能庫(kù)的密度可達(dá)1.6晶體管/mm2，是目前Intel 7工藝的2倍，高于臺(tái)積電的5nm工藝的1.3億晶體管/mm2，接近臺(tái)積電3nm的2.08億晶體管/mm2。
與Intel 7工藝相比，在同樣的功耗下“4nm EUV”工藝頻率提升21.5%，功耗降低了40%。
此外，改用EUV光刻機(jī)之后，“4nm EUV”工藝良率也高了，生產(chǎn)制造也更簡(jiǎn)單了，不用多次曝光了，工藝步驟減少了5%，光罩?jǐn)?shù)減少了20%，也不需要多次對(duì)齊，這都提高了產(chǎn)能，降低了成本。
綜合來(lái)看，“4nm EUV”工藝在能效上的進(jìn)步會(huì)更明顯，功耗降低了40%，有外媒指出這一點(diǎn)就足以讓首發(fā)“4nm EUV”工藝的14代酷睿Meteor Lake處理器擊敗M2，這事意義重大。
盡管絕對(duì)性能上蘋(píng)果的ARM處理器還是比不過(guò)x86處理器，但是蘋(píng)果重點(diǎn)是低功耗下的性能，能效上讓x86處理器汗顏，導(dǎo)致Intel壓力很大，現(xiàn)在“4nm EUV”工藝來(lái)了，Intel有望扳回一局。
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