臺(tái)積電的先進(jìn)工藝研發(fā)路線圖顯示，今年在推出N4P工藝之后，明年會(huì)再次對(duì)4nm工藝進(jìn)行改良而推出N4X工藝，至于3nm工藝在今年量產(chǎn)后，到2025年分別推出改良版的N3E、N3P、N3X工藝。

　　然而讓人擔(dān)憂的是它的3nm工藝今年能否量產(chǎn)都已存在疑問(wèn)，原因是它本來(lái)計(jì)劃以3nm工藝為蘋(píng)果生產(chǎn)A16處理器，但是目前蘋(píng)果的A16處理器據(jù)稱(chēng)將采用N4P工藝，3nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間趕不上A16處理器，意味著3nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間已被延遲。

　　臺(tái)積電的3nm工藝被延遲，或許與它失去華為這個(gè)重要合作伙伴有關(guān)，從16nm至5nm工藝，華為都是臺(tái)積電的重要合作伙伴，臺(tái)積電的那幾代先進(jìn)工藝都是先為華為生產(chǎn)芯片，然后共同合作提升良率，在良率達(dá)到一定水平后才為蘋(píng)果代工。

　　先進(jìn)工藝的量產(chǎn)需要一個(gè)過(guò)程，工藝研發(fā)成功后需要試產(chǎn)，在試產(chǎn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)問(wèn)題再進(jìn)行改良進(jìn)而提升良率，華為對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)起到的就是這個(gè)重要作用，此前的幾代工藝基本都能如期量產(chǎn)，而如今失去華為后卻導(dǎo)致3nm工藝未能如期量產(chǎn)，這就更凸顯華為的重要作用。

　　臺(tái)積電如今在工藝研發(fā)方面與Intel當(dāng)年的先進(jìn)工藝研發(fā)頗有類(lèi)似之處。Intel在2014年量產(chǎn)14nm工藝之后，就一直停滯，10nm工藝一直到2019年才量產(chǎn)，在那段時(shí)間Intel只好不停地對(duì)14nm改良一直到14nm+++，被業(yè)界嘲諷為擠牙膏。

　　臺(tái)積電在5nm工藝之后也陷入了停滯，3nm工藝本來(lái)預(yù)計(jì)去年量產(chǎn)，然后延遲至今年下半年，如今卻又再度延遲，在3nm工藝被延遲之后，2nm工藝能否如期量產(chǎn)就更有疑問(wèn)了，畢竟2nm工藝的需要提升的技術(shù)太多了，將從FinFET工藝提升至Nanosheet，光刻機(jī)也得從目前的第一代EUV光刻機(jī)升級(jí)至第二代EUV光刻機(jī)，這都意味著2nm工藝的研發(fā)難度遠(yuǎn)超3nm工藝。

　　如此也就難怪臺(tái)積電不得不對(duì)5nm工藝不停地進(jìn)行改良，預(yù)計(jì)3nm也得改良出三代，甚至2nm工藝如果不能在2025年量產(chǎn)，3nm還得再擠牙膏繼續(xù)改良。

　　臺(tái)積電得以在全球芯片代工市場(chǎng)執(zhí)牛耳，就在于它的先進(jìn)工藝制程一直居于領(lǐng)先地位，比三星和Intel都更先進(jìn)，在3nm受阻、2nm也可能面臨困難的情況下，它還能否保持先進(jìn)工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)就存在疑問(wèn)，如今美國(guó)正努力支持Intel和三星，同時(shí)又聯(lián)合日本研發(fā)2nm，這都對(duì)臺(tái)積電造成巨大的壓力。

　　面對(duì)美國(guó)施加的壓力，臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀曾發(fā)聲指美國(guó)在芯片制造工藝方面將無(wú)法超越臺(tái)積電，這或許也顯示出臺(tái)積電的焦慮吧。為應(yīng)對(duì)美國(guó)的壓力，今年一季度臺(tái)積電大舉釋放產(chǎn)能給中國(guó)大陸芯片企業(yè)，中國(guó)大陸芯片企業(yè)為臺(tái)積電貢獻(xiàn)的營(yíng)收從去年的6%猛增至11%，顯示出它希望依靠中國(guó)大陸芯片制衡美國(guó)芯片，未來(lái)或許它還有機(jī)會(huì)再度與華為恢復(fù)合作。