近日，東芯股份在投資者互動平臺表示，公司19nm先進(jìn)制程的NANDFlash產(chǎn)品已完成了首輪流片，目前正在產(chǎn)品調(diào)試的過程中。
針對3D NAND閃存研發(fā)問題，東芯股份表示，公司目前聚焦于中小容量通用型存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，暫不涉及3DNAND業(yè)務(wù)。
車規(guī)級芯片方面，東芯股份稱，車規(guī)級存儲器產(chǎn)品對產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)都有更高的要求，因此產(chǎn)品認(rèn)證及導(dǎo)入時間較長，目前相關(guān)產(chǎn)品正在積極研發(fā)和導(dǎo)入過程中。
此前6月，東芯股份曾強(qiáng)調(diào)，SLC NAND是進(jìn)入NAND Flash的必經(jīng)之路，在SLC NAND的布局上，公司目前有兩個方向，分別是高可靠性和更新工藝。
在高可靠性方面，由于公司本身就具備開發(fā)更高容量NAND的基礎(chǔ)，因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的產(chǎn)品，如車規(guī)級的SLC NAND。目前公司也是國內(nèi)少數(shù)幾家有做車規(guī)級的SLC NAND能力的企業(yè)。
在更新工藝方面，公司不斷更新制程，從38nm、24nm，再到現(xiàn)在正在開發(fā)的19nm的工藝。通過更新工藝來為客戶帶來更具性價比、更高容量的產(chǎn)品。
作為Fabless芯片企業(yè)，東芯股份擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦中小容量存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND、NOR、DRAM等主要存儲芯片完整解決方案的公司。
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