近期，韓國《京鄉(xiāng)新聞》引用半導(dǎo)體業(yè)界消息表示，隨著對人工智能服務(wù)器領(lǐng)域投資的擴(kuò)大，對高帶寬存儲器(HBM)、DDR5等高附加值DRAM的需求不斷增加。與之相反，NAND市場需求持續(xù)萎縮。
這一背景下，已經(jīng)有存儲廠商將減產(chǎn)重點落在NAND領(lǐng)域。
SK海力士在最新財報中表示，與DRAM庫存去化速度相比，NAND閃存的去庫存速度相較緩慢，因此決定擴(kuò)大NAND產(chǎn)品的減產(chǎn)規(guī)模。
三星電子存儲事業(yè)部執(zhí)行副總裁Jaejune Kim在財報電話會議上提到，三星將延長減產(chǎn)行動，并對包括NAND閃存芯片在內(nèi)的某些產(chǎn)品進(jìn)行額外的產(chǎn)量調(diào)整。
當(dāng)然，眼下的艱難不意味著NAND未來沒有發(fā)展前景。長遠(yuǎn)來看，隨著AI、大數(shù)據(jù)等技術(shù)發(fā)展，催生大容量存儲產(chǎn)品需求，包括SSD在內(nèi)的NAND Flash仍將大有可為。因此，存儲大廠同樣在不遺余力布局NAND Flash堆疊技術(shù)，以圖未來。
目前NAND Flash已經(jīng)突破200層堆疊大關(guān)，SK海力士已開始量產(chǎn)238層4D NAND閃存。未來存儲廠商將持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)NAND Flash，美光232層之后，計劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品;鎧俠與西數(shù)也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術(shù);三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達(dá)到280層)，2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層)，2030年前實現(xiàn)1000層NAND Flash。
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