傳三星正將平澤128層NAND閃存產線轉為236層?

時間:2023-08-31

來源:全球閃存市場

導語:據(jù)此前報道,三星已制定生產計劃,目標年底NAND庫存正?;?,即6-8周。其晶圓投入量將較上半年減少10%,目前該公司減產的主要目標是128層第6代V-NAND(V6),該產品庫存較多。

       據(jù)韓媒《Etnews》引述業(yè)內人士29日透露,三星電子正在將平澤第一工廠的NAND閃存生產線從128層工藝轉換為236層工藝。這是三星電子減少庫存較多的128層NAND閃存的產量,專注于尖端產品的策略。

  據(jù)此前報道,三星已制定生產計劃,目標年底NAND庫存正?;?-8周。其晶圓投入量將較上半年減少10%,目前該公司減產的主要目標是128層第6代V-NAND(V6),該產品庫存較多。

  雖然具體規(guī)模尚未確認,但據(jù)悉三星電子將改變平澤的許多P1NAND生產線。多位熟悉三星情況的業(yè)內人士表示,“據(jù)了解,轉產政策已經確定,工作已經開始”。

  P1工廠是三星電子的核心生產基地,其產能為每月10萬片DRAM和19萬片NAND基于12英寸(300毫米)晶圓。

  據(jù)稱,三星正試圖減少產品產量,并將生產轉移到目前商用產品中最先進的236層NAND。由于半導體工藝轉換需要相當長的時間,設備更換期間的減產效果顯著,意味著可以快速減少128層NAND的庫存。

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