半導(dǎo)體設(shè)備：世界較大市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)替代加速

　　2020年~2022年國(guó)內(nèi)晶圓廠總投資約1500/1400/1200億元，其中國(guó)內(nèi)晶圓廠總投資約1000/1200/1100億元。2020~2022年國(guó)內(nèi)晶圓廠投資將是歷史上最高的三年，未來(lái)還有新項(xiàng)目的可能。

　　在生產(chǎn)效率和降低成本因素的推動(dòng)下，全球8英寸生產(chǎn)放緩，12英寸晶圓廠生產(chǎn)如火如荼。2020年以來(lái)，國(guó)內(nèi)12英寸晶圓廠遍地開(kāi)花。除中芯國(guó)際外，文泰、格科微、海芯等公司計(jì)劃建設(shè)12英寸晶圓廠、粵芯半導(dǎo)體、華虹無(wú)錫等12英寸生產(chǎn)線。

　　根據(jù)SEMI，2019年至2024年，世界上至少有38家12英寸晶圓廠，其中臺(tái)灣11家，中國(guó)大陸8家。到2024年，中國(guó)12英寸晶圓的生產(chǎn)能力將占世界的20%左右。大量晶圓廠的擴(kuò)建和投產(chǎn)，將帶動(dòng)對(duì)上游半導(dǎo)體設(shè)備的需求增加，有望為國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)辟發(fā)展空間。

　　2021年，中芯國(guó)際資本支出保持高位，達(dá)到45億美元(大部分用于擴(kuò)大成熟過(guò)程，特別是8寸擴(kuò)大4.預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到50億美元，5萬(wàn)片/月)。2021年華虹全年資本支出9000元.39億美元，其中8億美元.12英寸擴(kuò)產(chǎn)39億美元，0.8英寸產(chǎn)能99億美元。

　　2022年，公司規(guī)劃資本支出超過(guò)15億美元，其中12寸產(chǎn)能從65寸開(kāi)始K增加到95K，預(yù)計(jì)資本支出為14億$，8寸廠升級(jí)提高效率，預(yù)計(jì)支出約14億$.8億美元。根據(jù)公司20222年的情況，Q1、華虹無(wú)錫二期規(guī)劃開(kāi)始，特色工藝平臺(tái)技術(shù)延伸，相關(guān)工作正在推進(jìn)中。

　　合肥長(zhǎng)鑫從19nm向17nm轉(zhuǎn)移，加快技術(shù)進(jìn)步，在北京設(shè)廠進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)。2019年，長(zhǎng)江倉(cāng)儲(chǔ)開(kāi)始量產(chǎn)64層33層DNAND，2020年4月發(fā)布128層3DNAND，2022年8月正式啟動(dòng)Xtacking3.第四代0技術(shù)TLC三維閃存X與上一代產(chǎn)品相比，存儲(chǔ)密度更高，I/O速度更快，高達(dá)2400MT/s，提高50%，采用60%，-plane在性能提高50%以上的情況下，設(shè)計(jì)功耗降低25%。新產(chǎn)品推出時(shí)，公司加快了追趕步伐，進(jìn)一步縮小了與海外龍頭的差距。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期總產(chǎn)能30萬(wàn)片/月，合肥長(zhǎng)新計(jì)劃三期產(chǎn)能，全部投產(chǎn)后達(dá)到36萬(wàn)片/月。長(zhǎng)江存儲(chǔ)，合肥長(zhǎng)新作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要城鎮(zhèn)，在開(kāi)啟國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)替代方面發(fā)揮著重要作用。而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)將對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備和材料起到重要的推動(dòng)作用。

　　根據(jù)SEMI，2021年，半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額達(dá)到1026億美元，同比激增44%，年銷(xiāo)售額創(chuàng)歷史新高。2013年以前，大陸設(shè)備市場(chǎng)占全球比例不到10%，2014年~2017年提升至10~20%，2018年以后保持在20%以上，份額呈逐年上升趨勢(shì)。2020-2021年，國(guó)內(nèi)晶圓廠投入建設(shè)，半導(dǎo)體行業(yè)投入增加陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模首次，2021年達(dá)到296年.2億美元，同比增長(zhǎng)58%，占28%.9%。展望2022年存儲(chǔ)需求復(fù)蘇，韓國(guó)有望領(lǐng)先世界，但大陸設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望保持較高比例。

　　目前，國(guó)內(nèi)國(guó)產(chǎn)化逐步起航，從0到1的過(guò)程基本完成。北方華創(chuàng)產(chǎn)品布局廣泛，刻蝕機(jī)，PVD，CVD，氧化/擴(kuò)散爐、退火爐、清洗機(jī)、ALD新設(shè)備產(chǎn)品市場(chǎng)引進(jìn)步伐加快，產(chǎn)品工藝覆蓋率和客戶滲透率進(jìn)一步提高，集成電路主流生產(chǎn)線批量銷(xiāo)售，產(chǎn)品迭代加快;第三代半導(dǎo)體，新顯示，光伏設(shè)備產(chǎn)品線進(jìn)一步拓寬，出貨量快速增長(zhǎng)。

