近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。
目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術(shù)的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層)。
據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)，2030年前實現(xiàn)1000層NAND Flash。
而DRAM先進制程工藝10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光于去年10月量產(chǎn)1β DRAM，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM;三星計劃于2023年進入1bnm工藝階段。
據(jù)披露，三星正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11nm級DRAM芯片。李政培表示，三星正在為DRAM開發(fā)3D堆疊結(jié)構(gòu)和新材料。
李政培透露稱，在即將到來的10nm以下DRAM和超過1000層的V-NAND芯片時代，新結(jié)構(gòu)和新材料非常重要。
此外，三星將于10月20日在美國硅谷舉辦三星存儲技術(shù)日2023的活動，其中，還將推出一些新的存儲器芯片和產(chǎn)品。
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