據(jù)韓媒報道，9月22日，東部高科(DB Hitech)與韓國半導(dǎo)體公司A-pro Semicon宣布簽署了一項開發(fā)GaN功率半導(dǎo)體代工工藝技術(shù)的商業(yè)協(xié)議，目標(biāo)是開發(fā)8英寸GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)。

　　根據(jù)諒解備忘錄，雙方將在2022年至2024年期間，推動“GaN功率半導(dǎo)體代工工藝技術(shù)的發(fā)展”。具體來看，東部高科將應(yīng)用A-pro Semicon生產(chǎn)的8英寸GaN外延片產(chǎn)品，共同開發(fā)核心工藝，最終目標(biāo)是開發(fā)8英寸GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)。

　　通過這項合作協(xié)議，A-pro Semicon將確保穩(wěn)定的代工合作伙伴，同時，東部高科8英寸工藝設(shè)備的兼容性將為A-pro Semicon帶來穩(wěn)定的代工產(chǎn)能，有利于其進一步發(fā)展 GaN功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

　　資料顯示，A-pro Semicon是韓國A-PRO Co., Ltd.的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)子公司，于2020年引進美國設(shè)備廠Veeco的GaN功率半導(dǎo)體用8英寸MOCVD量產(chǎn)設(shè)備，同年底，A-pro Semicon宣布與新加坡 GaN-on-Si/SiC外延公司IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)公司共同開發(fā)8英寸650V E-MODE GaN功率晶體管。

　　今年6月消息，A-pro Semicon穩(wěn)定了基于8英寸外延片650V高壓GaN功率半導(dǎo)體元件的良率，并成功實現(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)。同時還開發(fā)了低壓GaN功率半導(dǎo)體元件，豐富了產(chǎn)品組合。

　　而作為全球晶圓代工廠主力軍之一，東部高科也已將GaN和SiC功率半導(dǎo)體視作下一代增長引擎，近年來順勢大力發(fā)展第三代功率半導(dǎo)體市場。

　　在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，東部高科今年6月透露擬建設(shè)8英寸SiC產(chǎn)線，目標(biāo)是在2025年生產(chǎn)并向成品汽車供應(yīng)首款1200V SiC MOSFET。目前，該公司正在測試和生產(chǎn)6英寸SiC功率半導(dǎo)體。

　　在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，東部高科今年初宣布在硅基GaN上生長8英寸半導(dǎo)體元件的計劃。據(jù)悉，采用硅基GaN技術(shù)可提升半導(dǎo)體制造的競爭力，從而簡化晶圓工藝，提高晶圓代工廠的盈利能力。在此之前，臺積電已將硅基GaN技術(shù)導(dǎo)入了6英寸晶圓代工廠，并攜手意法半導(dǎo)體推進GaN制程技術(shù)的開發(fā)，旨在推動分離式與整合式GaN元件的落地應(yīng)用。

　　從目前的動作來看，東部高科加快了8英寸GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)，有望結(jié)合A-Pro Semicon在8英寸GaN外延領(lǐng)域的專業(yè)知識和技術(shù)儲備，縮短核心工藝的開發(fā)周期，加快8英寸GaN功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品研發(fā)及商業(yè)化的進程。