　　拓荊科技是中國(guó)唯一的工業(yè)應(yīng)用PECVD和SACVD設(shè)備供應(yīng)商，PECVD共發(fā)貨150臺(tái)，廣泛應(yīng)用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江倉(cāng)儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、廈門(mén)聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠，PEALD實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售;

　　中微介質(zhì)刻蝕機(jī)已進(jìn)入5臺(tái)nm新型高性能工藝Mini-LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備UniMax2022Q訂單已超過(guò)180腔;

　　芯源微前道涂膠顯影設(shè)備28nm以上技術(shù)和高產(chǎn)能結(jié)構(gòu)取得進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了各種核心部件的國(guó)內(nèi)替代。公司前道物理清洗設(shè)備達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，成功實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)替代，前道產(chǎn)品在新訂單結(jié)構(gòu)中的比例顯著提高;

　　芯片

　　華海清科CMP設(shè)備在邏輯芯片中，3DNAND，DRAM制造等領(lǐng)域的工藝技術(shù)水平已分別突破14nm，128層，1X/1Ynm，到2021年底，公司CMP設(shè)備共出貨140多臺(tái)，未發(fā)出產(chǎn)品的在手訂單超過(guò)70臺(tái)。

　　Mattson(一唐半導(dǎo)體)在去膠設(shè)備市場(chǎng)占世界第二;盛美半導(dǎo)體單片清洗機(jī)在海力士，長(zhǎng)存，SMIC等生產(chǎn)線量產(chǎn)。精測(cè)電子，上海瑞麗在測(cè)量領(lǐng)域突破了國(guó)外壟斷。

　　從國(guó)內(nèi)晶圓廠的招標(biāo)情況來(lái)看，設(shè)備的各個(gè)環(huán)節(jié)都取得了突破。2022年上半年，華虹無(wú)錫招標(biāo)刻蝕設(shè)備49臺(tái)，其中Lam中標(biāo)26臺(tái)，TEL中標(biāo)5臺(tái)，中微公司中標(biāo)13臺(tái)，北方華創(chuàng)中標(biāo)4臺(tái)。中微公司中標(biāo)的13臺(tái)是氧化膜等離子體蝕刻機(jī)8臺(tái)，鈍化膜等離子體蝕刻機(jī)3臺(tái)，氮化硅等離子體蝕刻機(jī)2臺(tái);北風(fēng)華創(chuàng)分別中標(biāo)多晶格柵等離子體蝕刻機(jī)2臺(tái)，有源區(qū)等離子體蝕刻機(jī)2臺(tái)。

　　積塔2022H招標(biāo)刻蝕設(shè)備29臺(tái)，其中北方華創(chuàng)中標(biāo)13臺(tái)，中微公司中標(biāo)8臺(tái)，TEL中標(biāo)3臺(tái)，Lam中標(biāo)2臺(tái)。北方華創(chuàng)中標(biāo)設(shè)備13臺(tái)，金屬等離子刻蝕機(jī)7臺(tái)，多晶硅刻蝕機(jī)5臺(tái)，鋁刻蝕機(jī)1臺(tái)。中微公司中標(biāo)鈍化層等離子刻蝕機(jī)7臺(tái)，通孔深隔離槽鈍化層介質(zhì)層刻蝕機(jī)1臺(tái)。

　　根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)中標(biāo)信息，截至2021年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)共招標(biāo)刻蝕設(shè)備452臺(tái)，其中長(zhǎng)江存儲(chǔ)共招標(biāo)刻蝕設(shè)備452臺(tái)。Lam236臺(tái)，TEL61臺(tái)，中微公司59臺(tái)，應(yīng)用材料38臺(tái)，北方華創(chuàng)26臺(tái)，SCREEN13臺(tái)，一唐半導(dǎo)體11臺(tái)。北方華創(chuàng)在刻蝕領(lǐng)域的布局集中在硅刻蝕上，設(shè)備類別對(duì)標(biāo)Lam，仍有較大的潛力空間。

　　以LamResearch例如，為例NandFlash在生產(chǎn)線上，只有一個(gè)類別的刻蝕機(jī)，供應(yīng)的設(shè)備數(shù)量接近40個(gè)不同的工藝環(huán)節(jié)，其中大部分都是獨(dú)家的，尤其是深孔、深溝等環(huán)節(jié)。中微公司的刻蝕設(shè)備種類繁多，主要布局在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域。北方華創(chuàng)在刻蝕領(lǐng)域的布局集中在硅刻蝕上，設(shè)備類別對(duì)標(biāo)Lam，仍有較大的潛力空間。

　　隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)晶圓代工的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，對(duì)于晶圓制造中不可缺失的基礎(chǔ)材料將會(huì)有著非常大的需求拉動(dòng)，而在此階段我們可以看到隨著技術(shù)及工藝的推進(jìn)以及中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)鏈逐步的完善，在材料領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始涌現(xiàn)出各類已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)及供應(yīng)的廠商。