近年來，ASML站到了世界半導體技術(shù)的中心位置。去年ASML兩次提高了生產(chǎn)目標，希望到2025年，其年出貨量能達到約600臺DUV(深紫外光)光刻機以及90臺EUV(極紫外光)光刻機。由于持續(xù)的芯片短缺，交付問題每天都在發(fā)生，而且ASML還遇到了柏林工廠火災(zāi)這樣的意外。

　　日前，ASML的首席技術(shù)官Martin van den Brink接受了Bits & Chips的采訪。

　　據(jù)Martin van den Brink介紹，開發(fā)High-NA EUV技術(shù)的最大挑戰(zhàn)是為EUV光學器件構(gòu)建計量工具，配備的反射鏡尺寸為此前產(chǎn)品的兩倍，同時需要將其平整度控制在20皮米內(nèi)。這種需要在一個“可以容納半個公司”的真空容器中進行驗證，其位于蔡司公司，這是ASML推進High-NA EUV技術(shù)的關(guān)鍵光學合作伙伴，是后來加入的。

　　目前ASML有序地執(zhí)行其路線圖，且進展順利，在EUV之后是High-NA EUV技術(shù)，ASML正在為客戶交付首臺High-NA EUV光刻機做準備，大概會在明年某個時間點完成。雖然供應(yīng)鏈問題仍可能打亂ASML的時間表，不過應(yīng)該問題不大。High-NA EUV光刻機會比現(xiàn)有的EUV光刻機更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因為光源，High-NA使用了相同的光源需要額外0.5兆瓦，ASML還使用水冷銅線為其供電。

　　外界還想知道，High-NA EUV技術(shù)之后的繼任者。ASML技術(shù)副總裁Jos Benschop在去年SPIE高級光刻會議上透露了可能的替代方案，即降低波長。不過這種方案需要解決一些問題，因為EUV反射鏡反射光的效率很大程度上取決于入射角，而波長的降低會改變角度范圍，使得透鏡必須變得太大而無法補償，這種現(xiàn)象也會隨著數(shù)值孔徑的增加而出現(xiàn)。

　　Martin van den Brink證實，ASML正在對此進行研究，不過個人而言，懷疑Hyper-NA將是最后一個NA，而且不一定能真正投入生產(chǎn)，這意味經(jīng)過數(shù)十年的光刻技術(shù)創(chuàng)新，我們可能會走到當前半導體光刻技術(shù)之路的盡頭。ASML進行Hyper-NA研究計劃的主要目標是提出智能解決方案，使技術(shù)在成本和可制造性方面保持可控。

　　High-NA EUV系統(tǒng)將提供0.55數(shù)值孔徑，與此前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)相比，精度會有所提高，可以實現(xiàn)更高分辨率的圖案化，以實現(xiàn)更小的晶體管特征。到了hyper-NA系統(tǒng)，會高于0.7，甚至達到0.75，理論上是可以做到的。

　　Martin van den Brink不希望制造更為龐大的“怪物”，預計hyper-NA可能是接下來半導體光刻技術(shù)發(fā)展會出現(xiàn)問題的地方，其制造和使用成本都會高得驚人。如果采用Hyper-NA技術(shù)的制造成本增長速度和目前High-NA EUV技術(shù)一樣，那么經(jīng)濟層面幾乎是不可行的。就目前而言，Martin van den Brink希望可以克服的是成本問題。

　　由于可能存在無法克服的成本限制，晶體管縮小速度正在放緩。多虧了系統(tǒng)集成的發(fā)展，繼續(xù)開發(fā)新一代芯片仍然是值得的，這是個好消息。在這點上，問題變得非常現(xiàn)實：哪些芯片結(jié)構(gòu)太小，無法經(jīng)濟地制造?