國際龍頭忙擴(kuò)產(chǎn),國內(nèi)第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商發(fā)展如何?

時(shí)間:2022-09-14

來源:全球半導(dǎo)體觀察

導(dǎo)語:據(jù)外媒TheElec報(bào)道,SK Siltron計(jì)劃與RFHIC和Yes Power Technix成立一家合資企業(yè),開發(fā)碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體,該計(jì)劃正在等待母公司SK公司批準(zhǔn)。

       在新能源、5G基站的需求持續(xù)推動(dòng)下,以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了投資熱潮。而近期,不少國際國內(nèi)企業(yè)都披露了最新擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃及項(xiàng)目進(jìn)展情況。

  1國際企業(yè)忙擴(kuò)產(chǎn)

  近期,一眾國際知名廠商擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃相繼曝光,建廠、擴(kuò)產(chǎn)消息不斷。

  據(jù)外媒TheElec報(bào)道,SK Siltron計(jì)劃與RFHIC和Yes Power Technix成立一家合資企業(yè),開發(fā)碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體,該計(jì)劃正在等待母公司SK公司批準(zhǔn)。資料顯示,SK Siltron是韓國唯一一家半導(dǎo)體硅晶圓制造商,目前,其在韓國、美國生產(chǎn)SiC晶圓,也在開發(fā)GaN晶圓。而RFHIC主營GaN射頻芯片,Yes Power Technix則主營SiC電源管理IC。

  日媒近日?qǐng)?bào)道,日立功率半導(dǎo)體公司計(jì)劃投資超1000億日元,將用于電動(dòng)汽車和電器等產(chǎn)品的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高至3倍。報(bào)道指出,到2027年,日立功率半導(dǎo)體公司將提高臨海和山梨工廠以及一家承包工廠的產(chǎn)量。

  除了SK Siltron和日立功率半導(dǎo)體有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃外,Wolfspeed和安森美也在此前宣布了相關(guān)投資規(guī)劃。

  其中Wolfspeed計(jì)劃建造世界上最大的碳化硅材料工廠;安森美也表示在今年將碳化硅襯底產(chǎn)能擴(kuò)充4倍,該廠將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加5倍。

  此外,碳化硅(SiC)外延片大廠昭和電工宣布,8英寸碳化硅外延片樣品已開始出貨,該外延片使用昭和電工自產(chǎn)碳化硅單晶襯底制備。

  2國內(nèi)產(chǎn)能即將陸續(xù)釋放

  國際大廠忙于擴(kuò)產(chǎn)之際,不少國內(nèi)廠商也緊隨其后,披露了項(xiàng)目研發(fā)的最新進(jìn)展。

  天岳先進(jìn)最新披露的調(diào)研紀(jì)要顯示,公司位于上海臨港的上海天岳碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目已經(jīng)成功封頂。天岳先進(jìn)表示,公司將繼續(xù)加快臨港項(xiàng)目產(chǎn)能建設(shè),預(yù)計(jì)導(dǎo)電型襯底大批量供貨在上海工廠投產(chǎn)后將陸續(xù)釋放。另外,目前公司已通過車規(guī)級(jí)IATF16949體系的認(rèn)證,并加快推動(dòng)相應(yīng)產(chǎn)品的客戶認(rèn)證工作。

  芯導(dǎo)科技董事長(zhǎng)、總經(jīng)理歐新華近日在業(yè)績(jī)會(huì)上表示,公司第三代半導(dǎo)體650V GaN HEMT產(chǎn)品已在多家客戶的項(xiàng)目中進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證,預(yù)計(jì)今年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);配合公司第三代半導(dǎo)體650V GaN HEMT器件的高整合度驅(qū)動(dòng)器芯片,也已處于客戶端測(cè)試階段,預(yù)計(jì)將于今年批量投產(chǎn)。

  晶盛機(jī)電在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司已成功生長(zhǎng)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體,并建設(shè)了6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)線,實(shí)驗(yàn)線產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗(yàn)證。

  宏光半導(dǎo)體公司與協(xié)鑫集團(tuán)于近日訂立戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,旨在加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件、快充電池等領(lǐng)域的生產(chǎn)研發(fā)能力。根據(jù)協(xié)議,雙方擬于氮化鎵功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開展密切合作,其中包括共同開發(fā)基于硅基功率芯片及第三代半導(dǎo)體之應(yīng)用產(chǎn)品等。

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