據(jù)韓媒《BusinessKorea》12月14日?qǐng)?bào)道，三星擬投資1676億美元在泰勒市新建9家半導(dǎo)體工廠計(jì)劃的減稅申請(qǐng)已獲得了得克薩斯州泰勒市獨(dú)立學(xué)區(qū)董事會(huì)批準(zhǔn)，該批準(zhǔn)將為三星節(jié)省48億美元(約合6.26萬(wàn)億韓元)的稅收。
2021年11月，三星宣布在得克薩斯州泰勒市建設(shè)半導(dǎo)體工廠，預(yù)計(jì)投資170億美元，將于2024年下半年投入運(yùn)營(yíng)，建成之后采用先進(jìn)制程工藝制造用于智能手機(jī)、5G、高性能計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域的產(chǎn)品。
除該工廠外，三星還計(jì)劃在未來(lái)20年內(nèi)通過(guò)總投資1921億美元(約合269.7萬(wàn)億韓元)在德克薩斯州新建11家工廠。
其中，有9家將位于泰勒市，其余兩家將位于奧斯汀市的莊園獨(dú)立學(xué)區(qū)。如今三星為泰勒計(jì)劃建廠的九個(gè)減稅申請(qǐng)已獲得批準(zhǔn)，并正在等待莊園獨(dú)立學(xué)區(qū)其余兩個(gè)的批準(zhǔn)。
據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)12月8日研究顯示，在2022年第三季度晶圓代工業(yè)者營(yíng)收排名中，臺(tái)積電以56.1%的份額穩(wěn)坐全球第一，而三星晶圓代工市場(chǎng)份額環(huán)比下滑0.9%至15.5%，居位第二。
從先進(jìn)制程上看，三星選擇繼續(xù)押寶3nm先進(jìn)制程，意在技術(shù)上領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。今年6月，三星率先臺(tái)積電開(kāi)始量產(chǎn)第一代基于gate-all-around技術(shù)的3nm芯片，目標(biāo)是在2025年推出2納米芯片，2027年推出1.4納米芯片。
三星的晶圓代工部門(mén)高級(jí)研究員樸炳宰此前表示，三星十分看好3nm先進(jìn)制程的前景，并不會(huì)因?yàn)橥饨缡鞯娜鄙倏蛻?hù)等不利消息而放緩研發(fā)步伐。他預(yù)測(cè)，2026年全球3nm晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模將較當(dāng)前增長(zhǎng)20倍，達(dá)到242億美元。
而臺(tái)積電方面，該公司于12月6日宣布加碼美國(guó)芯片工廠建設(shè)，其亞利桑那州晶圓廠開(kāi)始興建第二期工程，預(yù)計(jì)于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程技術(shù)。該廠目前興建中的第一期工程預(yù)計(jì)于2024年開(kāi)始生產(chǎn)4nm制程技術(shù)，兩期工程總投資金額約為400億美元。
臺(tái)積電原本計(jì)劃投資120億美元，現(xiàn)在投資是此前投資規(guī)模的三倍多，該公司還希望借助在美國(guó)搭建生產(chǎn)線，以進(jìn)一步綁定蘋(píng)果、AMD等大客戶(hù)。
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