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　　SAMSUNG近年一直致力于增加光刻膠供應(yīng)商的計(jì)劃，希望推動(dòng)光刻膠供應(yīng)鏈的多元計(jì)劃，去年的時(shí)候就傳出已經(jīng)完成對(duì)Inpria光刻膠的性能評(píng)估并開(kāi)始導(dǎo)入使用。Inpria擁有專注于EUV曝光工藝的差異性能光刻膠，是目前EUV時(shí)代超精細(xì)半導(dǎo)體工藝的核心材料，tsmc、Intel、SK海力士等世界知名半導(dǎo)體公司均對(duì)其進(jìn)行了投資并支持其商業(yè)化。

　　近日，SAMSUNG取消增加光刻膠供應(yīng)商的計(jì)劃使得目前其3D NAND芯片的光刻膠仍由Dongjin Semichem獨(dú)家供應(yīng)，據(jù)悉SAMSUNG在過(guò)去和多家日本的光刻膠供應(yīng)商合作洽談，而這些洽談的廠商沒(méi)有滿足SAMSUNG的技術(shù)細(xì)節(jié)要求。

　　光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像，是非常重要的光刻材料之一。

　　根據(jù)顯影效果不同，光刻膠可分為正性、負(fù)性2大類，正性光刻膠，暴露在紫外線下的區(qū)域會(huì)改變結(jié)構(gòu)，變得更容易溶解從而為刻蝕和沉積做好準(zhǔn)備;如果曝光部分被保留下來(lái)，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。正性光刻膠可以達(dá)到更高的分辨率，從而讓它成為光刻階段更好的選擇，因此正性光刻膠是當(dāng)前半導(dǎo)體制造的主流。

　　按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負(fù)性光刻膠)、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要求。

　　光刻膠首先是在計(jì)算芯片上使用率最多，正占比超過(guò)一半，然后是存儲(chǔ)芯片。對(duì)于SAMSUNG這種存儲(chǔ)大廠來(lái)說(shuō)，是3D NAND閃存芯片制作過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。NAND工藝的3D堆疊架構(gòu)可以獲得更大的存儲(chǔ)容量，光刻次數(shù)隨著層數(shù)增加而增加，因此KrF光刻膠對(duì)于SAMSUNG來(lái)說(shuō)需求量是非常大的。