10月20日，三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經(jīng)分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動，韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點。

　　在上述晶圓代工系列活動上，三星對外介紹了最新技術(shù)成果，以及未來五年晶圓代工事業(yè)發(fā)展規(guī)劃。

　　豪賭先進(jìn)制程：2025年2nm、2027年1.4nm!

　　今年6月，三星率先啟動了基于GAA(全環(huán)繞柵極)架構(gòu)的3nm制程芯片生產(chǎn)。未來三星將繼續(xù)提升GAA相關(guān)技術(shù)，并將其導(dǎo)入2nm和1.7nm節(jié)點工藝。按照規(guī)劃，三星將于2025年量產(chǎn)2nm先進(jìn)制程工藝技術(shù)，到2027年量產(chǎn)1.4nm制程工藝技術(shù)。

　　三星認(rèn)為，隨著高性能計算 (HPC)、人工智能 (AI)、5/6G 連接和汽車應(yīng)用市場的顯著增長，對先進(jìn)半導(dǎo)體的需求急劇增加，這使得半導(dǎo)體工藝技術(shù)的創(chuàng)新對于代工客戶的業(yè)務(wù)成功至關(guān)重要。為此，三星強調(diào)了2027年將其最先進(jìn)的工藝技術(shù)1.4 nm用于量產(chǎn)的承諾，并計劃到2027年將其先進(jìn)節(jié)點的產(chǎn)能擴大3倍以上。

　　三星預(yù)計，到2027年，包括HPC和汽車在內(nèi)的非移動應(yīng)用預(yù)計將超過其代工產(chǎn)品組合的50%。三星將增強其基于GAA的3nm工藝對HPC和移動設(shè)備的支持，同時進(jìn)一步豐富專門用于HPC和汽車應(yīng)用的4nm工藝。

　　為提升良率與產(chǎn)能，三星還部署了“shell-first”策略：即無論市場狀況如何，首先建造潔凈室，后續(xù)再根據(jù)市場需求靈活投資具體設(shè)備。通過新的投資策略，三星能夠及時響應(yīng)客戶的需求，三星計劃將該策略用于美國Taylor廠二期產(chǎn)線。

　　此外，三星也在加速開發(fā)2.5D/3D異構(gòu)集成封裝技術(shù)，提供代工服務(wù)的整體系統(tǒng)解決方案。通過不斷創(chuàng)新，其微凸塊互連的3D封裝X-Cube將于2024年量產(chǎn)，無凸塊X-Cube將于2026年上市。

　　相約2025年，三星、臺積電2nm正面交鋒?

　　無獨有偶，另一大晶圓代工巨頭臺積電也于近期透露了先進(jìn)制程最新進(jìn)展。

　　3nm方面，臺積電表示客戶對3nm的需求超越臺積電的供應(yīng)量，部分原因來自持續(xù)存在的機臺交期問題，預(yù)估明年將滿載生產(chǎn)，3nm營收占比約為4-6%。

　　2nm方面，臺積電表示目前進(jìn)展一切順利，將仍按照進(jìn)度量產(chǎn)。此前臺積電介紹，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%;相同速度下，功耗降低 25~30%。臺積電將在2nm節(jié)點引入GAA架構(gòu)，預(yù)計2024年下半年進(jìn)入風(fēng)險性試產(chǎn)，2025年進(jìn)入量產(chǎn)。

　　這樣一來，2025年三星與臺積電將在2nm先進(jìn)制程上進(jìn)行正面交鋒。

　　這不是兩家大廠第一次在先進(jìn)制程上時間“撞檔”，3nm時間上，三星與臺積電也不約而同選擇在2022年，其中三星已于上半年宣布量產(chǎn)3nm，臺積電則計劃于今年年內(nèi)量產(chǎn)。

　　至于更先進(jìn)的1.4nm制程，目前媒體報道臺積電已啟動1.4nm芯片制程工藝開發(fā)，不過官方尚未發(fā)布具體量產(chǎn)時間。

　　結(jié)語

　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢分析師喬安表示，晶圓代工產(chǎn)業(yè)自2020年進(jìn)入高成長周期，隨著業(yè)界擴增的產(chǎn)能大量開出，以及晶圓漲價貢獻(xiàn)，2022年全球晶圓代工產(chǎn)值有望成長28%，增幅將高于過去兩年水平。

　　不過，隨著芯片需求萎靡，晶圓代工產(chǎn)業(yè)進(jìn)入庫存調(diào)整時期，2023年全球晶圓代工成長將有所放緩。喬安認(rèn)為，在全球總體經(jīng)濟能見度低迷，電子產(chǎn)品消費力道未見起色的市況下，晶圓廠制程多元化及獨特性發(fā)展成為晶圓代工廠營運關(guān)鍵。